快速
2K ×9双端口
静态RAM
繁忙&中断
特点
◆
◆
IDT70121S/L
IDT70125S/L
◆
高速存取
- 商业：25 /35/ 45 / 55ns （最大值）
- 工业：为35ns （最大）
低功耗工作
- IDT70121 / 70125S
主动： 675mW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT70121 / 70125L
主动： 675mW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
从任何一个端口全台异步操作
MASTER IDT70121轻松扩展数据总线宽度为18位或
更多的使用SLAVE IDT70125芯片
片口仲裁（只IDT70121 ）逻辑
忙
法师输出标志;
忙
输入从机上
INT
标志的端口到端口的通信
电池备份操作？ 2V数据保留
TTL兼容，信号5V （ ± 10 ％ ）电源
可提供52引脚PLCC
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）可用于
选定速度
绿色部分可用，请参阅订购信息
功能框图
OE
L
CE
L
读/写
L
OE
R
CE
R
读/写
R
I / O
0L
- I / O
8L
I / O
控制
忙
L
A
10L
A
0L
(1,2)
I / O
0R
-I / O
8R
I / O
控制
忙
R
地址
解码器
11
(1,2)
内存
ARRAY
11
地址
解码器
A
10R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
打断
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
INT
L
(2)
INT
R
2654 DRW 01
(2)
注意事项：
1. 70121 （ MASTER ） ：
忙
非三态的推挽输出。
70125 （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
INT
非三态的推挽输出。
2006年4月
1
2006集成设备技术有限公司
DSC 10分之2654
IDT70121/IDT70125
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
工业和商业温度范围
描述
该IDT70121 / IDT70125是高速2K ×9双端口静态
的RAM 。该IDT70121被设计为用作一个独立的9位的双核
端口RAM或作为“主”双口RAM与IDT70125在一起
“从”双端口18位或更多的字宽的系统。采用IDT
主/从双口RAM的方式在18位或增多的记忆
系统应用成果在全速，无差错操作
需要额外的分立逻辑。
这两款器件提供单独的控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能，通过控制
CE，
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
该IDT70121 / IDT70125利用9位宽的数据路径，以允许
数据/控制与奇偶校验位在用户的选项。这个特征是特别
在数据通信的应用中是有用的地方，有必要使用一个
奇偶校验位的发送/接收错误检查。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为675mW工作。低功率（L ）
版本提供电池备份的数据保持能力与每个端口
通常从2V的电池消耗200μW 。
该IDT70121 / IDT70125设备均采用52引脚PLCC 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
A
0L
OE
L
A
10L
INT
L
忙
L
读/写
L
CE
L
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
INT
R
A
10R
51
52
50
7
6
5
49
48
47
3
4
2
46
45
44
43
05/27/04
指数
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
IDT70121/125J
J52-1
(4)
52引脚PLCC
顶视图
(5)
42
41
40
39
38
37
36
35
34
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
8R
I / O
7R
.
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
I / O
8L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为0.75英寸x 0.75英寸x 0.17英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
1
2654 DRW 02
2
6.42
2006年4月5日
IDT70121/IDT70125
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
单位
V
建议的直流
工作条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2654 TBL 03
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
V
IH
V
IL
____
o
mA
2654 TBL 01
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
cc
+ 10%.
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(1)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2654 TBL 04
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
2654 TBL 02
注意：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
70121S
70125S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
= 5.5V,
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
70121L
70125L
马克斯。
10
10
0.4
___
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2654 TBL 05
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc < 2.0V泄漏是不确定的。
3
2006年4月5日
IDT70121/IDT70125
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,4)
(V
CC
= 5V ± 10%)
70121X25
70125X25
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
f = f
最大
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
I
SB3
全待机电流（两个端口均
- CMOS电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
VIN < 0.2V ， F = 0
(3)
Com'l
IND
Com'l
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
135
135
___
___
70121X35
70125X35
Com'l
&工业
典型值。
135
135
135
135
30
30
30
30
80
80
80
80
1.0
0.2
1.0
0.2
70
70
70
70
马克斯。
250
210
275
250
65
45
80
65
165
135
190
165
15
5
15
5
160
130
185
160
2654 TBL 06A
马克斯。
260
220
___
___
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个港口 - TTL电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
=
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
f = f
最大
(2)
30
30
___
___
65
45
___
___
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(2)
80
80
___
___
175
145
___
___
mA
1.0
0.2
___
___
15
5
___
___
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 - CMOS电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(2)
70
70
___
___
170
140
___
___
mA
IND
70121X45
70125X45
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
f = f
最大
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
I
SB3
全待机电流
（这两个港口 - CMOS电平
输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
135
135
___
___
70121X55
70125X55
Com'l只有
典型值。
135
135
___
___
马克斯。
245
205
___
___
马克斯。
240
200
___
___
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个港口 - TTL电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
=
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
f = f
最大
(2)
30
30
___
___
65
45
___
___
30
30
___
___
65
45
___
___
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(2)
80
80
___
___
160
130
___
___
80
80
___
___
155
125
___
___
mA
1.0
0.2
___
___
15
5
___
___
1.0
0.2
___
___
15
5
___
___
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 - CMOS电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(2)
70
70
___
___
155
125
___
___
70
70
___
___
150
120
___
___
mA
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ） 。
2.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用“AC测试条件”的
GND的输入电平为3V 。
3， F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
4. VCC = 5V ，T
A
= + 25°C的典型值，而不是生产测试。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
2654 TBL 06B
4
6.42
2006年4月5日
IDT70121/IDT70125
HIGH -SPEED 2K ×9双端口静态繁忙&中断RAM
工业和商业温度范围
数据保持特性
（只有L型）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
(3)
t
R
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 2V,
CE
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
< 0.2
IND 。
Com'l 。
测试条件
分钟。
2.0
___
典型值。
(1)
___
马克斯。
___
单位
V
A
100
100
___
4000
1500
___
___
t
RC
(2)
V
2654 TBL 07
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
VCC
4.5V
t
CDR
CE
V
IH
V
DR
V
DR
≥
2V
4.5V
t
R
V
IH
2654 DRW 03
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
图1和图2
2654 TBL 08
5V
1250
数据
OUT
忙
INT
数据
OUT
775
30pF
775
5V
1250
5pF*
2654 DRW 04
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具。
5
2006年4月5日
QQ：2881677436 复制
