CMOS异步FIFO与
重发
1K ×9 ， 2K ×9 ， 4K ×9
集成设备技术有限公司
IDT72021
IDT72031
IDT72041
产品特点：
先入/先出双端口存储器
位组织
- IDT72021-1K ×9
- IDT72031-2K ×9
- IDT72041-4K ×9
超高速
- IDT72021-25ns访问时间
- IDT72031-35ns访问时间
- IDT72041-35ns访问时间
在Word的深度和/或宽度可轻松扩展
异步和同步读写
功能相当于IDT7202 / 03/ 04以及输出
启用（
OE
）和几乎空/几乎满标志（
AEF
)
四个状态标志：满，空，半满（单个设备
模式） ，和几乎空/几乎满（ 7/8空或7/8
全单设备模式）
输出使能控制数据输出端口
自动重发功能
提供32引脚DIP和PLCC
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
工业级温度范围（ -40
o
C至+ 85
o
C）是无济于事
能，测试军事电气规范
描述：
IDT72021 / 031 / 041s的高速，低功耗，双端口
俗称的FIFO （先入/第一 - 存储器装置
出） 。数据可被写入和从存储器读出
独立的利率。信息的顺序存储和EX-
取反不发生变化，但数据速率输入的FIFO
可能比速率离开该FIFO的不同。不像
静态RAM ，地址信息是必需的，因为
读写指针依次提前。该IDT72021 /
031 / 041s可以执行异步和同步读
操作和写操作。有四个状态标志（
HF
,
FF
,
EF
,
AEF
）监测数据溢出和下溢。输出使能
(
OE
）提供通过输出控制数据的流动
端口。其他主要特点是写（
W
） ，阅读（
R
） ，重新传
麻省理工学院（
RT
） ，第一负载（
FL
） ，扩展（
XI
），并扩展出
(
XO
） 。该IDT72021 / 031 / 041s被设计用于那些应用程序
需要数据控制标志和输出使能阳离子（
OE
）在
多处理和高速缓冲存储器的应用。
该IDT72021 / 031 / 041s使用IDT的CMOS制造
技术。军工级产品的制造并发症
与ANCE最新版本的MIL -STD- 883 ， B级，适用于高
可靠性系统。
功能框图
数据输入
(D
0
–D
8
)
W
写
控制
1
2
写
指针
1024/
2048/
4096
三
状态
缓冲器
内存
ARRAY
1024 x 9
2048 x 9
4096 x 9
读
指针
OE
RESET
逻辑
RS
FL / RT
R
读
控制
旗
逻辑
扩张
逻辑
数据输出
(Q
0
–Q
8
)
EF
FF
AEF
XI
XO / HF
2677 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
FAST是美国国家半导体公司的商标。
军用和商用温度范围
1996
集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年12月
DSC-2677/7
5.09
1
IDT72021 ， IDT72031 ， IDT72041
CMOS异步FIFO与重传1K ×9 ， 2K ×9 ， 4K ×9
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
V
CC
D
3
D
8
D
5
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
D32-1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
D
4
D
5
D
6
D
7
W
指数
V
CC
D
4
W
D
8
D
3
D
2
4 3 2
D
2
D
1
D
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
D
6
D
7
D
1
D
0
XI
AEF
FF
Q
0
Q
1
Q
2
J32-1
FL
/
RT
RS
OE
EF
XO
/
HF
Q
7
Q
6
XI
AEF
FF
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
FL
/
RT
RS
OE
EF
XO
/
HF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
14 15 16 17 18 19 20
R
GND
2677 DRW 02
Q
3
Q
8
GND
GND
Q
4
Q
5
R
GND
2677 DRW 03
PLCC顶视图
DIP顶视图
引脚说明
符号
D
0
–D
8
名字
输入
RESET
I / O
I
I
数据输入9位宽度的数据。
当
RS
被设置为低，内部读和写指针被设置为RAM的第一位置
数组。
HF
和
FF
变为高电平，并且
AEF
和
EF
变低。最初的写操作之前，需要进行重置
上电后。
R
和
W
必须在高
RS
周期。
当写为低时，数据可被写入RAM阵列顺序的，独立的
READ 。为了写活跃，
FF
必须为高电平。当FIFO已满（
FF
-LOW ）
在内部写操作被阻塞。
当读为低电平时，数据可以从RAM阵列的顺序读取，独立
WRITE 。为了读取被激活，
EF
必须为高电平。当FIFO是空的（
EF
-LOW ）
内部的读操作将被阻止。三态输出缓冲器被读出的控制
信号和外部输出控制
（ OE
).
