【PD - 94659A汽车MOSFET特点先进的工艺技术超低导通电阻动态的dv / dt额定值175】,IC型号IRF2807Z,IRF2807Z PDF资料,IRF2807Z经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94659A

汽车MOSFET

特点

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

IRF2807Z

IRF2807ZS

IRF2807ZL

D

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

= 75V

R

DS （ ON）

= 9.4m

S

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。其他为特色的

这种设计的Tures的是175 ° C的结工作

温度，开关速度快，提高了

重复雪崩额定值。这些功能的COM

茎，使这个设计的一个非常有效的

而在汽车应用使用可靠的设备

tions和各种各样的其它应用。

I

D

= 75A

TO-220AB

IRF2807Z

D

2

PAK

IRF2807ZS

TO-262

IRF2807ZL

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

E

AS

（测试）

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V （硅有限公司）

连续漏电流， V

GS

@ 10V （参见图9）中

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

马克斯。

89

63

75

350

170

1.1

± 20

160

200

看到图12a ， 12b中， 15,16

-55 + 175

单位

A

c

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量（热有限公司）

单脉冲雪崩能量测试值

雪崩电流

c

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

°C

i

d

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

h

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.90

–––

62

40

单位

° C / W

结到环境（ PCB安装，稳态）

j

HEXFET

是国际整流器公司的注册商标。

www.irf.com

1

09/03/03

IRF2807Z/S/L

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

75

–––

2.0

67

–––

0.073

7.5

–––

71

19

28

18

79

40

45

4.5

7.5

3270

420

240

1590

280

440

–––

9.4

4.0

–––

20

250

200

-200

110

29

42

–––

pF

条件

V V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 53A

V V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

s V

DS

= 25V ，我

D

= 53A

μA V

DS

= 75V, V

GS

= 0V

V

DS

= 75V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

nA的V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

NC I

D

= 53A

V

DS

= 60V

V

GS

= 10V

NS V

DD

= 38V

I

D

= 53A

R

G

= 6.2

V

GS

= 10V

nH的铅之间，

D

f

6毫米（0.25英寸）。

从包

G

S

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的，见图。五

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 60V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至60V

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

46

80

89

A

350

1.3

69

120

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 53A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 53A ，V

DD

= 25V

的di / dt = 100A / μs的

f

S

f

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

限制T

JMAX

，起始物为

J

= 25 ° C，L = 0.12mH ，

R

G

= 25, I

AS

= 53A ，V

GS

= 10V 。不属于

推荐使用高于此值。

I

SD

≤

53A ， di / dt的

≤

420A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C.

脉冲宽度

≤

1.0ms的;占空比

≤

2%.

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

.

