【ICS7151扩频时钟发生器描述该ICS7151-10 ， -20 ， -40 ， -50的时钟发电】,IC型号ICS7151M-50LFT,ICS7151M-50LFT PDF资料,ICS7151M-50LFT经销商,ic,电子元器件-51电子网

ICS7151

扩频时钟发生器

描述

该ICS7151-10 ， -20 ， -40 ， -50的时钟

发电机的EMI （电磁干扰）

减少（参见下面的频率范围和

乘数比率）。频谱峰值可以通过衰减

稍微调节振荡频率。双双下跌

与中心扩散曲线是可选的。流传下来

保持比未扩展的平均频率少

时钟，并且将不会超过的最大频率

一个未扩展时钟。

特点

3.3 V的工作电压± 0.3 V

封装采用8引脚SOIC

可在Pb（铅）免费包装

16.5 33.4 MHz的输入频率范围

8.3到16.7兆赫， 16.5输出频率范围

33.4兆赫， 33.3 66.7兆赫， 66.6到133.4兆赫

± 1.5 ％中心蔓延; -1.0 ％， -3.0 ％下调价差）

提供了一种扩展频谱时钟输出（ ±0.5％，

×1/ 2 ，为x1，x2 ，和x4的繁殖率

先进的低功耗CMOS工艺

框图

VDD

S1:0

ENS

PLL时钟

合成

和传播

SPECTRUM

电路

时钟缓冲器/

水晶

振子的

CKOUT

XIN

XOUT

与晶体所需的外部帽

在时钟的精确调谐

GND

产品阵容

产品

输入频率范围

倍频

输出频率范围

ICS7151M -10， ICS7151MI -10

ICS7151M -20， ICS7151MI -20

ICS7151M -40， ICS7151MI -40

ICS7151M -50， ICS7151MI -50

16.5 MHz至33.4 MHz的

X1/2

16.5 MHz至33.4 MHz的

33.3 MHz至66.7 MHz的

66.6 MHz至133.4 MHz的

8.3 MHz到16.7 MHz的

MDS 7151 ê

集成电路系统公司

●

525马街，圣何塞，加利福尼亚95126

●

修订版012306

电话：（ 408 ） 297-1201

●

www.icst.com

ICS7151

扩频时钟发生器

引脚分配

XIN

GND

8引脚（ 150 mil）的SOIC

XOUT

VDD

ENS

CKOUT

传播方向和比例

选择表

引脚4

(note1)

ENS

（注2 ）

3脚

(note1)

传播

方向

中心

下

传播

百分比（％）

±1.5

±0.5

-1.0

-3.0

扩频

关闭

注意事项：

1.调制速率随输入频率。

2.传播将默认为ON时， ENS引脚悬空。

引脚说明

针

数

针

名字

PIN TYPE

引脚说明

XIN

GND

CKOUT

ENS

VDD

XOUT

输入

动力

输入

产量

输入

动力

产量

谐振器连接端子/时钟输入引脚。

连接到地面。

选择引脚0调制速率设置引脚。

选择引脚1调制速率设置引脚。

调制时钟输出引脚。

调制使设置引脚。内部上拉电阻。

连接至+3.3 V.

谐振器连接引脚。

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ICS7151

扩频时钟发生器

外部元件

该ICS7151需要外部的最小数量

组件正常工作。

该装置的下面，或在邻近的层

设备所使用的接地平面层。

水晶资讯

使用应该是一个基本模式晶体（做

不使用第三个泛音），并联谐振。水晶

电容应连接在X1引脚对地

和X2与地优化初始精度。该

这些电容器的值由下式给出

公式：

水晶帽（PF ） = （C

- 6) x 2

在该方程中，C

是晶体的负载电容。所以，

与16 pF负载电容的晶体，两个20 pF的

〔（ 16-6 ） ×2〕电容器应该被使用。

去耦电容

0.01μF的去耦电容必须连接

GND和VDD引脚7 ，尽量靠近该引脚为间

可能。对于最佳的器件性能，该

去耦电容应安装在

PCB的元件面。避免使用过孔

去耦电路。

系列终端电阻

串联终端应使用的时钟输出。

以系列终止50Ω迹（常用

走线阻抗）放置一个27Ω的电阻串联

时钟线，尽量靠近时钟输出引脚

可能。时钟输出的额定阻抗是

25.

