【软开关系列IHW40N60TqC低损耗DuoPack ： IGBT在TRENCHSTOP- 技术与反】,IC型号IHW40N60T,IHW40N60T PDF资料,IHW40N60T经销商,ic,电子元器件-51电子网

软开关系列

IHW40N60T

q

C

低损耗DuoPack ： IGBT在TRENCHSTOP

- 技术与反并联二极管

产品特点：

非常低V

CE （ SAT ）

1.5 V（典型值）。

最高结温为175℃

短路承受时间 - 5μs的

TRENCHSTOP

和场终止技术， 600 V应用

提供：

- 参数分布非常紧凑

- 高耐用性，温度稳定的行为

- 低V

CE （ SAT ）

在V正温度系数

CE （ SAT ）

低EMI

低栅电荷

1

根据JEDEC的目标应用资格

无铅镀铅;符合RoHS标准

完整的产品范围和PSpice的模型：

http://www.infineon.com/igbt/

应用范围：

电磁炉

软开关应用

TYPE

IHW40N60T

V

CE

600V

I

C

40A

V

CE(sat),Tj=25°C

1.55V

T

， MAX

175°C

记号

H40T60

包

PG-TO-247-3-21

G

E

PG-TO-247-3-21

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

直流集电极电流，受

T

JMAX

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

集电极电流脉冲，

t

p

受

T

JMAX

关闭安全工作区（V

CE

≤

600V,

T

j

≤

175°C)

二极管的正向电流，限制了

T

JMAX

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

二极管脉冲电流，

t

p

受

T

JMAX

栅极 - 发射极电压

瞬态栅极 - 发射极电压（叔

p

＆ LT ; 5毫秒）

短路承受时间

2)

符号

V

CE

I

C

价值

600

80

40

单位

V

A

I

Cpul s

-

I

F

120

40

20

I

FPUL s

V

GE

t

SC

P

合计

T

j

T

英镑

-

60

±20

±25

5

303

-40...+175

-55...+175

260

s

W

°C

V

GE

= 15V,

V

CC

≤

400V,

T

j

≤

150°C

功耗

T

C

= 25°C

工作结温

储存温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

1

2)

J- STD- 020和JESD -022

允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。

1

2.2版4月6日

功率半导体

软开关系列

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

二极管热阻

结 - 案

热阻，

结 - 环境

电气特性，

at

T

j

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

（ B R ）C （E S）

V

摹ê

= 0V ,

I

C

= 0 0.5米一

V

CE （ SAT ）

V

摹ê

= 15 V ,

I

C

= 40 A

T

j

=2 5

°C

T

j

=1 7 5° C

二极管的正向电压

V

F

V

摹ê

= 0V ,

I

F

= 2 0 A

T

j

=2 5

°C

T

j

=1 7 5° C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

V

GE （日）

I

CES

I

C

= 0 8米A，

V

CE

=

V

GE

V

权证

= 60 0 V

,

V

摹ê

= 0V

T

j

=2 5

°C

T

j

=1 7 5° C

栅极 - 发射极漏电流

跨

集成门极电阻

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

门

L

E

V

权证

= 25 V ,

V

摹ê

= 0V ,

f=

1 MH

V

C C

= 48 0 V,

I

C

=4 0 A

V

摹ê

= 15 V

-

I

GES

g

fs

R

GINT

V

权证

= 0V ,

V

摹ê

=2 0 V

V

权证

= 20 V ,

I

C

= 40 A

-

4.1

-

600

符号

条件

R

thJA

R

thJCD

R

thJC

符号

条件

IHW40N60T

q

马克斯。值

0.49

0.76

40

单位

K / W

价值

分钟。

典型值。

-

1.55

1.9

1.1

1.05

4.9

马克斯。

-

2.05

-

5.7

单位

V

A

-

22

-

40

1000

100

-

nA

S

2423

113

72

215

13

-

pF

nC

nH

功率半导体

2

2.2版4月6日

软开关系列

开关特性，电感负载，

at

T

j

=25

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

=2 5

°C

,

V

C C

= 40 0 V,

I

C

= 4 0 A,

V

摹ê

= 0/ 15 V ,

R

G

= 5. 6

,

1)

L

σ

= 4 0 NH，

1)

C

σ

= 3 0P F

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

-

符号

条件

IHW40N60T

q

价值

分钟。

典型值。

-

186

66.3

-

0.92

马克斯。

-

mJ

单位

ns

开关特性，电感负载，

at

T

j

=175

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

=1 7 5° C,

V

C C

= 40 0 V,

I

C

= 4 0 A,

V

摹ê

= 0/ 15 V ,

R

G

= 5 .6

1)

L

σ

= 4 0 NH，

1)

C

σ

= 3 0P F

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

-

196

76.5

-

1.4

-

mJ

ns

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1)

漏感

L

σ

钕杂散电容

C

σ

由于动态测试电路如图E.

