【PD - 91341BIRF540NHEXFET功率MOSFETllllll先进的工艺技术超低导通电】,IC型号IRF540N,IRF540N PDF资料,IRF540N经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 91341B

IRF540N

HEXFET

功率MOSFET

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

D

V

DSS

= 100V

R

DS （ ON）

= 44m

G

S

I

D

= 33A

描述

先进的HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

的TO- 220贡献电阻和低封装成本

在整个行业中的广泛接受。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

33

23

110

130

0.87

± 20

16

13

7.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

1.15

–––

62

单位

° C / W

www.irf.com

1

03/13/01

IRF540N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

E

AS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

单脉冲雪崩能量

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

100 ––– –––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- 0.12 --- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

––– ––– 44

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 16A

2.0

––– 4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

21

––– –––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 16A

––– ––– 25

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

––– ––– 250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

––– ––– 100

V

GS

= 20V

nA

––– ––– -100

V

GS

= -20V

––– ––– 71

I

D

= 16A

––– ––– 14

nC

V

DS

= 80V

––– –––

21

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

11 –––

V

DD

= 50V

–––

35 –––

I

D

= 16A

ns

–––

39 –––

R

G

= 5.1

–––

35 –––

V

GS

= 10V ，参照图10

铅之间，

4.5 –––

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

7.5 –––

而中心的模具接触

––– 1960 –––

V

GS

= 0V

––– 250 –––

V

DS

= 25V

–––

40 –––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

--- 700 ？ 185 ？兆焦耳我

AS

= 16A ，L = 1.5mH

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

33

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 110

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.2

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 16A ，V

GS

= 0V

––– 115 170

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 16A

––– 505 760

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤ 16A,

的di / dt

≤

340A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

起始物为

J

= 25℃时，L = 1.5mH

R

G

= 25, I

AS

= 16A 。（参见图12）

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

这是在破坏设备的典型值，代表

操作之外的额定范围。

这是限定至T的计算值

J

= 175°C .

2

www.irf.com

IRF540N

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

4.5V

10

4.5V

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T = 25℃

J

°

1

10

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T = 175℃

J

°

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.5

I

D

= 33A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

3.0

2.5

T

J

= 25

°

C

2.0

1.5

100

T

J

= 175

°

C

1.0

10

4.0

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

7.0

8.0

5.0

6.0

9.0

0.5

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF540N

3000

2500

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 16A

16

C，电容（pF ）

2000

C

国际空间站

V

DS

= 80V

V

DS

= 50V

V

DS

= 20V

12

1500

8

1000

C

OSS

500

4

C

RSS

0

1

10

100

0

20

测试电路

见图13

60

40

80

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

100

T

J

= 175

°

C

10

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

100sec

1msec

T

J

= 25

°

C

1

T A = 25°C

T J = 175℃

单脉冲

10msec

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.6

1.0

1.4

1.8

0.1

1

10

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF540N

35

V

DS

30

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

25

-

V

DD

20

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

15

10

5

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.0001

0.001

0.01

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.1

1

P

DM

t

1

t

2

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5

IRF540N

TM

数据表

2000年3月

网络文件编号

4842

33A ， 100V ， 0.040 Ohm的N通道功率MOSFET

包装

JEDEC TO- 220AB

来源

漏

门

特点

超低导通电阻

- r

DS （ ON）

= 0.040,

V

GS

=

10V

仿真模型

- 温度补偿的PSpice和SABER

电气模型

- 香料和SABER

热阻抗模型

- www.intersil.com

峰值电流与脉冲宽度曲线

UIS额定值曲线

漏

（法兰）

符号

D

订购信息

产品型号

IRF540N

G

包

TO-220AB

BRAND

IRF540N

S

绝对最大额定值

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

IRF540N

单位

V

A

100

±20

33

23

图4

图6，图14 ， 15

120

0.80

-55至175

300

260

W

W/

o

C

o

C

o

C

o

C

漏源极电压（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DSS

漏极至栅极电压（R

GS

= 20kΩ时）（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DGR

门源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

GS

漏电流

连续（T

C

= 25

o

C，V

GS

= 10V ）（图2）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

D

连续（T

C

= 100

o

C，V

GS

= 10V ）（图2）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

D

漏电流脉冲。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .I

DM

脉冲雪崩额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .UIS

功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 P

D

减免上述25

o

C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

工作和存储温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

J

, T

英镑

最高温度焊接

信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .T

L

包体为10S ，见Techbrief TB334 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

PKG

注意事项：

1. T

J

= 25

o

C至150

o

C.

