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IR3508
数据表
XPHASE3
TM
相位IC
描述
该IR3508相位IC配合任何IR
XPhase3
控制IC提供了一个全功能的,灵活的方式来
实施最新的高性能CPU和ASIC的电源解决方案。 “控制” IC提供
整个系统的控制和接口与任何数量的“相位”集成电路,其中每个驱动器和显示器的单个
TM
多相转换的阶段。该
XPhase3
体系结构的结果是小的电源,少
昂贵的,并且更容易,同时提供更高的效率比传统的方法来设计。
该IR3508在进入省电模式禁用其电流检测放大器。推荐使用
这些相位IC是没有自适应电压定位应用两种或两种以上功率级
在节能模式将被运行。
TM
特点IR3508相位IC
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
电源状态指示器( PSI )接口提供的能力,最大限度地提高工作效率在轻负载。
反偏置电路
7V / 2A栅极驱动器( 4A GATEL灌电流)
支持转换器的输出电压高达5.1 V(仅限于VCCL - 1.4V )
无损耗电感电流检测
在PSI断言模式的相位延迟DFF绕过来提高输出纹波表现
过流PSI断言模式操作过程中保护
前馈电压模式控制
集成的自举同步PFET
只有四个每相外部元件
三线模拟总线连接控制和相位IC ( VID ,误差放大器, IOUT )
3线数字总线,无需外部元件准确的菊花链相时序控制
调试功能相分离,从IC转换器
PWM斜坡,电流检测放大器,与当前股价放大器的自校准
单线双向平均电流共享
小型耐热增强型20L 4 x 4mm的MLPQ封装
符合RoHS
应用电路
12V
EAIN
19
20
18
CSIN +
CSIN-
EAIN
17
VCC
NC
16
RCS
SW
15
14
13
12
11
CBST
L
CCS
IOUT
PSI
DACIN
1
2
3
4
5
IOUT
PSI
DACIN
LGND
PHSOUT
GATEL
PHSIN
NC
CLKIN
保护地
GATEH
VOUT +
IR3508
BOOST
VCCL
NC
COUT
VOUT-
7
6
8
9
PHSIN
PHSOUT
CLKIN
CVCCL
VCCL
图1应用电路
分页: 19 1
2008年10月27日
10
IR3508
订购信息
产品型号
IR3508MTRPBF
* IR3508MPBF
只有*样品
20引脚MLPQ
(4×4毫米的机身)
20引脚MLPQ
(4×4毫米的机身)
订购数量
3000每卷
100块条
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损伤
装置。这些压力额定值只,设备的功能操作,在这些或任何其他
条件,超出了规范的业务部门所标明是不是暗示。
工作结温............... .. 0 ℃150℃
o
o
存储温度范围..................... 。 - 65 ℃150℃
MSL等级............................................. 2
o
回流焊温度................................. 0.260
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
引脚名称
IOUT
PSI
DACIN
LGND
PHSIN
NC
PHSOUT
CLKIN
保护地
GATEL
NC
VCCL
BOOST
GATEH
SW
V
最大
8V
8V
3.3V
不适用
8V
不适用
8V
8V
0.3V
8V
不适用
8V
40V
40V
34V
V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
不适用
-0.3V
不适用
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V DC,为-5V
100ns
不适用
-0.3V
-0.3V
-0.3V DC,为-5V
100ns
-0.3V DC,为-5V
100ns
-0.3V
-0.3V
-0.3V
-0.3V
不适用
I
来源
1mA
1mA
1mA
不适用
1mA
不适用
2mA
1mA
5A为100ns的,
200毫安DC
5A为100ns的,
200毫安DC
不适用
不适用
1A为100ns的,
百毫安DC
3A为100纳秒,
百毫安DC
3A为100纳秒,
百毫安DC
不适用
1mA
1mA
1mA
不适用
I
SINK
1mA
1mA
1mA
不适用
1mA
不适用
2mA
1mA
不适用
5A为100ns的,
200毫安DC
不适用
5A为100ns的,
200毫安DC
3A为100纳秒,
百毫安DC
3A为100纳秒,
百毫安DC
不适用
10mA
1mA
1mA
1mA
不适用
o
16
VCC
34V
17
CSIN +
8V
18
CSIN-
8V
19
EAIN
8V
20
NC
不适用
注意:
1.最大GATEH - SW = 8V
2.最大BOOST - GATEH = 8V
第19 2
2008年10月27日
IR3508
推荐工作条件与保证金可靠运行
o
o
8.0V
V
CC
28V, 4.75V
V
CCL
7.5V , 0℃
T
J
125 0.5V C.
?? 9 ? $ &,1

