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IRF634
IRF634FP
N沟道250V - 0.38Ω - 8A TO- 220 / TO- 220FP
MESH OVERLAY MOSFET
TYPE
IRF634
IRF634FP
s
s
s
V
DSS
250 V
250 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
I
D
8A
8A
典型
DS
（上） = 0.38
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
3
1
2
1
2
3
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
性能。新专利带布局cou-
PLED与本公司专有的边缘端接
化结构，使得它适合于coverters的
照明应用。
应用
s
大电流，高开关速度
s
SWITH模式电源（ SMPS ）
s
DC- DC转换器，用于电信，
工业，照明设备
s
IDEAL FOR MONITOR的B +功能
TO-220
TO-220FP
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
IRF634
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
-
-65到150
150
(1) I
SD
≤
8A ，二/ dt≤300 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， Tj≤T
JMAX
（*）限定仅由最大允许温度
价值
IRF634FP
250
250
± 20
8
5
32
80
0.64
5
2000
8(*)
5(*)
32(*)
30
0.24
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2001年7月
1/9
IRF634/IRF634FP
热数据
TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.56
62.5
300
TO-220FP
4.11
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
8
300
单位
A
mJ
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±20V
分钟。
250
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4 A
分钟。
2
典型值。
3
0.38
马克斯。
4
0.45
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 4A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
7
典型值。
8
770
118
48
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
IRF634/IRF634FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 125 V，I
D
= 4 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 200V ，我
D
= 8 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
13
18
37
5.2
14.8
51.8
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（ Voff时）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
开启OFF-延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 125V ，我
D
= 4 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
钳
= 200V ，我
D
= 8 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
51
16
12.5
12.5
28
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8 A，V
GS
= 0
I
SD
= 8 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 30V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
198
1.1
11.3
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
8
32
1.7
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
IRF634/IRF634FP
对于TO- 220热阻抗
对于TO- 220FP热阻抗
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
4/9
IRF634/IRF634FP
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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推荐型号
IRG4BC20KD-SPBF
IRFK3F150
IDT49C402BFFB
ISL6524CBZ
IDT74ALVCH16345PA
IXGX12N90C
ICS85314I-01
IDT72V221L10J
IDT72104L50J
ICS843252AG-04LFT
IDT79R3081E-25PFB
IRKLF71-06HJ
IH5017MJD
IDT71V3557S80PFI
ICS2008BVLFT
IDT7164L45PB
IA1205
IDT52ALVCH16823PA
IRKNF152-06EL
IE0303
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF634FP
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
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地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF634FP
ST
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TO-220F
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联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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IRF634FP
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IRF634FP
ST/正品
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IRF634FP
ST/意法
21+22+
62710
TO-220F
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
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IRF634FP
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IRF634FP
ST
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地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
IRF634FP
ST/意法
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地址：中航路新亚洲二期N3D039
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联系人：陈佳隆
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IRF634FP
ST
24+
21000
TO-220F
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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深圳市碧威特网络技术有限公司
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