IRF630S ， SiHF630S
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
43
7.0
23
单身
200
0.40
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
=表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
符合RoHS指令2002/95 / EC
D
D
2
PAK （ TO-263 ）
K
G
D
G
S
S
N沟道MOSFET
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性和功耗最高
在一个典型的表面为2.0W安装应用程序。
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
铅（Pb ） - 免费
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHF630S-GE3
IRF630SPbF
SiHF630S-E3
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHF630STRL-GE3
a
IRF630STRLPbF
a
SiHF630STL-E3
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHF630STRR-GE3
a
IRF630STRRPbF
a
SiHF630STR-E3
a
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
200
± 20
9.0
5.7
36
0.59
0.025
250
9.0
7.4
74
3.0
5.0
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
A
单位
V
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
dv / dt的
V / ns的
文档编号： 91032
S11-1047 -REV 。 C， 30日， 11
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绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
符号
T
J
, T
英镑
极限
- 55至+ 150
300
d
单位
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 4.6 mH的，R
g
= 25
,
I
AS
= 9.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
9.0 A， di / dt的
120 A / μs的，V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
.
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装）
c
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
40
62
1.7
° C / W
单位
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0, I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 160V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.4 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 5.4 A
b
200
-
2.0
-
-
-
-
3.8
-
0.24
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.40
-
V
V /°C的
V
nA
μA
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
I
D
= 5.9 A，V
DS
= 160 V
参见图。 6和13
b
-
-
-
-
-
-
-
800
240
76
-
-
-
9.4
28
39
20
4.5
7.5
-
-
-
43
7.0
23
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
V
DD
= 100 V，I
D
= 5.9 A
R
g
= 12
,
R
D
= 16
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
S
G
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特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
170
1.1
9.0
A
36
2.0
340
2.2
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 9.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.9 A,
的di / dt = 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
300微秒;占空比
2 %.
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
I
D
，漏电流（ A）
10
1
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部4.5 V
顶部
10
1
V
GS
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部4.5 V
顶部
4.5 V
10
0
4.5 V
20 μs的脉冲宽度
T
C
=
25 °C
10
0
10
1
10
0
10
-1
10
-1
91032_01
10
-1
10
-1
91032_02
20 μs的脉冲宽度
T
C
=
150 °C
10
0
10
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS ，
漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
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1600
I
D
，漏电流（ A）
10
1
150
°
C
电容（pF）
1200
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
国际空间站
800
10
0
25
°
C
C
OSS
400
C
RSS
0
10
0
10
1
10
-1
4
91032_03
20 μs的脉冲宽度
V
DS
=
50 V
5
6
7
8
9
10
91032_05
V
GS ，
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS ，
漏极至源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
= 5.9 A
V
GS
= 10 V
20
I
D
= 5.9 A
V
DS
= 160 V
V
DS
= 100 V
16
12
V
DS
= 40 V
8
4
测试电路
见图13
0.0
- 60 - 40 - 20 0
0
20 40 60 80 100 120 140 160
91032_06
0
10
20
30
40
50
91032_04
T
J,
结温（ ° C）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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I
SD
，反向漏电流（ A）
150
°
C
I
D
，漏电流（ A）
10
1
8
6
4
25
°
C
10
0
2
V
GS
= 0 V
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
91032_09
0
25
50
75
100
125
150
91032_07
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
V
DS
V
GS
10
3
5
2
R
D
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
R
g
D.U.T.
+
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
10
2
5
2
10 V
10
s
100
s
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
10
5
2
图。 10A - 开关时间测试电路
1
ms
10
ms
T
C
= 25
°C
T
J
= 150
°C
单脉冲
0.1
2
5
1
5
2
V
DS
90 %
0.1
1
2
5
10
2
5
10
2
2
5
10
3
2
5
10
4
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
91032_08
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 8 - 最高安全工作区
图。 10B - 开关时间波形
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