9,

500kHz
?? & / 。 , 1 ?? ? 0+ ]
250kHz
3+6,1 0+].
电气特性
电气特性表列出了参数范围内保证其推荐的工作范围内
条件。典型值表示中间值,这是关系到25 ℃。
C
GATEH
=为3.3nF ,C
GATEL
= 6.8nF (除非另有规定)
参数
栅极驱动器
GATEH源电阻
GATEH水槽电阻
GATEL源电阻
GATEL汇电阻
GATEH源电流
GATEH灌电流
GATEL源电流
GATEL灌电流
GATEH上升时间
GATEH下降时间
GATEL上升时间
GATEL下降时间
GATEL低到高GATEH
延迟
GATEH低到高GATEL
延迟
禁止下拉
阻力
时钟
CLKIN门槛
CLKIN偏置电流
CLKIN相位延迟
PHSIN门槛
PHSOUT传播
延迟
PHSIN下拉
阻力
PHSOUT高压
PHSOUT低电压
第19 3
测试条件
BOOST - SW = 7V 。注1
BOOST - SW = 7V 。注1
VCCL - PGND = 7V 。注1
VCCL - PGND = 7V 。注1
BOOST = 7V , GATEH = 2.5V , SW = 0V 。
BOOST = 7V , GATEH = 2.5V , SW = 0V 。
VCCL = 7V , GATEL = 2.5V ,保护地= 0V 。
VCCL = 7V , GATEL = 2.5V ,保护地= 0V 。
BOOST - SW = 7V ,测量1V至4V
转换时间
BOOST - SW = 7V ,测量4V至1V
转换时间
VCCL - 地线= 7V ,测量1V至4V
转换时间
VCCL - 地线= 7V ,测量4V至1V
转换时间
BOOST = VCCL = 7V , SW = PGND = 0V ,
从GATEL测量时间下降到1V至
GATEH上升到1V
BOOST = VCCL = 7V , SW = PGND = 0V ,
从GATEH测量时间下降到1V至
GATEL上升到1V
注1
典型值
1.0
1.0
1.0
0.4
2.0
2.0
2.0
4.0
5
5
10
5
10
10
30
20
20
80
最大
2.5
2.5
2.5
1.0
单位
A
A
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
N
10
10
20
10
40
40
130
比较V( VCCL )
CLKIN = V ( VCCL )
测量时间从CLKIN<1V到GATEH>1V
比较V( VCCL )
测量时间从CLKIN > ( VCCL * 50 % )
到PHSOUT > ( VCCL * 50%)。 10pF的负载@
o
125 C
40
-0.5
40
35
4
30
45
0.0
75
50
15
100
0.6
0.4
57
0.5
125
55
35
170
%
PA
ns
%
ns
N
V
我( PHSOUT ) = -10mA ,测量VCCL -
PHSOUT
我( PHSOUT ) = 10毫安
1
1
V
2008年10月27日
IR3508
参数
PWM比较器
PWM斜坡斜率
EAIN偏置电流
最小脉冲宽度
电流检测放大器
CSIN +/-偏置电流
CSIN +/-偏置电流
不匹配
输入失调电压
收益
单位增益带宽
压摆率
差分输入范围
差分输入范围
共模输入范围
o
溃败在T
J
= 25 C
o
溃败在T
J
= 125 C
IOUT源电流
IOUT灌电流
分享调节放大器
输入失调电压
收益
单位增益带宽
PWM斜坡电压楼
最大的PWM斜坡楼
电压
最小PWM斜楼
电压
PSI比较
瑞星阈值电压
下降阈值电压
迟滞
阻力
浮动电压
测试条件
Vin=12V
0
EAIN
3V
注1
42
-5
典型值
52.5
-0.3
55
0
0
0
32.5
6.8
6
-10
-5
0
2.3
3.6
0.5
0.5
-3
4
4
-116
120
-220
50
50
Note2
3.7
5.4
2.9
2.9
3
6
17
116
240
-100
最大
57
5
70
200
50
1
35.0
8.8
单位
毫伏/
% DC
PA
ns
nA
nA
mV
V/V
兆赫
V / PS
mV
mV
V
k
k
mA
mA
mV
V/V
千赫
mV
mV
mV
注1
CSIN + = CSIN- = DACIN 。措施
输入参考的失调DACIN
0.5V
?? 9 ? $ &,1

 9

C( IOUT ) = 10pF的。在测量IOUT 。
注1
0.8V
?? 9 ? $ &,1

?? ??? 9 ? 1RWH ?

