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PD- 95409A

应用

l

l

l

l

HEXFET

功率MOSFET

IRF1312PbF

IRF1312SPbF

IRF1312LPbF

I

D

95A

高频DC- DC转换器

电机控制

Uninterrutible电源

LEAD -FREE

V

DSS

80V

R

DS （ ON）

最大

10m

好处

l

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

l

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

l

充分界定雪崩电压

和电流

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装torqe ， 6-32或M3螺丝

TO-220AB

IRF1312

D

2

PAK

IRF1312S

TO-262

IRF1312L

马克斯。

95

67

380

3.8

210

1.4

± 20

5.1

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

笔记

通过

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

结到环境（印刷电路板安装）

在第11页

典型值。

–––

0.50

–––

–––

马克斯。

0.75

–––

62

40

单位

° C / W

www.irf.com

1

12/23/04

IRF1312/S/LPbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

80

–––

–––

3.5

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.078

6.6

–––

–––

–––

–––

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

10

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 57A

5.5

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

1.0

V

DS

= 76V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 64V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

92

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

93

36

34

25

130

47

51

5450

550

340

1910

380

620

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 57A

140

I

D

= 57A

–––

NC V

DS

= 40V

–––

V

GS

= 10V,

–––

V

DD

= 40V

–––

I

D

= 57A

ns

–––

R

G

= 4.5

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 64V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至64V

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

–––

–––

马克斯。

250

57

21

单位

mJ

A

mJ

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 95

展示

A

G

整体反转

––– ––– 380

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 57A ，V

GS

= 0V

––– 64

96

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 57A

––– 150 230

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

2

www.irf.com

IRF1312/S/LPbF

1000

VGS

顶部

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

1000

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

BOTTOM 5.0V

顶部

10

1

10

0.1

5.0V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

5.0V

0.01

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

2.5

ID ，漏 - 源电流

(

A)

100.00

T J = 175℃

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID = 95A

VGS = 10V

2.0

T J = 25°C

1.00

（归一化）

10.00

1.5

0.10

1.0

0.01

5

6

7

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

8

9

10

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF1312/S/LPbF

100000

20

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

国际空间站

= C GS + Cgd的，

短

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

ID = 57A

DS

16

VDS = 64V

VDS = 40V

VDS = 16V

C，电容（pF ）

10000

12

西塞

8

1000

科斯

CRSS

4

测试电路

见图13

0

100

1

10

100

0

40

80

120

160

200

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q g总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100.0

T J = 175℃

100

100sec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

10.0

1.0

T J = 25°C

10msec

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VGS = 0V

1.4

1.6

1.8

0.1

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

VSD ，源toDrain电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF1312/S/LPbF

100

不限按包

80

ID ，漏电流（ A）

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

-

V

DD

60

V

GS

40

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

20

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

(Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

热响应

0.1

0.10

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

+T

C

0.1

0.05

0.02

0.01

J

= P

DM

X Z

thJC

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

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56200

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