描述
RS
W
R
FL
/
RT
写
I
读
I
首先加载/
重发
I
这是一个双重目的的输入。在单个设备的配置（
XI
接地） ，激活
重传（
FL
/
RT
-LOW ）将内部读指针设定在第一位置。有没有效果
在写指针。
R
和
W
必须设置前高
FL
/
RT
低。重发不
随着深度的扩展兼容。在深度扩展配置，
FL
/
RT
-LOW指示
第一激活的装置。
在单个设备的配置，
XI
被接地。在深度扩展或菊花链的扩张，
XI
被连接到
XO
以前的设备（扩展出） 。
XI
OE
扩张
OUTPUT ENABLE
I
I
当
OE
设为高电平时，通过三态输出缓冲器中的数据流被抑制，无论
一个有效的读操作。的读操作确实增加在这种情况下，读指针。
当
OE
置为低电平，Q
0
-Q
8
仍处于高阻抗状态，如果没有发生读取。为
与上出现的Q数据的完整读操作
0
-Q
8
，这两个
R
和
OE
要断言
低。
当
FF
变为低电平时，器件的全面和进一步的写操作被禁止。当
FF
为高电平时，该装置是不完整的。
当
EF
变为低电平，该装置是空的，并进一步读操作被禁止。当
EF
为高电平时，该装置不空。
当
AEF
为低电平时，器件是空至1/8满或7/8至全满。当
AEF
高，
该装置是大于1/8满，但小于7/8满。
FF
EF
AEF
XO
/
HF
满标志
空标志
几乎空/
几乎满标志
扩展输出/
半满标志
O
O
O
O
这是一个双重目的的输出。在单个设备的配置（
XI
接地） ，该装置是
超过一半满时
HF
为LOW 。在深度扩展配置（
XO
连接到
XI
下一个设备）的一个脉冲，从发送
XO
to
XI
当RAM阵列中的最后一个单元是
科幻LLED 。
数据输出为9位宽度的数据。
2677 TBL 01
Q
0
–Q
8
输出
O
5.09
2
IDT72021 ， IDT72031 ， IDT72041
CMOS异步FIFO与重传1K ×9 ， 2K ×9 ， 4K ×9
军用和商用温度范围
状态标志
词FIFO数
1K
0
1-127
128-512
513-896
897-1023
1024
2K
0
1-255
256-1024
1025-1792
1793-2047
2048
4K
0
1-511
512-2048
2049-3584
3585-4095
4096
电容
(T
A
= + 25°C ， F = 1.0兆赫）
FF AEF HF
H
H
H
H
H
L
L
L
H
H
L
L
H
H
H
L
L
L
EF
L
H
H
H
H
H
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
2677 TBL 03
注意：
1.这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
建议的直流
工作条件
符号
V
CCM
参数
军事供应
电压
广告
电源电压
电源电压
输入高电压
广告
输入高电压
军事
输入低电压
商业和
军事
分钟。
4.5
4.5
0
2.0
2.2
—
典型值。
5.0
5.0
0
—
—
—
马克斯。
5.5
5.5
0
—
—
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
2677 TBL升02
绝对最大额定值
符号
等级
V
TERM
端电压
对于
到GND
T
A
操作
温度
T
BIAS
温度
在偏置
T
英镑
存储
温度
I
OUT
DC输出
当前
(1)
Com'l 。
米尔。
单位
-0.5到+7.0 -0.5到+7.0 V
V
CCC
GND
V
IH
0至+70
-55到+125
°C
°C
°C
mA
V
IH
V
IL(1)
-55到+125 -65到+135
-55到+125 -65到155
50
50
注意：
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
2677 TBL 05
注意：
2677 TBL 04
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响可靠性。
5.09
3
IDT72021 ， IDT72031 ， IDT72041
CMOS异步FIFO与重传1K ×9 ， 2K ×9 ， 4K ×9
军用和商用温度范围
DC电气特性 - IDT72021
（商业： V
CC
= 5.0V ± 10％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;军事： V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
IDT72021
广告
t
A
=25,35ns
符号
I
LI(1)
I
LO(2)
V
OH
V
OL
I
CC1(3,4)
I
CC2(3)
I
CC3(3)
参数
输入漏电流
（任何输入）
输出漏电流
输出逻辑“ 1 ”电压
I
OH
= -2mA
输出逻辑“ 0 ”电压
I
OL
= 8毫安
有源电力供应
当前
待机电流
(
R
=
W
=
RS
=
FL
/
RT
= V
IH
)
掉电电流
（所有输入= V
CC
– 0.2V)
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
120
12
500
IDT72021
军事
t
A
=30,40ns
分钟。
–10
–10
2.4
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
10
10
—
0.4
140
20
900
–1
–10
2.4
—
—
—
—
IDT72021
广告
t
A
=50ns
分钟。
典型值。
—
—
—
—
50
5
—
马克斯。
1
10
—
0.4
80
8
500
–10
–10
2.4
—
—
—
—
IDT72021
军事
t
A
=50ns
分钟。
典型值。马克斯。
—
—
—
—
70
8
—
10
10
—
0.4
100
15
900
单位
A
A
V
V
mA
mA
A
2677 TBL 06
DC电气特性 - IDT72031 ， IDT72041
（商业： V
CC
= 5.0V ± 10％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;军事： V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
IDT72031
IDT72041
广告
t
A
=35,50ns
符号
I
LI(1)
I
LO(2)
V
OH
V
OL
I
CC1(3,5)
I
CC2(3)
I
CC3(3)
参数
输入漏电流（任何输入）
输出漏电流
输出逻辑“ 1 ”电压I
OUT
= -2mA
输出逻辑“ 0 ”电压I
OUT
= 8毫安
有源电源电流
待机电流（
R
=
W
=
RS
=
FL
/
RT
= V
IH
)
掉电电流（所有输入= V
CC
– 0.2V)
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
75
8
—
马克斯。
1
10
—
0.4
120
12
2
IDT72031
IDT72041
军事
t
A
=40,50ns
分钟。
–10
–10
2.4
—
—
—
—
典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
100
12
—
10
10
—
0.4
150
25
4
A
A
V
V
mA
mA
mA
2677 TBL 07
注意事项：
1.测量0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
2.
