半导体
IRF510 ， IRF511 ，
IRF512 ， IRF513
4.9A ， 5.6A和， 80V和100V ， 0.54和0.74欧姆，
N沟道功率MOSFET
描述
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关转换
器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高功率
双极开关晶体管需要高速和低
栅极驱动电源。这些类型可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA17441 。
1998年1月
特点
4.9A ， 5.6A和， 80V和100V
r
DS （ ON）
= 0.54Ω和0.74Ω
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
IRF510
IRF511
IRF512
IRF513
包
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
IRF510
IRF511
IRF512
IRF513
G
S
注：订购时，包括整个零件编号。
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1573.2
5-1
IRF510 ， IRF511 ， IRF512 ， IRF513
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRF510
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
=
20k)
（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息从25ase 10秒0.063in （ 1.6毫米） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
100
100
5.6
4
20
±20
43
0.29
19
-55至175
300
260
IRF511
80
80
5.6
4
20
±20
43
0.29
19
-55至175
300
260
IRF512
100
100
4.9
3.4
18
±20
43
0.29
19
-55至175
300
260
IRF513
80
80
4.9
3.4
18
±20
43
0.29
19
-55至175
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA ， （图10）
100
80
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V牛逼
J
= 150
o
C
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
25
250
V
V
V
A
A
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
IRF510 IRF512
IRF511 ， IRF513
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
IRF510 ， IRF511
IRF512 ， IRF513
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
IRF510 ， IRF511
IRF512 ， IRF513
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
I
D（上）
V
DS
＆ GT ;我
D（ ON ）×
r
DS （ ON）最大值，
V
GS
= 10V,
（图7）
5.6
4.9
-
-
-
-
-
±100
A
A
nA
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±20V
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.4A ， （图8,9 ）
-
-
-
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.6A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
,
I
G（ REF ）
= 1.5毫安（图14 ， 19 ， 20 ）
栅极电荷基本上是独立的
工作温度
V
GS
= 50V ，我
D
= 3.4A ， （图12）
I
D
≈
5.6A ，R
GS
= 24Ω ，V = 50V ，R
L
= 9
DD
V
DD
= 50V, V
GS
= 10V， （图17,18 ）
MOSFET开关时间基本上是
独立工作温度
1.3
-
-
-
-
-
0.4
0.5
2.0
8
25
15
12
5.0
0.54
0.74
-
11
36
21
21
7.7
S
ns
ns
ns
ns
nC
-
-
2.0
3.0
-
-
nC
nC
5-2
IRF510 ， IRF511 ， IRF512 ， IRF513
电气连接特定的阳离子
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从
联系螺丝上标签
以模具中心
测量从
漏极引线的6mm
（ 0.25英寸），从包
以模具中心
内部源极电感
L
S
测量从
来源铅的6mm
（ 0.25英寸）从包头到
来源粘合垫
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
G
L
S
S
测试条件
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的， （图11）
民
-
-
-
-
典型值
135
80
20
3.5
最大
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
nH
-
4.5
-
nH
-
7.5
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
3.5
80
o
C / W
o
C / W
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体反转
P-N结二极管
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
5.6
20
单位
A
A
G
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 5.6A ，V
GS
= 0V （图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 5.6A ，二
SD
/d
t
= 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 5.6A ，二
SD
/d
t
= 100A / μs的
-
4.6
0.17
-
96
0.4
2.5
200
0.83
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 25V ，启动T
J
= 25
o
C，L = 910μH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 5.6A （见图15,16） 。
5-3
IRF510 ， IRF511 ， IRF512 ， IRF513
典型性能曲线
除非另有规定编
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
10
I
D,
漏电流（ A）
8
6
IRF510 ， IRF511
4
IRF512 ， IRF513
2
0
125
50
75
100
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
25
50
75
100
125
150
175
T
C,
外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
外壳温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
10
热阻抗（
o
C / W ）
Z
θ
JC
，瞬态
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
+ T
C
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
0.1
1
10
t
1
t
2
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.最大瞬态热阻抗
100
I
D
，漏电流（ A）
10s
100s
10 IRF512 ， 3
IRF510 ， 1
IRF512.3
I
D
，漏电流（ A）
IRF510 ， 1
操作在此
区域被限定
由R
DS （ ON）
10
V
GS
= 10V
为80μs脉冲测试
8
V
GS
= 8V
6
V
GS
= 7V
4
V
GS
= 6V
2
V
GS
= 5V
10
3
0
V
GS
= 4V
0
10
20
30
40
50
V
DS ，
漏源极电压（ V）
1ms
1
T
C
= 25
o
C
T
J
= 175
o
C
单脉冲
0.1
1
DC
IRF511 ， 3
IRF510 ， 2
10
10
2
V
DS
，漏源极电压（ V）
图4.正向偏置安全工作区
图5.输出特性
5-4
IRF510 ， IRF511 ， IRF512 ， IRF513
典型性能曲线
除非另有规定编
为80μs脉冲测试
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
8
V
GS
= 8V
6
V
GS
= 7V
4
V
GS
= 6V
2
V
GS
= 5V
0
V
GS
= 4V
0
2
4
6
8
V
DS ，
漏源极电压（ V）
10
I
D（上）
， ON-状态下的漏电流（A）
10
（续）
10
V
DS
≥
50V
为80μs脉冲测试
1
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
0.1
10
-2
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图6.饱和特性
图7.传热特性
5.0
为80μs脉冲测试
归一化导通电阻
r
DS （ ON）
，漏极到源极
4.0
导通电阻（ Ω ）
3.0
I
D
= 3.4A
V
GS
= 10V
2.4
3.0
1.8
2.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
1.0
1.2
0.6
0
0
4
8
12
16
20
0
-60 -40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
I
D,
漏电流（ A）
T
J
，结温（
o
C)
图8.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
1.25
I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
1.15
500
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
400 C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
300
1.05
0.95
C，电容（pF ）
200
C
国际空间站
C
OSS
0.85
100
C
RSS
0.75
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
0
1
2
T
J
，结温（
o
C)
2
5
V
DS
，漏源极电压（ V）
5
10
10
2
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图11.电容VS漏源极电压
5-5
QQ：2880707522 复制
