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PD - 94954
IRF3710PbF
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
D
V
DSS
= 100V
R
DS （ ON）
= 23m
G
S
I
D
= 57A
描述
先进的HEXFET
国际整流器功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低的导通电阻
每硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET是众所周知
为，为设计者提供了一个非常有效和可靠的设备
在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业
应用在功率耗散水平到约50瓦。低
热电阻及TO -220的低包成本有助于其宽
接受整个行业。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
57
40
230
200
1.3
± 20
28
20
5.8
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.75
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
1/29/04
IRF3710PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
100
–––
–––
2.0
32
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
23
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
=28A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 28A
25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
130
I
D
= 28A
26
nC
V
DS
= 80V
43
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 28A
ns
–––
R
G
= 2.5
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
4.5 –––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5 –––
而中心的模具接触
3130 –––
V
GS
= 0V
410 –––
V
DS
= 25V
72 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
1060 ?? 280 ??兆焦耳我
AS
= 28A ，L = 0.70mH
典型值。
–––
0.13
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
58
45
47
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
57
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 230
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.2
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 28A ，V
GS
= 0V
––– 140 220
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 28A
--- 670 1010 NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.70mH
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
28A ， di / dt的
≤
380A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
R
G
= 25, I
AS
= 28A ，V
GS
= 10V （见图12）
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
2
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IRF3710PbF
1000
VGS
顶部
16V
10V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
BOTTOM 3.5V
1000
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
VGS
16V
10V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
BOTTOM 3.5V
顶部
10
10
3.5V
1
3.5V
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
0.1
1
10
100
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000.00
3.0
I
D
= 57A
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
2.5
T J = 175℃
10.00
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
100.00
2.0
（归一化）
1.5
T J = 25°C
1.00
1.0
0.10
3.0
4.0
5.0
VDS = 15V
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
8.0
9.0
0.5
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= 10V
100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温
(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRF3710PbF
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
12
I
D
=
28A
10000
COSS = C + Cgd的
ds
10
V
DS
= 80V
V
DS
= 50V
V
DS
= 20V
C，电容（pF ）
西塞
1000
7
科斯
5
100
CRSS
2
10
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
TJ = 175℃
10.00
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
100sec
10
1msec
1.00
T J = 25°C
VGS = 0V
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
10msec
0.10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ，源toDrain电压（ V）
0.1
100
1000
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF3710PbF
60
V
DS
50
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
40
-
V
DD
I
D
，漏电流（ A）
30
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
20
图10A 。
开关时间测试电路
10
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度
( °C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
(Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
热响应
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
注意事项：
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
t
1
/ t
2
+T
C
1
J
= P
DM
X Z
thJC
P
DM
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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