公告I0210J 12/98
IR250SG12HCB
相位控制晶闸管
结尺寸：
晶圆尺寸：
V
RRM
类别：
钝化过程：
250平方密耳
4"
1200 V
Glassivated MESA
参考IR封装部分：
。一。
主要额定值及特点
参数
V
TM
V
RRM
I
GT
V
GT
I
H
I
L
最大通态电压
反向击穿电压
马克斯。所需的直流栅极电流触发
马克斯。所需的直流栅极电压触发
保持电流范围
最大电流闭锁
单位
1.3 V
1200 V
百毫安
2V
5在200 mA
400毫安
测试条件
T
J
= 25 ° C，I
T
= 25 A
T
J
= 25 ° C，I
RRM
= 100 A
(1)
T
J
= 25 ℃，阳极电源= 6 V ，阻性负载
T
J
= 25 ℃，阳极电源= 6 V ，阻性负载
阳极电源= 6 V ，阻性负载
阳极电源= 6 V ，阻性负载
(1)
在管芯边缘的氮气流。
机械特性
标称背面金属组成，厚度
标称正面金属组成，厚度
芯片尺寸
晶圆直径
晶圆厚度
锯切线的最大宽度
拒绝墨点尺寸
墨点位置
推荐的存储环境
铬 - 镍 - 银（ KA 1 - 4 KA - 6 KA ）
铬 - 镍 - 银（ KA 1 - 4 KA - 6 KA ）
250× 250密耳（见图）
100mm时，与性病。 <110>平
370 m ± 10 m
130 m
直径0.25毫米的最小
见图纸
储存于原装容器中，在dessicated
氮气，没有污染
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1
IR250SG12HCB
公告I0210J 12/98
订购信息表
器件代码
IR
1
250
2
S
3
G
4
12
5
H
6
CB
7
1
2
3
4
5
6
7
-
-
-
-
-
-
-
国际整流器设备
芯片尺寸在密尔
设备类型： S =焊SCR
钝化工艺： G = Glassivated MESA
电压代码：代码×100 = V
RRM
金属：H =银（阳极） - 银（阴极）
CB
=探索Sun Yatsen足本芯片（晶片盒）
无=探索Sun Yatsen死在芯片载体
概要表
所有尺寸都在millimiters
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