45A集成PowIRstage
特点
峰值效率高达94.0 ％，在1.2V
集成驱动器，控制MOSFET ，同步
MOSFET和肖特基二极管
输入电压（ VIN ） 4.5V至15V的工作范围
独立LVCC和HVCC从4.5V到13.2V到
优化转换器的效率
45A的直流输出电流能力
开关频率高达1.0MHz的到
从70 ° C可编程热标志门槛
150°C
5V与VCC欠压锁定
低静态电流
使能控制
选择正规3.3V三态PWM逻辑或IR
活跃的三电平（ ATL ） PWM逻辑
PCB封装与大多数IR3551的引脚兼容
高效的双面散热
小尺寸5mm x 6mm的X 0.9毫米PQFN封装
无铅符合RoHS的封装
IR3558
描述
该IR3558集成PowIRstage是一个同步降压
栅极驱动器共同填充有控制用MOSFET和一个
同步MOSFET集成肖特基二极管。这是
内部优化的PCB布局，传热和
驱动器/ MOSFET时机。定制设计的栅极驱动器和
MOSFET组合可实现更高的效率，更低的
通过切削刃CPU，GPU所需的输出电压和
DDR内存设计。
高达1.0MHz的开关频率实现了快速瞬态
对此，让输出电感器的小型化
以及输入和输出电容，同时保持高
效率。该IR3558的卓越能效
最小的尺寸和更低的解决方案成本。该IR3558 PCB
足迹与IR3551 （ 50A ）的大部分引脚兼容。
该IR3558提供了两种可选的PWM逻辑模式下，
3.3V三态PWM逻辑或国际整流器公司活动
TM
三电平（ ATL ） PWM逻辑。 ATL的PWM逻辑消除
专用车身Braking针，提高了瞬态
该转换器的负载释放时的反应。
该IR3558提供的热标志输出
可编程阈值从70℃至150℃ ，这使得
它可以调节热保护阈
基于PCB的布局和温度分布。
该IR3558是为CPU核心供电进行了优化
交付服务器应用程序。以满足所述能力
在服务器市场也使得严格的要求
在IR3558非常适合GPU供电和DDR
内存设计和其他高电流的应用。
应用
电压调节器的CPU ，GPU和DDR
存储阵列
高电流，低轮廓的DC- DC转换器
基本应用
VCC
5V
95
93
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
VCC
91
IR3558
VIN
BOOST
SW
VIN
4.5V至15V
效率（％）
89
87
85
83
81
79
LGND
OT ＃
PWM
启用
OT ＃
otset
PWM
EN
模式
VOUT
CS +
PVCC
4.5V至13.2V
CS-
77
75
HVCC
LVCC
保护地
输出电流（A ）
图1 ： IR3558基本应用电路
图2 ：典型的IR3558高效&功率损耗
（见注2第7页）
1
2012年9月10日|最终数据表
功率损耗（ W）
45A集成PowIRstage
引脚说明
针＃
1
2
3
4, 14, 15, 27
5, 28
6 – 13
16 – 19
IR3558
引脚名称
VCC
LVCC
HVCC
保护地
GATEL
SW
VIN
引脚说明
偏置电压的控制逻辑。 VCC连接到5V电源。连接一个0.1uF的最小
VCC和LGND之间的电容。
电源电压的低侧驱动器。 LVCC连接到一个4.5V至13.2V电源。连
拉斯维加斯会议中心和PGND （引脚4 ）之间的最小0.1uF的电容。
电源电压的高侧驱动器。 HVCC连接到一个4.5V至13.2V电源。
连接HVCC和PGND （引脚4 ）之间的最小0.1uF的电容。
低侧MOSFET驱动器和同步MOSFET的电源地。
低侧MOSFET驱动器引脚可以连接到一个测试点，以观察
的波形。
同步降压转换器的开关节点。
大电流输入电压的连接。推荐工作范围为4.5V至15V 。
连接至少两个10μF的1206陶瓷电容和一个0.1uF的0402陶瓷电容。
将尽可能接近到VIN引脚和PGND引脚（ 14-15）的电容。该0.1uF的
0402电容应在PCB作为IR3558的同一侧。
自举电容连接。自举电容提供给接通充电
控制MOSFET。从升压至SW引脚连接一个0.22μF最小电容。地方
电容尽量靠近，以提高销地和最大限度地减少寄生电感
从电容连接到SW引脚。一个1Ω至4Ω串联电阻可以加入
减慢SW的上升沿和限制浪涌电流转换成在自举电容
启动。
开漏输出的相位故障电路。连接到外部上拉电阻。
输出为低电平时检测到该设备内部的温度过高时。
PWM控制输入。该引脚连接到一个控制器输出的PWM输出
无论是3.3V三态PWM信号或1.8V IR的活性三等级
PWM信号。
使能控制。 3.3V逻辑电平输入。拉动这个引脚为高电平，使设备和
接地它关闭两个MOSFET ，并进入低静态模式。
信号地。驱动器控制逻辑，模拟电路和IC基片是参照
该引脚。
PWM模式的选择。该接地引脚来选择正规3.3V三态PWM逻辑
或将其连接到VCC选择国际整流器公司活动三电平PWM逻辑。
在温度设定。默认值是150℃时，该引脚悬空。从这个电阻
引脚接地方案从70℃至150℃的整个温度范围内的阈值。请参阅“在
温度阈值设定电阻R
otset
“一节中电阻的选择细节。
20
BOOST
21
22
23
24
25
26
OT ＃
PWM
EN
LGND
模式
otset
4
2012年9月10日|最终数据表
45A集成PowIRstage
绝对最大额定值
IR3558
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
值仅为该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作中所指示的
规范的业务部门都得不到保证。
引脚数
1
2
3
4, 27
5, 28
6-13
14, 15
16-19
20
21
22
23
24
25
26
引脚名称
VCC
LVCC
HVCC
保护地
GATEL
SW
2
V
最大
6.5V
15V
15V
0.3V
LVCC + 0.3V
25V
NA
25V
35V
VCC + 0.3V
VCC + 0.3V
VCC + 0.3V
0.3V
VCC + 0.3V
VCC + 0.3V
V
民
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-3V为20ns的，
-0.3V DC
-5V为20ns的，
-0.3V DC
NA
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
I
来源
NA
NA
NA
15mA
1A为100ns的，
200毫安DC
55A RMS
25A RMS
5A RMS
1A为100ns的，
百毫安DC
1mA
1mA
1mA
10mA
1mA
1mA
I
SINK
10mA
1A为100ns的，
百毫安DC
1A为100ns的，
百毫安DC
15mA
1A为100ns的，
200毫安DC
25A RMS
55A RMS
20A RMS
5A为100ns的，
百毫安DC
20mA
1mA
1mA
NA
1mA
1mA
保护地
VIN
2
BOOST
1
OT ＃
PWM
EN
LGND
模式
otset
注意：
1.最大升压 - SW = 15V 。
2.最大VIN - SW = 25V 。
3.所有的最大电压额定值为参考到PGND （引脚14和15） 。
热信息
热阻，结到顶部（ θ
JC_TOP
)
热阻，结到PCB（引脚15 ） （ θ
JB
)
热阻（ θ
JA
)
1
最大工作结温
最大存储温度范围
ESD额定值
MSL等级
回流焊温度
18.2 ° C / W
2.6 ° C / W
20.8 ° C / W
-40 ℃150℃
-65 ℃150 ℃的
HBM 1A级JEDEC标准
3
260°C
注意：
1.热阻（ θ
JA
）的测量是用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
参照国际整流器应用笔记AN- 994的详细信息。
5
2012年9月10日|最终数据表
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