限制T

JMAX

，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复

雪崩性能。

从样品失效人口这个值来决定。 100 ％

测试，在生产该值。

这个被施加到D

2

白，装在1"方形PCB时

（FR-4或G- 10材料）。对于推荐的足迹，

焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

2

www.irf.com

IRF2807Z/S/L

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

底部

1

10

4.5V

0.1

4.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.01

0.1

1

10

100

1000

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

150

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

100

T J = 175℃

125

T J = 25°C

100

75

T J = 175℃

10

T J = 25°C

1

50

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

0.1

4

6

8

10

12

25

0

25

50

75

100

125

150

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

www.irf.com

3

IRF2807Z/S/L

100000

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

12.0

ID = 53A

10.0

VDS = 60V

VDS = 38V

VDS = 15V

10000

C，电容（pF ）

西塞

1000

8.0

6.0

科斯

CRSS

4.0

100

2.0

10

1

10

100

0.0

0

10

20

30

40

50

60

70

80

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100

TJ = 175℃

10

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100

100sec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

10msec

1

T J = 25°C

VGS = 0V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

VSD ，源极到漏极电压（V ）

0.1

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF2807Z/S/L

100

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

2.5

90

80

ID ，漏电流（ A）

不限按包

ID = 53A

VGS = 10V

2.0

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

1.5

1.0

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

T J ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

PD - 94659A

汽车MOSFET

特点

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

IRF2807Z

IRF2807ZS

IRF2807ZL

D

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

= 75V

R

DS （ ON）

= 9.4m

S

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。其他为特色的

这种设计的Tures的是175 ° C的结工作

温度，开关速度快，提高了

重复雪崩额定值。这些功能的COM

茎，使这个设计的一个非常有效的

而在汽车应用使用可靠的设备

tions和各种各样的其它应用。

I

D

= 75A

TO-220AB

IRF2807Z

D

2

PAK

IRF2807ZS

TO-262

IRF2807ZL

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

E

AS

（测试）

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V （硅有限公司）

连续漏电流， V

GS

@ 10V （参见图9）中

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

马克斯。

89

63

75

350

170

1.1

± 20

160

200

看到图12a ， 12b中， 15,16

-55 + 175

单位

A

c

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量（热有限公司）

单脉冲雪崩能量测试值

雪崩电流

c

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

°C

i

d

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

h

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.90

–––

62

40

单位

° C / W

结到环境（ PCB安装，稳态）

j

HEXFET

是国际整流器公司的注册商标。

www.irf.com

1

09/03/03

IRF2807Z/S/L

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

75

–––

2.0

67

–––

0.073

7.5

–––

71

19

28

18

79

40

45

4.5

7.5

3270

420

240

1590

280

440

–––

9.4

4.0

–––

20

250

200

-200

110

29

42

–––

pF

条件

V V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 53A

V V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

s V

DS

= 25V ，我

D

= 53A

μA V

DS

= 75V, V

GS

= 0V

V

DS

= 75V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

nA的V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

NC I

D

= 53A

V

DS

= 60V

V

GS

= 10V

NS V

DD

= 38V

I

D

= 53A

R

G

= 6.2

V

GS

= 10V

nH的铅之间，

D

f

6毫米（0.25英寸）。

从包

G

S

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的，见图。五

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 60V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至60V

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

46

80

89

A

350

1.3

69

120

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 53A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 53A ，V

DD

= 25V

的di / dt = 100A / μs的

f

S

f

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

限制T

JMAX

，起始物为

J

= 25 ° C，L = 0.12mH ，

R

G

= 25, I

AS

= 53A ，V

GS

= 10V 。不属于

推荐使用高于此值。

I

SD

≤

53A ， di / dt的

≤

420A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C.

脉冲宽度

≤

1.0ms的;占空比

≤

2%.

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

.

限制T

JMAX

，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复

雪崩性能。

从样品失效人口这个值来决定。 100 ％

测试，在生产该值。

这个被施加到D

2

白，装在1"方形PCB时

（FR-4或G- 10材料）。对于推荐的足迹，

焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

2

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IRF2807Z/S/L

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

1000

顶部

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

底部

1

10

4.5V

0.1

4.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.01

0.1

1

10

100

1000

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

150

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

100

T J = 175℃

125

T J = 25°C

100

75

T J = 175℃

10

T J = 25°C

1

50

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

0.1

4

6

8

10

12

25

0

25

50

75

100

125

150

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

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100000

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

12.0

ID = 53A

10.0

VDS = 60V

VDS = 38V

VDS = 15V

10000

C，电容（pF ）

西塞

1000

8.0

6.0

科斯

CRSS

4.0

100

2.0

10

1

10

100

0.0

0

10

20

30

40

50

60

70

80

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100

TJ = 175℃

10

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100

100sec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

10msec

1

T J = 25°C

VGS = 0V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

VSD ，源极到漏极电压（V ）

0.1

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF2807Z/S/L

100

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

2.5

90

80

ID ，漏电流（ A）

不限按包

ID = 53A

VGS = 10V

2.0

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

1.5

1.0

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

T J ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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