IS64C6416
特点
高速存取时间： 15和20纳秒
CMOS低功耗运行
TTL兼容接口电平
单5V ± 10 ％电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
工业应用温度
提供44引脚SOJ封装
44针TSOP （ II型）
ISSI
先进的信息
2003年1月
描述
该
ISSI
IS64C6416是一个高速， 1048576位静态RAM
16位组织为65,536字。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度可靠
工艺加上创新的电路设计技术，
产生存取时间快10纳秒的低功率消耗
化。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在该功率耗散可以减至
与CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS64C6416打包在JEDEC标准的44引脚
400万SOJ和44引脚TSOP （ II型） 。
功能框图
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何合适的
时间，恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。客户
建议之前，依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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修订版00A
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1
IS64C6416
销刀豆网络gurations
44引脚SOJ
A15
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
ISSI
44针TSOP （ II型）
A15
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
引脚说明
A0-A15
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
2
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IS64C6416
真值表
I / O引脚
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
VCC电流
1
2
3
4
写
I
CC
1
, I
CC
2
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
5
6
7
8
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
工作范围
选项
A1
A2
A3
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
9
10
11
12
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IS64C6416
ISSI
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.5
–0.5
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
–2
–2
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
2
V
V
V
V
A
A
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
单位
注意事项：
1. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时， F =
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
＆ GT ;
V
IH
， F =最大
V
CC
=最大，
CE
＆ GT ;
V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ;
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
A1
A2
A3
A1
A2
A3
A1
A2
A3
-15
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
250
—
—
50
—
—
5
—
—
-20
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
255
260
—
55
55
—
10
15
单位
mA
I
SB
1
mA
I
SB
2
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
ISSI
1
2
3
AC测试负载
480
5V
480
5V
4
5
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
6
7
图1
图1
8
9
10
11
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