IRF644N ， IRF644NS ， IRF644NL ， SiHF644N ， SiHF644NS ， SiHF644NL
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
D
2
PAK （ TO-263 ）
特点
250 V
V
GS
= 10 V
54
9.2
26
单身
0.240
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175
°C
工作温度
快速开关
全额定雪崩
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
描述
Vishay的第五代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的上
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
2.0 W的一个典型的表面安装的应用程序。
G
D
S
G
I
2
PAK （ TO- 262 ）
TO-220
S
N沟道
MOSFET
S
G
D
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF644NPbF
SiHF644N-E3
IRF644N
SiHF644N
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF644NSPbF
SiHF644NS-E3
IRF644NS
SiHF644NS
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF644NSTRLPbF
a
SiHF644NSTL-E3
a
IRF644NSTRL
a
SiHF644NSTL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF644NSTRRPbF
a
SiHF644NSTR-E3
a
IRF644NSTRR
a
SiHF644NSTR
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF644NLPbF
SiHF644NL-E3
IRF644NL
SiHF644NL
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
极限
± 20
14
9.9
56
1.0
180
e
8.4
15
150
7.9
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
雪崩电流
重复性雪崩能量
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91038
S-挂起-REV 。 A， 19军08
WORK -IN -PROGRESS
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1
IRF644N ， IRF644NS ， IRF644NL ， SiHF644N ， SiHF644NS ， SiHF644NL
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绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
符号
T
J
, T
英镑
极限
- 55 + 175
300
d
10
1.1
单位
°C
磅力·中
N·m的
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25℃时，L = 5.0 μH ，R
G
= 25
Ω
I
AS
= 8.4 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
8.4 A， di / dt的
≤
378 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。这是限定至T的计算值
J
= 175 °C.
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
c
案件到水槽，平面，脂表面
c
最大结至外壳（漏）
最大结到环境（ PCB安装）
d
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
R
thJA
典型值。
-
0.50
-
-
马克斯。
62
-
1.0
40
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 20 V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.4 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 8.4 A
b
250
-
2.0
-
-
-
-
8.8
-
0.33
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.240
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
1060
140
38
-
-
-
10
21
30
17
4.5
7.5
-
-
-
54
9.2
26
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.4 A，V
DS
= 200 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 125 V，I
D
= 8.4 A,
R
G
= 6.2
Ω,
V
GS
= 10V ，见图。 10
b
-
-
-
-
-
G
S
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文档编号： 91038
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IRF644N ， IRF644NS ， IRF644NL ， SiHF644N ， SiHF644NS ， SiHF644NL
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
165
1.0
14
A
56
1.3
250
1.6
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 14 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。这仅适用于TO-220封装。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
V
DS
，漏极 - 源极电流（ V）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
底部
4.5V
100
顶部
10
底部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
4.5V
1
4.5V
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
图。 2 - 典型的输出特性
文档编号： 91038
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3
IRF644N ， IRF644NS ， IRF644NL ， SiHF644N ， SiHF644NS ， SiHF644NL
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100
10000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 175°C
V
GS
= 0V中，f = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C，电容（pF ）
1000
西塞
T
J
= 25°C
10
科斯
100
CRSS
V
DS
= 50V
20μs的脉冲宽度
4
6
8
10
11
13
15
1
10
1
10
100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
3.5
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 14A
18
I
D
= 8.4A
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
16
V
DS
= 200V
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
12
8
4
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140160 180
0
0
12
24
36
48
60
T
J
，结温（ ° C）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
O
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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100
15
I
SD
，反向漏电流（ A）
12
T
J
= 175°C
10
I
D
，漏电流（ A）
9
1
T
J
= 25°C
6
3
0.1
V
GS
= 0V
0.0
0.4
0.8
1.1
1.5
0
25
50
75
100
125
150
175
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
T
C
- 外壳温度（ ℃）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
R
D
V
DS
1000
V
GS
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
操作本AREA
限于由R DS （上）
R
G
10
100μsec
1msec
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
1
0.1
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
10
100
10msec
1000
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 8 - 最高安全工作区
图。 10B - 开关时间波形
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