R
≥
V
IH
, 0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC
.
3. I
CC
测量是用
OE
= HIGH 。
4.测试在f = 20MHz的。
5.测试在f = 15.3兆赫。
5.09
4
IDT72021 ， IDT72031 ， IDT72041
CMOS异步FIFO与重传1K ×9 ， 2K ×9 ， 4K ×9
军用和商用温度范围
AC电气特性 - IDT72021
(1)
（商业： V
CC
= 5.0V ± 10％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;军事： V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
Com'l
72021L25
符号
f
S
t
RC
t
A
t
RR
t
乡郊小工程
t
RLZ
t
WLZ
t
DV
t
RHZ
t
WC
t
预激
t
WR
t
DS
t
DH
t
RSC
t
RS
t
RSS
t
RSR
t
RTC
t
RT
t
RTR
t
RSF1
t
RSF2
t
REF
t
RFF
t
RPE
t
世界经济论坛
t
WFF
t
WHF
t
RHF
t
WPF
t
RF
t
WF
t
OEHZ
t
OELZ
t
AOE
参数
移频
分钟。马克斯。
—
35
—
10
25
5
5
5
—
35
25
10
15
0
35
25
25
10
35
25
10
—
—
—
—
25
—
—
—
—
25
—
—
0
0
—
28.5
—
25
—
—
—
—
—
18
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
35
25
25
—
25
25
35
35
—
35
35
12
12
15
米尔。
72021L30
分钟。
—
40
—
10
30
5
5
5
—
40
30
10
18
0
40
30
30
10
40
30
10
—
—
—
—
30
—
—
—
—
30
—
—
0
0
—
马克斯。
25
—
30
—
—
—
—
—
20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
40
30
30
—
30
30
40
40
—
40
40
15
15
18
Com'l
72021L35
分钟。
—
45
—
10
35
5
5
5
—
45
35
10
18
0
45
35
35
10
45
35
10
—
—
—
—
35
—
—
—
—
35
—
—
0
0
—
马克斯。
22.2
—
35
—
—
—
—
—
20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
45
45
30
30
—
30
30
45
45
—
45
45
17
17
20
米尔。
72021L40
分钟。
—
50
—
10
40
5
5
5
—
50
40
10
20
0
50
40
40
10
50
40
10
—
—
—
—
40
—
—
—
—
40
—
—
0
0
—
马克斯。
20
—
40
—
—
—
—
—
25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
35
35
—
35
35
50
50
—
50
50
20
20
25
Com'l &米尔。
72021L50
分钟。马克斯。单位
—
65
—
15
50
10
5
5
—
65
50
15
30
5
65
50
50
15
65
50
15
—
—
—
—
50
—
—
—
—
50
—
—
0
0
—
15
—
50
—
—
—
—
—
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
65
65
45
45
—
45
45
65
65
—
65
65
25
25
30
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2677 TBL 08
R
周期
存取时间
R
恢复时间
R
脉冲宽度
(2)
R
脉冲低到数据总线的低-Z
(3)
W
脉冲高电平到数据总线的低-Z
(3,4)
数据有效期从
R
脉冲高
R
脉冲高电平到数据总线的高Z
(3)
W
周期
W
脉冲宽度
(2)
W
恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
RS
周期
RS
脉冲宽度
(2)
RS
建立时间
RS
恢复时间
RT
周期
RT
脉冲宽度
(2)
RT
恢复时间
RS
to
EF
和
AEF
低
RS
to
HF
和
FF
高
R
低
EF
低
R
高
FF
高
R
脉冲宽度后
EF
高
W
高
EF
高
W
低
EF
低
W
低
HF
低
R
高
HF
高
W
脉冲宽度后
FF
高
R
HIGH到过渡
AEF
W
低到过渡
AEF
OE
高来高-Z （禁用）
(3)
OE
低到低Z（使能）
(3)
OE
低数据有效（Q
0
–Q
8
)
注意事项：
1.计时在AC测试条件引用。
2.脉冲宽度小于最小值是不允许的。
3.价值由设计保证，目前尚未进行测试。
4.仅适用于读取数据的流通方式。
5.09
5
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