3

2.2版4月6日

功率半导体

软开关系列

IHW40N60T

q

140A

100A

120A

t

p

=1s

I

C

,

集电极电流

100A

80A

60A

40A

20A

0A

10Hz

T

C

=80°C

T

C

=110°C

I

C

,

集电极电流

2s

10A

10s

50s

I

c

1A

DC

1ms

10ms

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

1V

10V

100V

1000V

f,

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率为三角形

目前（E

on

= 0时，硬关断）

(T

j

≤

175°C,

D =

0.5,

V

CE

= 400V,

V

GE

= 0/+15V,

R

G

= 5.6)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图2.安全工作区

(D

=

0,

T

C

= 25°C,

T

j

≤175°C;

V

GE

=15V)

350W

300W

60A

250W

200W

150W

100W

50W

0W

25°C

I

C

,

集电极电流

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

P

合计

,

功耗

40A

20A

0A

25°C

75°C

125°C

T

C

,

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

(T

j

≤

175°C)

T

C

,

外壳温度

图4.集电极电流的一个函数

外壳温度

(V

GE

≥

15V,

T

j

≤

175°C)

功率半导体

4

2.2版4月6日

软开关系列

IHW40N60T

q

100A

V

GE

=20V

100A

I

C

,

集电极电流

I

C

,

集电极电流

80A

15V

13V

11V

9V

7V

V

GE

=20V

80A

15V

13V

60A

11V

9V

40A

7V

60A

40A

20A

0A

0V

1V

2V

3V

0A

0V

1V

2V

3V

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图5.典型的输出特性

(T

j

= 25°C)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图6.典型的输出特性

(T

j

= 175°C)

V

CE （SAT），

集热器

-

发射极饱和电压

100A

2.5V

I

C

=80A

I

C

,

集电极电流

80A

2.0V

I

C

=40A

60A

1.5V

40A

T

J

=175°C

20A

25°C

1.0V

I

C

=20A

0.5V

0A

0V

2V

4V

6V

8V

10V

0.0V

0°C

50°C

100°C

150°C

V

GE

,

栅极 - 发射极电压

图7.典型的传输特性

(V

CE

=20V)

T

J

,

结温

图8.典型的集电极 - 发射极

饱和电压的函数

结温

(V

GE

= 15V)

功率半导体

5

2.2版4月6日

软开关系列

IHW40N60T

q

C

低损耗DuoPack ： IGBT在TRENCHSTOP

- 技术与反并联二极管

产品特点：

非常低V

CE （ SAT ）

1.5 V（典型值）。

最高结温为175℃

短路承受时间 - 5μs的

TRENCHSTOP

和场终止技术， 600 V应用

提供：

- 参数分布非常紧凑

- 高耐用性，温度稳定的行为

- 低V

CE （ SAT ）

在V正温度系数

CE （ SAT ）

低EMI

低栅电荷

根据JEDEC合格

1

为目标的应用

无铅镀铅;符合RoHS标准

完整的产品范围和PSpice的模型：

http://www.infineon.com/igbt/

应用范围：

电磁炉

软开关应用

TYPE

IHW40N60T

V

CE

600V

I

C

40A

V

CE(sat),Tj=25°C

1.55V

T

， MAX

175°C

记号

H40T60

包

PG-TO-247-3

G

E

PG-TO-247-3

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

直流集电极电流，受

T

JMAX

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

集电极电流脉冲，

t

p

受

T

JMAX

关闭安全工作区（V

CE

≤

600V,

T

j

≤

175°C)

二极管的正向电流，限制了

T

JMAX

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

二极管脉冲电流，

t

p

受

T

JMAX

栅极 - 发射极电压

瞬态栅极 - 发射极电压（叔

p

＆ LT ; 5毫秒）

短路承受时间

2)

V

GE

= 15V,

V

CC

≤

400V,

T

j

≤

150°C

功耗

T

C

= 25°C

工作结温

储存温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

P

合计

T

j

T

英镑

-

303

-40...+175

-55...+175

260

W

°C

t

SC

I

Fpuls

V

GE

I

Cpuls

-

I

F

40

20

60

±20

±25

5

s

V

符号

V

CE

I

C

80

40

120

价值

600

单位

V

A

1

2)

