PD - 95467
典型应用
●
●
●
IRF3808SPbF
汽车MOSFET
IRF3808LPbF
D
集成起动发电机
42伏汽车电气系统
LEAD -FREE
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
= 75V
R
DS （ ON）
= 0.007
S
好处
●
●
●
●
●
●
G
I
D
= 106A
描述
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
专为汽车应用而设计的，这种高级
平面条形HEXFET 功率MOSFET采用了最新的亲
cessing技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这HEXFET功率MOSFET的附加功能
是175 ° C的结温工作，低RθJC ，开关速度快
荷兰国际集团的速度和改进的重复雪崩额定值。该组合
化使得设计一个非常有效和可靠的选择。
在更高功率的汽车电子系统和广泛使用
各种其它应用。
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
D
2
PAK
IRF3808S
TO-262
IRF3808L
马克斯。
106
75
550
200
1.3
± 20
430
82
看到图12a ， 12b中，15，16
5.5
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
HEXFET （R）是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
1
6/30/04
IRF3808S/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。
75
–––
–––
2.0
100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.086
5.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
150
31
50
16
140
68
120
4.5
7.5
5310
890
130
6010
570
1140
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
7.0
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 82A
4.0
V
V
DS
= 10V ，我
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 82A
20
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
200
V
GS
= 20V
nA
-200
V
GS
= -20V
220
I
D
= 82A
47
NC V
DS
= 60V
76
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 38V
–––
I
D
= 82A
ns
–––
R
G
= 2.5
–––
V
GS
= 10V
D
铅之间，
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
而中心的模具接触
S
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
= 1.0MHz的，见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 60V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
源极 - 漏极额定值和特性
分钟。典型值。马克斯。单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.130mH
R
G
= 25, I
AS
= 82A 。 （参见图12）。
I
SD
≤
82A ， di / dt的
≤
310A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 106
展示
A
G
整体反转
––– ––– 550
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 82A ，V
GS
= 0V
––– 93 140
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 82A
––– 340 510
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
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典型应用
●
●
●
IRF3808SPbF
汽车MOSFET
IRF3808LPbF
D
集成起动发电机
42伏汽车电气系统
LEAD -FREE
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
= 75V
R
DS （ ON）
= 0.007
S
好处
●
●
●
●
●
●
G
I
D
= 106A
描述
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
专为汽车应用而设计的，这种高级
平面条形HEXFET 功率MOSFET采用了最新的亲
cessing技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这HEXFET功率MOSFET的附加功能
是175 ° C的结温工作，低RθJC ，开关速度快
荷兰国际集团的速度和改进的重复雪崩额定值。该组合
化使得设计一个非常有效和可靠的选择。
在更高功率的汽车电子系统和广泛使用
各种其它应用。
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
D
2
PAK
IRF3808S
TO-262
IRF3808L
马克斯。
106
75
550
200
1.3
± 20
430
82
看到图12a ， 12b中，15，16
5.5
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
HEXFET （R）是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
1
6/30/04
IRF3808S/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。
75
–––
–––
2.0
100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
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典型值。
–––
0.086
5.9
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150
31
50
16
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68
120
4.5
7.5
5310
890
130
6010
570
1140
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
7.0
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 82A
4.0
V
V
DS
= 10V ，我
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 82A
20
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
200
V
GS
= 20V
nA
-200
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GS
= -20V
220
I
D
= 82A
47
NC V
DS
= 60V
76
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 38V
–––
I
D
= 82A
ns
–––
R
G
= 2.5
–––
V
GS
= 10V
D
铅之间，
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
而中心的模具接触
S
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
= 1.0MHz的，见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 60V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
源极 - 漏极额定值和特性
分钟。典型值。马克斯。单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.130mH
R
G
= 25, I
AS
= 82A 。 （参见图12）。
I
SD
≤
82A ， di / dt的
≤
310A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 106
展示
A
G
整体反转
––– ––– 550
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 82A ，V
GS
= 0V
––– 93 140
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 82A
––– 340 510
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
2
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