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IPW60R099CPA
的CoolMOS
TM
功率晶体管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
600
0.105
60
V
Ω
nC
特点
最低的数字品质因数的
ON
X Q
g
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
汽车AEC Q101标准
绿色封装（符合RoHS）
的CoolMOS CPA是专门设计用于：
DC / DC转换器为汽车应用
PG-TO247-3
TYPE
IPW60R099CPA
包
PG-TO247-3
记号
6R099A
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
1)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR1),2)
雪崩电流，重复性
t
AR1),2)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
工作温度
储存温度
安装力矩
修订版2.0
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
T
英镑
M3和M3.5螺丝
第1页
V
DS
=0...480 V
STATIC
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=11 A,
V
DD
=50 V
I
D
=11 A,
V
DD
=50 V
价值
31
19
93
800
1.2
11
50
±20
255
-40 ... 150
-40 ... 150
60
NCM
2010-02-15
A
V / ns的
V
W
°C
mJ
单位
A
IPW60R099CPA
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
1)
反向二极管的dv / dt
3)
符号条件
I
S
I
S，脉冲
的dV / dt
T
C
=25 °C
价值
18
93
15
V / ns的
单位
A
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
焊接温度，
波峰焊只允许在引线
R
thJC
R
thJA
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
-
-
0.5
62
K / W
T
出售
-
-
260
°C
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
-1.2毫安
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=18 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=18 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
R
G
f
= 1 MHz时，漏极开路
600
2.5
-
3
-
3.5
V
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
-
-
-
-
-
0.09
5
100
0.105
A
nA
Ω
-
-
0.24
1.3
-
-
Ω
修订版2.0
第2页
2010-02-15
IPW60R099CPA
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
C
国际空间站
C
OSS
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
伏至480伏
-
-
V
DD
=400 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=18 A,
R
G
=3.3
Ω
-
-
-
340
10
5
60
5
-
-
-
-
-
ns
2800
130
130
-
-
-
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
有效输出电容，能量
C
O（ ER ）
相关
4)
有效的输出电容，时间
相关
5)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
1)
2)
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=400 V,
I
D
=18 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
14
20
60
5.0
-
-
80
-
nC
V
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
GS
=0 V,
I
F
=18 A,
T
j
=25 °C
-
-
0.9
450
12
70
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
V
R
=400 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
I
SD
≤I
D
， di / dt的
≤100A/s,
V
的dcLINK
=400V,
V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
,
T
j
＆ LT ;吨
JMAX
，相同的低侧和高侧开关
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
3)
4)
5)
修订版2.0
第3页
2010-02-15
IPW60R099CPA
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
300
10
2
限于由导通状态
阻力
10 s
1 s
100 s
200
10
1
DC
1毫秒
P
合计
[W]
I
D
[A]
10毫秒
100
10
0
0
0
40
80
120
160
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
P
)
参数：
D =吨
p
/T
10
0
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
120
10 V
20 V
8V
105
0.5
90
0.2
-1
10
7V
75
Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
I
D
[A]
0.05
0.02
0.01
10
-2
60
6V
45
单脉冲
5.5 V
30
5V
15
4.5 V
10
-3
10
-5
0
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0
5
10
15
20
t
p
[s]
V
DS
[V]
修订版2.0
第4页
2010-02-15
IPW60R099CPA
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
50
8V
10 V
20 V
6V
5.5 V
7V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
0.5
40
0.4
5.5 V
6V
6.5 V
7V
R
DS （ ON）
[
Ω
]
30
0.3
5V
20 V
I
D
[A]
5V
20
4.5 V
0.2
10
0.1
0
0
5
10
15
20
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
I
D
[A]
7漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=18 A;
V
GS
=10 V
8典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
0.3
160
0.25
120
0.2
25 °C
R
DS （ ON）
[
Ω
]
0.15
98 %
I
D
[A]
80
0.1
典型值
150 °C
40
0.05
0
-60
-20
20
60
100
140
180
0
0
2
4
6
8
10
T
j
[°C]
V
GS
[V]
修订版2.0
第5页
2010-02-15
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