J- STD- 020和JESD -022

允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。

1

修订版2.3 9月8日

功率半导体

软开关系列

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

二极管热阻

结 - 案

热阻，

结 - 环境

电气特性，

at

T

j

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

（ B R ）C （E S）

V

摹ê

=0 V,

I

C

=0.5mA

V

CE （ SAT ）

V

摹ê

= 15 V,

I

C

=40A

T

j

= 25°C

T

j

= 175

°C

二极管的正向电压

V

F

V

摹ê

=0 V,

I

F

= 2 0 A

T

j

= 25°C

T

j

= 175

°C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

V

GE （日）

I

CES

I

C

=0.8mA,

V

权证

=V

摹ê

V

权证

= 60 0 V

,

V

摹ê

=0 V

T

j

= 25°C

T

j

= 175

°C

栅极 - 发射极漏电流

跨

集成门极电阻

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

门

L

E

V

权证

=25V,

V

摹ê

=0 V,

f=1MHz

V

C C

= 48 0 V,

I

C

=40A

V

摹ê

=15V

-

I

GES

g

fs

R

GINT

V

权证

=0 V,V

摹ê

=20V

V

权证

=20V,

I

C

=40A

-

4.1

-

600

符号

条件

R

thJA

R

thJCD

R

thJC

符号

条件

IHW40N60T

q

马克斯。值

0.49

0.76

40

单位

K / W

价值

分钟。

典型值。

-

1.55

1.9

1.1

1.05

4.9

马克斯。

-

2.05

-

5.7

单位

V

A

-

22

-

40

1000

100

-

nA

S

2423

113

72

215

13

-

pF

nC

nH

功率半导体

2

修订版2.3 9月8日

软开关系列

开关特性，电感负载，

at

T

j

=25

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 25°C ,

V

C C

= 40 0 V,

I

C

=40A,

V

摹ê

= 0 /1 5 V,

R

G

=5.6

,

L

σ

1 )

= 4 0nH ，

C

σ

1 )

=30pF

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

-

符号

条件

IHW40N60T

q

价值

分钟。

典型值。

-

186

66.3

-

0.92

马克斯。

-

mJ

单位

ns

开关特性，电感负载，

at

T

j

=175

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 175

°C

,

V

C C

= 40 0 V,

I

C

=40A,

V

摹ê

= 0 /1 5 V,

R

G

= 5.6

L

σ

1 )

= 4 0nH ，

C

σ

1 )

=30pF

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

-

196

76.5

-

1.4

-

mJ

ns

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1)

漏感

L

σ

钕杂散电容

C

σ

由于动态测试电路如图E.

3

修订版2.3 9月8日

功率半导体

软开关系列

IHW40N60T

q

140A

100A

120A

t

p

=1s

I

C

,

集电极电流

100A

80A

60A

40A

20A

0A

10Hz

T

C

=80°C

T

C

=110°C

I

C

,

集电极电流

2s

10A

10s

50s

I

c

1A

DC

1ms

10ms

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

1V

10V

100V

1000V

f,

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率为三角形

目前（E

on

= 0时，硬关断）

(T

j

≤

175°C,

D =

0.5,

V

CE

= 400V,

V

GE

= 0/+15V,

R

G

= 5.6)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图2.安全工作区

(D

=

0,

T

C

= 25°C,

T

j

≤175°C;

V

GE

=15V)

350W

300W

60A

250W

200W

150W

100W

50W

0W

25°C

I

C

,

集电极电流

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

功耗

40A

P

合计

,

20A

0A

25°C

75°C

125°C

T

C

,

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

(T

j

≤

175°C)

T

C

,

外壳温度

图4.集电极电流的一个函数

外壳温度

(V

GE

≥

15V,

T

j

≤

175°C)

功率半导体

4

修订版2.3 9月8日

软开关系列

IHW40N60T

q

100A

V

GE

=20V

100A

I

C

,

集电极电流

I

C

,

集电极电流

80A

15V

13V

11V

9V

7V

V

GE

=20V

80A

15V

13V

60A

11V

9V

40A

7V

60A

40A

20A

0A

0V

1V

2V

3V

0A

0V

1V

2V

3V

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图5.典型的输出特性

(T

j

= 25°C)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图6.典型的输出特性

(T

j

= 175°C)

V

CE （SAT），

集热器

-

发射极饱和电压

100A

2.5V

I

C

=80A

I

C

,

集电极电流

80A

2.0V

I

C

=40A

60A

1.5V

40A

T

J

=175°C

20A

25°C

1.0V

I

C

=20A

0.5V

0A

0V

2V

4V

6V

8V

10V

0.0V

0°C

50°C

100°C

150°C

V

GE

,

栅极 - 发射极电压

图7.典型的传输特性

(V

CE

=20V)

T

J

,

结温

图8.典型的集电极 - 发射极

饱和电压的函数

结温

(V

GE

= 15V)

功率半导体

5

修订版2.3 9月8日