扩频简介

该ICS7151低EMI时钟发生器采用了三角

最佳下游调频简介

零延迟缓冲器跟踪等PLL器件。

频率调制振幅是恒定的

输入频率的变化。

PCB布局建议

为确保最佳的设备性能和最低的输出

相位噪声，遵循以下原则应该是

观察到。

1） 0.01μF去耦电容应安装

在电路板的元件侧靠近

VDD引脚的位置。无孔应与使用

去耦电容， VDD引脚。 PCB走线

到VDD引脚应保持尽可能的短，以

应在PCB走线通过地面。

2 ）为了减少EMI，在27Ω串联端接电阻

（如果需要的话）应放置在靠近给时钟输出。

3）优化布局之一，在所有组件

电路板的同一侧，通过其他最大限度地减少通孔

信号层。其他信号走线应

离ICS7151 。这包括信号线刚

调制速率

频率

时间

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ICS7151

扩频时钟发生器

绝对最大额定值

上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS7151永久性损坏。这些评价，

这对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作

该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明

规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以

影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障

温度范围。

项

电源电压（VDD）

所有输入和输出（参考GND ）

工作环境温度

储存温度

结温

焊接温度

过冲（V

Iover

)

冲（V

IUNDER

)

等级

-0.5 V至VDD + 0.5 V

-40至+ 85°C

-55到+ 125°C

-40至+ 125°C

260°C

VDD + 1.0 V （T

过度

< 50纳秒）

GND - 1.0 V （T

下

< 50纳秒）

过冲/下冲

下

< 50纳秒

Iover

＆ LT ; V

+ 1.0 V

GND

IUNDER

< GND - 1.0 V

输入引脚

过度

< 50纳秒

推荐工作条件

参数

工作环境温度

电源电压（相对于GND测量）

分钟。

-40

+3.0

典型值。

3.3

马克斯。

+85

3.6

单位

°C

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ICS7151

扩频时钟发生器

DC电气特性

除非另有说明，否则

VDD = 3.3 V± 0.3 V ，

环境温度-40 + 85°C

参数

工作电压

电源电流

输入高电压

输入低电压

输出高电压

输出低电压

输入电容

符号

VDD

国际直拨电话

条件

无负载，在3.3 V

XIN ， S0 ， S1 ， ENS

CKOUT ，我

= -4毫安

CKOUT ，我

= 4毫安

XIN ， S0 ， S1 ， ENS

CKOUT ， 8.3至66.7

兆赫

分钟。

3.0

VDDx0.8

0.0

2.0

典型值。

3.3

马克斯。

3.6

VDD + 0.3

VDDx0.20

0.4

单位

负载电容

CKOUT ， 66.7 100

兆赫

CKOUT ， 100至133.4

兆赫

输入上拉电阻

ENS

100

240

400

AC电气特性

除非另有说明，否则

VDD = 3.3 V± 0.3 V ，

环境温度-40 + 85°C

参数

输入晶体频率

输入时钟频率

符号

条件

分钟。

16.5

典型值。

马克斯。

33.4

66.7

133.4

16.7

单位

兆赫

V / ns的

CKOUT ，乘以1

(ICS7151-10)

CKOUT ，乘以2

(ICS7151-20)

CKOUT ，乘以4

(ICS7151-40)

