数据表号PD60201 Rev.D
IR2301 （S） & （的PbF ）
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为5 20V
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
同相输入输出
也可用无铅（的PbF ）
套餐
8引脚PDIP
IR2301
8引脚SOIC
IR2301S
描述
二千三百零一分之二千一百零六// 2108 // 2109 /二千三百〇四分之二千三百〇二功能比较
的IR2301 （ S）的高电压，高速
交
输入
传导
功率MOSFET和IGBT驱动器与indepen-
死区时间
接地引脚
部分
预防
逻辑
凹痕高，低侧参考输出
逻辑
2106/2301
通道。专有的HVIC和锁存免疫
COM
HIN / LIN
no
无
21064
VSS / COM
CMOS技术使坚固耐用的单
2108
内部540ns
COM
HIN / LIN
是的
岩屑建设。逻辑输入兼容
可编程0.54 5
s
21084
VSS / COM
与标准CMOS或LSTTL输出，下降到
2109/2302
内部540ns
COM
IN / SD
是的
3.3V逻辑。输出驱动器具有高
可编程0.54 5
s
21094
VSS / COM
脉冲电流缓冲级，最低
是的
内部为100ns
HIN / LIN
COM
2304
驱动器跨导。浮置沟道
可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT ，其中可在高达高侧配置
600伏。
典型连接
高达600V
（请参阅铅
分配
正确的针连接
成形） 。这种/
牛逼电子旗下ê
图（多个）
显示电
连接
只。请重新
FER我们的应用程序
阳离子笔记
和DesignTips
电路正常
电路板布局。
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2301
www.irf.com
1
IR2301 （S） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM - 0.3
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
环境温度
分钟。
V
S
+ 5
注1
V
S
5
0
COM
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
150
单位
V
°
C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
2
www.irf.com
数据表号PD60207 Rev.A的
IR2302
（S） & （的PbF ）
半桥驱动器
特点
套餐
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为5 20V
欠压锁定两个通道
3.3V ， 5V和15V输入逻辑兼容
跨导预防逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
高侧输出同相输入端IN
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
内部540ns死区时间
较低的di /更好的噪声dt的栅极驱动器
免疫
关闭输入关闭两个通道
8引脚SOIC还提供无铅（的PbF ） 。
8引脚SOIC
IR2302(S)
（也可用无铅（的PbF ） ）
8引脚PDIP
IR2302
二千三百零一分之二千一百零六// 2108 // 2109 /二千三百〇四分之二千三百〇二功能比较
部分
2106/2301
21064
2108
21084
2109/2302
21094
输入
逻辑
HIN / LIN
HIN / LIN
交
传导
预防
逻辑
no
是的
死区时间
接地引脚
COM
VSS / COM
COM
VSS / COM
COM
VSS / COM
无
内部540ns
可编程0.54 5
s
描述
IN / SD
是的
的IR2302 （ S）的高电压，高速
可编程0.54 5
s
功率MOSFET和IGBT驱动器与依赖新生
是的
HIN / LIN
内部为100ns
2304
COM
凹痕高，低侧参考输出
通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构。
逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器
具有高脉冲电流缓冲级，最小驱动器跨导。浮动通道可
可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在其中运行到高端配置
600伏。
内部540ns
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
IN
SD
V
B
HO
V
S
LO
IR2302
TO
负载
IN
SD
COM
（请参阅铅作业的
正确的配置） 。这种/
这些图（ s）显示elec-
只有Trical公司联系。请参考我们的应用笔记
和DesignTips正确的电路板布局。
www.irf.com
1
IR2302(
S
） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（IN & SD ）
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM - 0.3
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
125
200
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（IN & SD ）
环境温度
分钟。
V
S
+ 5
注1
V
S
5
0
COM
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
150
单位
V
°
C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
2
www.irf.com
IR2302(
S
） & （的PbF ）
铅定义
符号说明
IN
SD
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高和低侧栅极驱动器输出（HO和LO ） ，同相何逻辑输入
关机逻辑输入
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
铅作业
1
2
3
4
VCC
IN
SD
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
1
2
3
4
VCC
IN
SD
COM
VB
HO
VS
LO
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
（也可用无铅（的PbF ）
IR2302
IR2302S
www.irf.com
5
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