IRF1405Z/S/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
55
–––
–––
2.0
88
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.049
3.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
120
31
46
18
110
48
82
4.5
7.5
4780
770
410
2730
600
910
–––
–––
4.9
4.0
–––
20
250
200
-200
180
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
S
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 75A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 75A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 25V
I
D
= 75A
R
G
= 4.4
V
GS
= 10V
e
e
e
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
G
D
S
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至44V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
30
30
75
A
600
1.3
46
45
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 75A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型
最大。结温。 （见图11）。
重复雪崩性能。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.10mH
从样品失效人口这个值来决定。
R
G
= 25, I
AS
= 75A ，V
GS
= 10V 。不属于
100％的测试，以在生产中此值。
推荐使用高于此值。
这个被施加到D
2
白，装在1"方形PCB时
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
（FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹，
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同
焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
2
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100000
OSS = C DS + C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
12.0
ID = 75A
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 44V
VDS = 28V
C，电容（pF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
T J = 175℃
10.00
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
1000
100
100sec
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
1
10
1msec
10msec
100
1000
1.00
T J = 25°C
0.10
0.0
0.5
1.0
1.5
VGS = 0V
2.0
2.5
VSD ，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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150
125
ID ，漏电流（ A）
2.5
不限按包
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 75A
VGS = 10V
2.0
100
75
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.01
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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