CKOUT ， 2频

师（ ICS7151-50 ）

输入时钟的占空比

输出时钟占空比

输出压摆率

DCC

XIN ， 16.5到33.4兆赫

CKOUT ， 1.5 V

CKOUT ， 0.4到2.4伏，

CL = 15 pF的

16.5

33.3

66.6

8.3

0.5

输出频率

OUT

3.0

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扩频时钟发生器

描述

该ICS7151-10 ， -20 ， -40 ， -50的时钟

发电机的EMI （电磁干扰）

减少（参见下面的频率范围和

乘数比率）。频谱峰值可以通过衰减

稍微调节振荡频率。双双下跌

与中心扩散曲线是可选的。流传下来

保持比未扩展的平均频率少

时钟，并且将不会超过的最大频率

一个未扩展时钟。

特点

3.3 V的工作电压± 0.3 V

封装采用8引脚SOIC

可在Pb（铅）免费包装

16.5 33.4 MHz的输入频率范围

8.3到16.7兆赫， 16.5输出频率范围

33.4兆赫， 33.3 66.7兆赫， 66.6到133.4兆赫

± 1.5 ％中心蔓延; -1.0 ％， -3.0 ％下调价差）

提供了一种扩展频谱时钟输出（ ±0.5％，

×1/ 2 ，为x1，x2 ，和x4的繁殖率

先进的低功耗CMOS工艺

框图

VDD

S1:0

ENS

PLL时钟

合成

和传播

SPECTRUM

电路

时钟缓冲器/

水晶

振子的

CKOUT

XIN

XOUT

与晶体所需的外部帽

在时钟的精确调谐

GND

产品阵容

产品

输入频率范围

倍频

输出频率范围

ICS7151M -10， ICS7151MI -10

ICS7151M -20， ICS7151MI -20

ICS7151M -40， ICS7151MI -40

ICS7151M -50， ICS7151MI -50

16.5 MHz至33.4 MHz的

X1/2

16.5 MHz至33.4 MHz的

33.3 MHz至66.7 MHz的

66.6 MHz至133.4 MHz的

8.3 MHz到16.7 MHz的

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扩频时钟发生器

引脚分配

XIN

GND

8引脚（ 150 mil）的SOIC

XOUT

VDD

ENS

CKOUT

传播方向和比例

选择表

引脚4

(note1)

ENS

（注2 ）

3脚

(note1)

传播

方向

中心

下

传播

百分比（％）

±1.5

±0.5

-1.0

-3.0

扩频

关闭

注意事项：

1.调制速率随输入频率。

2.传播将默认为ON时， ENS引脚悬空。

引脚说明

针

数

针

名字

PIN TYPE

引脚说明

XIN

GND

CKOUT

ENS

VDD

XOUT

输入

动力

输入

产量

输入

动力

产量

谐振器连接端子/时钟输入引脚。

连接到地面。

选择引脚0调制速率设置引脚。

选择引脚1调制速率设置引脚。

调制时钟输出引脚。

调制使设置引脚。内部上拉电阻。

连接至+3.3 V.

谐振器连接引脚。

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扩频时钟发生器

外部元件

该ICS7151需要外部的最小数量

组件正常工作。

该装置的下面，或在邻近的层

设备所使用的接地平面层。

水晶资讯

使用应该是一个基本模式晶体（做

不使用第三个泛音），并联谐振。水晶

电容应连接在X1引脚对地

和X2与地优化初始精度。该

这些电容器的值由下式给出

公式：

水晶帽（PF ） = （C

- 6) x 2

在该方程中，C

是晶体的负载电容。所以，

与16 pF负载电容的晶体，两个20 pF的

〔（ 16-6 ） ×2〕电容器应该被使用。

去耦电容

0.01μF的去耦电容必须连接

GND和VDD引脚7 ，尽量靠近该引脚为间

可能。对于最佳的器件性能，该

去耦电容应安装在

PCB的元件面。避免使用过孔

去耦电路。

系列终端电阻

串联终端应使用的时钟输出。

以系列终止50Ω迹（常用

走线阻抗）放置一个27Ω的电阻串联

时钟线，尽量靠近时钟输出引脚

可能。时钟输出的额定阻抗是

25.

