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ICS557-08
2:1 M
ULTIPLEXER
C
HIP FOR
PCI -E
XPRESS
描述
该ICS557-08是一个2:1多路转换器芯片,其允许
用户选择两个HCSL之一(主机时钟信号
级)或LVDS输入对和风扇出1对
差分HCSL或LVDS输出。该芯片是适合
特别是对于PCI - Express应用,其中有
需要在本地选择的PCI-Express时钟
从PCI -E卡或主板。
特点
封装采用16引脚TSSOP
可在Pb(铅)免费包装
3.3 V工作电压
低功耗
高达200 MHz的输入时钟频率为HCSL和
高达100MHz的LVDS
抖动60 ps的(周期到周期)
框图
VDD
3
OE
IN1
IN1
IN2
IN2
CLK
MUX
2比1
CLK
3
SEL
GND
PD
RR( IREF )
MDS 557-08
I N T E GRAて维C我R C U I吨S y时S T ê米每秒
1
525赛STRE等,圣乔本身, CA 9 5126
修订版021606
TE L( 40 8 ) 2 97-12 01
W W瓦特I C ST 。 C 0米
ICS557-08
2 : 1多路复用器芯片的PCI-Express
引脚分配
VDD
IN1
IN1
PD
IN2
IN2
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
SEL
CLK
CLK
GND
GND
VDD
VDD
IREF
选择表
SEL
0
1
输入对
IN2 / IN2
IN1 / IN1
16引脚( 173 mil)的TSSOP
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
VDD
IN1
IN1
PD
IN2
IN2
OE
GND
IREF
VDD
VDD
GND
GND
CLK
CLK
SEL
TYPE
动力
输入
输入
输入
输入
输入
输入
动力
产量
动力
动力
动力
动力
产量
产量
输入
HCSL / LVDS真正的输入信号1 。
引脚说明
连接到+3.3 V电源电压为输入时钟。
HCSL /免费LVDS输入信号1 。
断电的芯片和三态输出低电平时。内部上拉电阻。
HCSL / LVDS真正的输入信号2 。
HCSL /免费LVDS输入信号2 。
提供输出或三态输出(高=使能输出;低=禁用) 。国内
上拉电阻。
连接到地面。
精密电阻器连接到这个引脚被连接到内部参考电流。
连接到+3.3 V电源电压的输出时钟。
连接到+3.3 V电源电压的输出时钟。
连接到地面。
连接到地面。
HCSL / LVDS免费输出时钟。
HCSL / LVDS真正的输出时钟。
SEL = 1选择IN1 / IN1 。 SEL = 0选择IN2 / IN2 。内部上拉电阻。
MDS 557-08
在TE碎电路系统
2
525镭CE街,加利福尼亚州圣何塞, 9512 6
修订版021606
电话:( 08 4 ) 297-1 201
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS557-08
2 : 1多路复用器芯片的PCI-Express
应用信息
去耦电容
对于任何高性能的混合信号IC,该
ICS557-08必须从系统的电源分离
噪音进行优化。
0.01μF的去耦电容必须连接
每个VDD与PCB地平面之间。
外部元件
外部元件数量最少的
要求正确操作。的去耦电容
0.01
F
应连接在VDD和GND之间
引脚作为靠近器件成为可能。
目前的参考源
r
( IREF )
如果目标板走线阻抗( Z)为50Ω ,则RR =
475Ω (1%) ,提供2.32毫安IREF ,输出电流
(I
OH
)等于6 * IREF 。
PCB布局建议
为确保最佳的设备性能和最低的输出
相位噪声,遵循以下原则应该是
观察到。
每一个0.01μF去耦电容应安装
在电路板的元件侧靠近
VDD引脚的位置。无孔应与使用
去耦电容和VDD引脚。 PCB走线到
VDD引脚应保持尽可能的短,以应
PCB走线通过地面。铁素体的距离
珠和散装解耦从设备是少
关键的。
2)优化布局之一,在所有组件
电路板的同一侧,通过其他最大限度地减少通孔
信号层(铁氧体磁珠和去耦大容量
电容器可以安装在背面) 。其他信号
走线应远离ICS557-08 。
这包括信号迹线正下方的装置,
或在邻近使用的地线平面层的层
该设备。
负载电阻R
L
由于时钟输出是开源的输出, 50Ω
外部电阻到地是在连接
每个时钟输出。
输出终端
的的的PCI-Express差分时钟输出
ICS557-08是开源驱动程序和需要
外部串联电阻和一个电阻接地。这些
电阻值及其允许的位置显示
中详细
PCI - Express的布局指南
部分。
该ICS557-08也可以为LVDS的配置
兼容的电压电平。见
LVDS兼容
布局指南
部分。
MDS 557-08
在TE碎电路系统
3
525镭CE街,加利福尼亚州圣何塞, 9512 6
修订版021606
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W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS557-08
2 : 1多路复用器芯片的PCI-Express
输出结构
IREF
= 2.3毫安
6*IREF
R
R
475
见输出端接
部分 - 页面3 5
一般的PCB布局建议
为确保最佳的设备性能和最低的输出
相位噪声,遵循以下原则应该是
观察到。
1.每个0.01μF去耦电容应
安装在电路板的元件侧靠近
VDD引脚越好。
2.无孔应脱钩之间使用
电容和VDD引脚。
3, PCB走线连接到VDD引脚应尽可能地短
如可能,应在PCB走线到地面通过。
铁氧体磁珠和去耦批量从距离
该装置是不太关键的。
4.最佳布局是一所具有的所有组件
电路板的同一侧,通过其他最大限度地减少通孔
信号层(任何铁氧体磁珠和去耦大容量
电容器可以安装在背面) 。其他信号
走线应远离ICS557-08.This
包括信号迹线正下方的设备,或上
相邻使用的地线平面层的层
装置。
MDS 557-08
在TE碎电路系统
4
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ICS557-08
2 : 1多路复用器芯片的PCI-Express
PCI - Express的布局指南
差分路由共同建议
L1的长度,路线作为非耦合50欧姆跟踪。
L2的长度,路线作为非耦合50欧姆跟踪。
L3的长度,路线作为非耦合50欧姆跟踪。
R
S
R
T
微分路由在单PCB
L4的长度,路线为耦合
微带
100欧姆差分走线。
L4的长度,路线为耦合
带状线
100欧姆差分走线。
鉴别路由到一个PCI Express连接器
L4的长度,路线为耦合
微带
100欧姆差分走线。
L4的长度,路线为耦合
带状线
100欧姆差分走线。
维度或价值
0.5最大
最大0.2
最大0.2
33
49.9
维度或价值
2分钟至最多16
1.8分至14.4最大
维度或价值
0.25 14最大
0.225分,以12.6最高
单位
欧姆
欧姆
单位
单位
PCI - Express的设备路由
L1
R
S
L1’
R
S
L2
L2’
R
T
L3’
R
T
L3
L4
L4’
ICS557-08
产量
时钟
PCI- Express的
加载或
连接器
典型的PCI-Express ( HCSL )
波形
700毫伏
0
t
OR
500 PS
500 PS
t
OF
0.525 V
0.175 V
0.525 V
0.175 V
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在TE碎电路系统
5
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ICS557G-08LFT
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