0.5V
?? 9 ? $ &,1

?? ??? 9 ? 1RWH ?

注1
注1
-200
-50
-1
30.0
4.8
3.0
4.7
1.6
1.4
0
5.0
8.5
0
180
-160
注1
CSIN + = CSIN- = DACIN 。注1
注1
IOUT打开,测量相对DACIN
IOUT = DACIN - 200mV的。措施
相对于地面电压。
IOUT = DACIN + 200mV的。措施
相对于地面电压。
注1
注1
注1
520
400
50
200
800
620
550
70
500
700
650
120
850
1150
mV
mV
mV
k
mV
第19 4
2008年10月27日
IR3508
参数
车身制动比较
阈值电压与EAIN
减少
阈值电压与EAIN
增加
迟滞
传播延迟
OVP比较器
OVP阈值
测试条件
测量相电压楼
测量相电压楼
-300
-200
70
40
典型值
-200
-100
105
65
最大
-110
-10
130
90
单位
mV
mV
mV
ns
VCCL = 5V 。测量时间从EAIN <
V( DACIN ) ( 200mV的过载)到GATEL
过渡到< 4V 。
步骤V ( IOUT ) ,直到GATEL驱动器
高。比较V( VCCL )
传播延迟
V( VCCL ) = 5V ,步骤V ( IOUT )从
V( DACIN )到V ( VCCL ) 。测量时间
V(GATEL)>4V.
同步整流禁用比较
阈值电压
五世( CSIN- ) / V ( DACIN ) ,下面的比
其中V( GATEL )始终为低电平。
负电流比较器
输入失调电压
Note1
传播延迟时间
应用级电压为V( CSIN + ) -
V( CSIN- ) 。测量时间为V( GATEL ) <
1V.
自举二极管
正向电压
我( BOOST ) = 30mA时VCCL = 6.8V
调试比较
阈值电压
比较V( VCCL )
一般
VCC电源电流
8V
9
(
VCC ) < 10V
VCC电源电流
10V
9
(
VCC )
9
VCCL电源电流
升压电源电流
4.75V
9
(
BOOST ) -V ( SW ) ? 8V
DACIN偏置电流
SW浮置电压
注1 :
通过设计保证,但在生产中测试
注2 :
V
CCL
-0.5V或V
CC
- 2.5V ,以较低者为准
-1.0
15
-0.8
40
-0.4
70
V
ns
66
75
86
%
-16
100
0
200
16
400
mV
ns
360
-250
1.1
1.1
3.1
0.5
-1.5
0.1
520
-150
4.0
2.0
8.0
1.5
-0.75
0.3
960
-50
6.1
4
12.1
3
1
0.4
mV
mV
mA
mA
mA
mA
PA
V
第19 5
2008年10月27日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IR3508MTRPBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IR3508MTRPBF
Infineon Technologies
2436+
2000
MLPQ-20
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
IR3508MTRPBF
IR
18+
15600
QFN20
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IR3508MTRPBF
Infineon Technologies
24+
10000
20-MLPQ(4x4)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IR3508MTRPBF
IR
24+
18650
QFN20
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IR3508MTRPBF
IR
21+22+
62710
QFN20
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IR3508MTRPBF
IR
08+
638
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1989029555 复制
电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
IR3508MTRPBF
IR
21+
7000
QFN20
原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97877805 复制

电话:171-4729-0036(微信同号)
联系人:卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
IR3508MTRPBF
INFINEON
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1001
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★体验愉快问购元件!!就找我吧!《停产物料》
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IR3508MTRPBF
InfineonTechnologies
新年份
18600
20MLPQ
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:83415655 复制

电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
IR3508MTRPBF
IR
21+
319
QFN20
原装正品
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