扩频简介

该ICS7151低EMI时钟发生器采用了三角

最佳下游调频简介

零延迟缓冲器跟踪等PLL器件。

频率调制振幅是恒定的

输入频率的变化。

PCB布局建议

为确保最佳的设备性能和最低的输出

相位噪声，遵循以下原则应该是

观察到。

1） 0.01μF去耦电容应安装

在电路板的元件侧靠近

VDD引脚的位置。无孔应与使用

去耦电容， VDD引脚。 PCB走线

到VDD引脚应保持尽可能的短，以

应在PCB走线通过地面。

2 ）为了减少EMI，在27Ω串联端接电阻

（如果需要的话）应放置在靠近给时钟输出。

3）优化布局之一，在所有组件

电路板的同一侧，通过其他最大限度地减少通孔

信号层。其他信号走线应

离ICS7151 。这包括信号线刚

调制速率

频率

时间

MDS 7151 ê

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电话：（ 408 ） 297-1201

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ICS7151

扩频时钟发生器

绝对最大额定值

上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS7151永久性损坏。这些评价，

这对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作

该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明

规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以

影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障

温度范围。

项

电源电压（VDD）

所有输入和输出（参考GND ）

工作环境温度

储存温度

结温

焊接温度

过冲（V

Iover

)

冲（V

IUNDER

)

等级

-0.5 V至VDD + 0.5 V

-40至+ 85°C

-55到+ 125°C

-40至+ 125°C

260°C

VDD + 1.0 V （T

过度

< 50纳秒）

GND - 1.0 V （T

下

< 50纳秒）

过冲/下冲

下

< 50纳秒

Iover

＆ LT ; V

+ 1.0 V

GND

IUNDER

< GND - 1.0 V

输入引脚

过度

< 50纳秒

推荐工作条件

参数

工作环境温度

电源电压（相对于GND测量）

分钟。

-40

+3.0

典型值。

3.3

马克斯。

+85

3.6

单位

°C

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DC电气特性

除非另有说明，否则

VDD = 3.3 V± 0.3 V ，

环境温度-40 + 85°C

参数

工作电压

电源电流

输入高电压

输入低电压

输出高电压

输出低电压

输入电容

符号

VDD

国际直拨电话

条件

无负载，在3.3 V

XIN ， S0 ， S1 ， ENS

CKOUT ，我

= -4毫安

CKOUT ，我

= 4毫安

XIN ， S0 ， S1 ， ENS

CKOUT ， 8.3至66.7

兆赫

分钟。

3.0

VDDx0.8

0.0

2.0

典型值。

3.3

马克斯。

3.6

VDD + 0.3

VDDx0.20

0.4

单位

负载电容

CKOUT ， 66.7 100

兆赫

CKOUT ， 100至133.4

兆赫

输入上拉电阻

ENS

100

240

400

AC电气特性

除非另有说明，否则

VDD = 3.3 V± 0.3 V ，

环境温度-40 + 85°C

参数

输入晶体频率

输入时钟频率

符号

条件

分钟。

16.5

典型值。

马克斯。

33.4

66.7

133.4

16.7

单位

兆赫

V / ns的

CKOUT ，乘以1

(ICS7151-10)

CKOUT ，乘以2

(ICS7151-20)

CKOUT ，乘以4

(ICS7151-40)

CKOUT ， 2频

师（ ICS7151-50 ）

输入时钟的占空比

输出时钟占空比

输出压摆率

DCC

XIN ， 16.5到33.4兆赫

CKOUT ， 1.5 V

CKOUT ， 0.4到2.4伏，

CL = 15 pF的

16.5

33.3

66.6

8.3

0.5

输出频率

OUT

3.0

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