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PD - 94963

IRF3415PbF

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 150V

DS （ ON）

= 0.042

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

电阻和TO- 220封装的低费用

促进整个公司的广泛认可

业。

= 43A

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

150

200

1.3

± 20

590

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

0.50

马克斯。

0.75

单位

° C / W

1/30/04

IRF3415PbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

150

2.0

典型值。

0.17

4.5

7.5

2400

640

340

MAX 。单位

条件

= 0V时，我

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

0.042

= 10V ，我

= 22A

4.0

= V

, I

= 250A

= 50V ，我

= 22A

= 150V, V

= 0V

250

= 120V, V

= 0V ，T

= 150°C

100

= 20V

-100

= -20V

200

= 22A

= 120V

= 10V ，参照图6和13

= 75V

= 22A

= 2.5

= 3.3Ω ，见图。 10

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

= 0V

= 25V

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

260

2.2

150

1.3

390

3.3

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 22A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 22A

的di / dt = 100A / μs的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

≤

图22A ， di / dt的

≤

820A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

175°C

= 25V ，起始物为

= 25℃时，L = 2.4mH

= 25, I

= 22A 。（参见图12）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

IRF3415PbF

1000

VGS

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

1000

100

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

4.5V

大于20us脉宽

= 25

100

4.5V

大于20us脉宽

= 175

100

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 37A

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

2.0

= 25

= 175

100

1.5

1.0

0.5

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

0.0

-60 -40 -20 0

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRF3415PbF

6000

5000

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= 22A

= 120V

= 75V

= 30V

C，电容（pF ）

4000

3000

西塞

2000

科斯

CRSS

1000

100

测试电路

见图13

120

160

200

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

，漏电流（ A）

100

10us

= 175

100us

= 25

1ms

0.1

0.2

= 0 V

0.6

1.0

1.4

1.8

= 25

= 175

单脉冲

100

10ms

1000

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRF3415PbF

，漏电流（ A）

10V

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

D.U.T.

图10A 。

开关时间测试电路

90%

100

125

150

175

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

0.0001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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