【PD - 95476BIRF5806PbFlllllll超低导通电阻P沟道MOSFET表面贴装可在磁】,IC型号IRF5806TRPBF,IRF5806TRPBF PDF资料,IRF5806TRPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 95476B

IRF5806PbF

超低导通电阻

P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

低栅电荷

LEAD -FREE

无卤

HEXFET

功率MOSFET

DSS

-20V

DS （ ON）

最大

86m

= -4.5V

147m

= -2.5V

4.0A

3.0A

描述

从国际整流器这些P沟道MOSFET

利用先进的加工技术，实现了

极低的导通电阻每硅片面积。这

效益为设计者提供了一个非常有效的

装置，用于在电池和负载管理使用

应用程序。

该TSOP - 6封装，其引脚框定制

产生HEXFET

功率MOSFET为R

DS （ ON）

60 ％不到同样大小的SOT- 23 。这个包是

其中，印刷电路板空间应用的理想选择

是十分宝贵的。它独特的散热设计和R

DS （ ON）

能减少将近电流处理增加

300％相比， SOT-23 。

顶视图

TSOP-6

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

, T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

-4.0

-3.3

-16.5

2.0

1.3

0.02

± 20

-55到+ 150

单位

W / ℃，

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境

马克斯。

62.5

单位

° C / W

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04/20/10

IRF5806PbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

分钟。

-20

–––

-0.45

6.4

–––

典型值。

–––

0.011

47.1

67.5

–––

8.3

1.2

2.6

6.2

126

594

114

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= -1mA

= -4.5V ，我

= -4.0A

147

= -2.5V ，我

= -3.0A

-1.2

= V

, I

= -250A

–––

= -10V ，我

= -4.0A

-15

= -16V, V

= 0V

-25

= -16V, V

= 0V ，T

= 70°C

-100

= -12V

100

= 12V

11.4

= -4.0A

–––

= -16V

–––

= -4.5V

9.3

= -10V, V

= -4.5V

= -1.0A

140

= 6.0

190

= 10

–––

= 0V

–––

= -15V

–––

= 1.0MHz的

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

116

-2.0

-16.5

-1.2

174

135

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= -2.0A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= -2.0A

的di / dt = -100A / μs的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

当安装在1平方英寸的铜电路板，

≤

10sec.

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

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IRF5806PbF

100

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

-7.5V

-5.0V

-4.5V

-3.5V

-3.0V

-2.7V

-2.0V

BOTTOM -1.5V

VGS

-7.5V

-5.0V

-4.5V

-3.5V

-3.0V

-2.7V

-2.0V

BOTTOM -1.5V

顶部

-1.50V

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150

100

-V

，漏极至源极电压（ V）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= -4.0A

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

= 25

1.0

= 150

0.5

1.0

V DS = -15V

20μs的脉冲宽度

1.5

2.0

2.5

3.0

-V

，栅 - 源极电压（ V）

0.0

-60 -40 -20

= -4.5V

80 100 120 140 160

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRF5806PbF

1000

-V

，栅 - 源极电压（ V）

800

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

-4.0A

=-16V

C，电容（pF ）

600

西塞

400

200

科斯

CRSS

100

-V

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

-I

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

，漏电流（ A）

10us

100us

= 150

1ms

10ms

= 25

= 0 V

0.6

1.0

1.4

0.1

0.2

0.1

= 25 ° C

= 150 ° C

单脉冲

100

-V

，源极到漏极电压（V ）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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IRF5806PbF

5.0

4.0

D.U.T.

-I

，漏电流（ A）

3.0

2.0

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

1.0

D（上）

D（关闭）

0.0

100

125

150

10%

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

90%

图10B 。

开关时间波形

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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TSOP-6

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SOT23-6

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2019

36000

SOT23-6

原装正品钻石品质假一赔十

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24+

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TSOP-6

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