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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第410页 > IXTA62N15P
PolarHT
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTA 62N15P
IXTP 62N15P
IXTQ 62N15P
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 150 V
= 62 A
≤
40 m
TO- 263 （ IXTA ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
Md
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料机身10秒
安装力矩
（ TO-3P / TO-220 ）
TO-3P
TO-220
TO-263
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25 ℃175 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 10
T
C
= 25° C
最大额定值
150
150
±20
±30
62
150
50
30
1.0
10
350
-55 ... +175
175
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
G
D
S
D =漏
TAB =漏
（ TAB ）
G
S
（ TAB ）
G
S
（ TAB ）
的TO-220 （ IXTP ）
TO-3P （ IXTQ ）
300
°C
2600
°
C
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
5.5
4
3
g
g
g
G =门
S =源
特点
l
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 150° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
150
3.0
5.5
±100
25
250
33
40
V
V
nA
A
A
m
l
l
国际标准封装
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
l
l
l
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
易于安装
节省空间
高功率密度
2006 IXYS所有权利
DS99154E(12/05)
IXTA 62N15P IXTP 62N15P
IXTQ 62N15P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。
典型值。
马克斯。
14
24
2250
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
660
185
27
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 10
（外部）
38
76
35
70
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
20
38
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42°C/W
(TO-3P)
(TO-220)
0.21
0.25
° C / W
° C / W
TO- 3P （ IXTQ ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。
典型值。
马克斯。
62
150
1.5
150
2.0
A
A
V
ns
C
TO- 220 （ IXTP ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100 V, V
GS
= 0 V
TO- 263 （ IXTA ）大纲
销： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXTA 62N15P IXTP 62N15P
IXTQ 62N15P
图。 1.输出特性
@ 25
C
60
50
V
GS
= 10V
110
100
90
9V
80
V
GS
= 10V
9V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
40
8V
30
20
7V
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
6V
I
D
- 安培
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
7V
6V
8V
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150
C
2.8
60
50
V
GS
= 10V
9V
2.6
2.4
V
GS
= 10V
V
S
- 伏特
图。 4.
DS （上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
R
S（O N）
- 归
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I
D
= 31A
I
D
= 62A
I
D
- 安培
40
30
20
8V
7V
6V
10
5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
S
- 伏特
图。 5.
DS （ ON）
规范alized到
4
3.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
0.5 I
D25
价值与我
D
T
J
= 175C
70
60
50
R
S（O N）
- 归
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
20
40
60
V
GS
= 15V
V
GS
= 10V
I
D
- 安培
40
30
20
10
0
T
J
= 25C
I
D
- 安培
80
100
120
140
160
180
-50
-25
0
T
C
- 摄氏
25
50
75
100
125
150
175
2006 IXYS所有权利
IXTA 62N15P IXTP 62N15P
IXTQ 62N15P
图。 7.输入上将ittance
120
105
90
75
60
45
30
15
0
5
6
7
8
9
1
0
1
1
36
32
28
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
24
20
16
12
8
4
0
0
15
30
45
60
75
90
T
J
= -40C
25C
150C
T
J
= 150C
25C
-40C
105 120 135 150
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
180
10
9
150
8
7
V
DS
= 75V
I
D
= 31A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
120
V
的s
- 伏特
T
J
= 150C
T
J
= 25C
6
5
4
3
2
1
0
90
60
30
0
0.4
0.6
0.8
V
S.D。
- 伏特
1
1.2
1.4
1.6
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
1000
T
J
= 175C
国际空间站
R
DS （ ON）
极限
T
C
= 25C
图。 11.电容
10000
F = 1MHz的
电容 - 皮法
I
D
- 安培
100
25s
100s
1ms
1000
OSS
10
RSS
DC
10ms
100
0
5
10
15
1
V
S
- 伏特
20
25
30
35
40
1
10
V
S
- 伏特
100
1000
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXTA 62N15P IXTP 62N15P
IXTQ 62N15P
图。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱，再s是tance
0.45
0.40
0.35
R
T H， J·C
-
C / W
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
1
10
100
1000
浦LS东西ID日 - 米illis权证 N D s
2006 IXYS所有权利
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IR2110STRPBF
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