注意事项：

应力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

1

注意：这些器件对静电放电敏感。遵循正确的ESD处理程序。

SABER 是类比公司的PSpice一个版权是是MicroSim公司的注册商标。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

|

Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。

|

版权

Intersil公司2000

IRF540N

电气连接特定的阳离子

参数

OFF状态规格

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

BV

DSS

I

DSS

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V （图11）

V

DS

= 95V, V

GS

= 0V

V

DS

= 90V, V

GS

= 0V ，T

C

= 150

o

C

门源漏电流

ON状态规格

门源阈值电压

漏极至源极导通电阻

热规格

热阻结到外壳

热阻结到

环境

R

θJC

R

θJA

TO-220

-

1.25

62

o

C / W

o

C / W

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

100

-

1

250

±100

V

A

nA

I

GSS

V

GS

=

±20V

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250μA （图10）

I

D

= 33A ，V

GS

= 10V （图9）

2

-

0.033

4

0.040

V

交换特定网络阳离子

(V

GS

= 10V)

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

栅极电荷规格

总栅极电荷

栅极电荷，在10V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅漏"Miller"费

电容规格

输入电容

输出电容

反向传输电容

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

（图12）

-

1220

295

100

-

pF

Q

G（ TOT ）

Q

g(10)

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gd

V

GS

= 0V至20V

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至2V

V

DD

= 50V,

I

D

= 33A,

I

G（ REF ）

= 1.0毫安

（图13 ，16， 17）的

-

66

35

2.4

5.4

13

79

42

2.9

-

nC

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

V

DD

= 50V ，我

D

= 33A

V

GS

=

10V,

R

GS

= 9.1

（图18,19 ）

-

9.5

57

40

55

-

100

-

145

ns

源极到漏极二极管特定网络阳离子

参数

源极到漏极二极管电压

符号

V

SD

I

SD

= 33A

I

SD

= 17A

反向恢复时间

反向恢复电荷

t

rr

Q

RR

I

SD

= 33A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

I

SD

= 33A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

测试条件

民

-

典型值

-

最大

1.25

1.00

112

400

单位

V

ns

nC

2

IRF540N

典型性能曲线

1.2

功耗乘法器

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

40

I

D

，漏电流（ A）

30

V

GS

= 10V

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

图1.归功耗与

外壳温度

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

2

1

热阻抗

Z

θJC

归一化

占空比 - 降序排列

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

0.1

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

C

10

-3

10

-2

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

10

-1

10

0

10

1

单脉冲

0.01

10

-5

10

-4

图3.归一化最大瞬态热阻抗

600

T

C

= 25

o

C

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

I = I

25

100

V

GS

= 10V

175 - T

C

150

I

DM

峰值电流（ A）

跨

可能限流

在这个区域

20

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

T，脉冲宽度（ S）

10

-1

10

0

10

1

图4.峰值电流容量

3

IRF540N

典型性能曲线

300

单脉冲

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

（续）

200

I

AS

，雪崩电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

100

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

100s

10

起始物为

J

= 25

o

C

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

起始物为

J

= 150

o

C

1ms

10ms

1

10

100

300

V

DS

，漏源极电压（ V）

10

0.001

0.01

0.1

1

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。

图6.松开电感式开关

能力

图5.正向偏置安全工作区

60

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= 15V

40

60

V

GS

= 20V

V

GS

= 10V

V

GS

= 7V

V

GS

= 6V

I

D,

漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

40

V

GS

=5V

T

J

= 175

o

C

20

T

J

= -55

o

C

T

J

= 25

o

C

0

2

3

4

5

V

GS

，门源电压（ V）

6

20

0

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

T

C

= 25

o

C

0

1

2

3

V

DS

，漏源极电压（ V）

4

图7.传热特性

图8.饱和特性

3.0

归一漏极至源极

抗性

脉冲的持续时间 -

80s

占空比= 0.5 ％ MAX

2.5

V

GS

= 10V ，我

D

= 33A

归一化门

阈值电压

1.2

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

1.0

2.0

1.5

0.8

1.0

0.6

-80

-40

160

0

40

80

120

T

J

，结温（

o

C)

200

-80

-40

0

40

80

120

160

200

T

J

，结温（

o

C)

0.5

图9.归一漏极至源极ON

电阻与结温

图10.归一化栅极阈值电压Vs

结温

4

IRF540N

典型性能曲线

1.2

归一漏极至源极

击穿电压

（续）

4000

I

D

= 250A

C，电容（pF ）

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

1000

1.1

C

国际空间站

=

C

GS

+ C

GD

C

OSS

C

DS

+ C

GD

1.0

100

C

RSS

=

C

GD

0.9

-80

-40

0

40

80

120

160

200

T

J

，结温（

o

C)

20

0.1

1.0

10

100

V

DS

，漏源极电压（ V）

图11.归一漏极至源极击穿

电压Vs结温

10

V

GS

，门源电压（ V）

图12.电容VS漏源极电压

V

DD

= 50V

8

6

4

任意波形

降序排列：

I

D

= 33A

I

D

= 17A

0

10

20

30

Q

g

，栅极电荷（ NC）

40

2

0

注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。

图13.栅极电荷波形恒定的栅极电流

5