数据表号PD60172 Rev.G
IR2181
(
4
）（S） & （的PbF ）
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
3.3V和5V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出源出/吸入电流能力1.4A / 1.8A
也可用无铅（的PbF ）
套餐
8引脚PDIP
IR2181
14引脚PDIP
IR21814
8引脚SOIC
IR2181S
14引脚SOIC
IR21814S
IR2181 / IR2183 / IR2184功能比较
描述
部分
的IR2181 （4）（ S）的高电压，
2181
COM
高速功率MOSFET和IGBT
HIN / LIN
no
无
二百二十〇分之一百八十NS
21814
VSS / COM
具有独立的高，低驱动
2183
内部为500ns
COM
HIN / LIN
是的
二百二十〇分之一百八十NS
侧参考输出通道。亲
21834
计划0.4 5我们
VSS / COM
2184
内部为500ns
COM
专有的HVIC和锁存免疫
IN / SD
是的
二百七十○分之六百八十NS
21844
计划0.4 5我们
VSS / COM
CMOS技术使rugge-
dized单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到兼容
3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动跨
传导。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧
配置该工作频率高达600伏。
输入
逻辑
交
传导
预防
逻辑
死区时间
接地引脚
吨/吨OFF
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2181
IR21814
HO
V
CC
HIN
LIN
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
V
S
TO
负载
（请参阅铅作业的正确的PIN
配置） 。这个/这些图（ s）显示
电气连接只。请参阅
我们的应用笔记和DesignTips的
正确的电路板布局。
V
SS
V
SS
COM
LO
www.irf.com
1
IR2181
(
4
）（S） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN - IR2181 / IR21814 ）
逻辑接地（ IR21814只）
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 10
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
RTH
JA
热阻，结到环境
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN - IR2181 / IR21814 ）
逻辑地（ IR21814 / IR21824只）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 5
5
125
单位
V
°C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
注2 ： HIN和LIN引脚在内部钳位用5.2V齐纳二极管。
2
www.irf.com
IR2181
(
4
）（S） & （的PbF ）
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25°C.
符号
吨
花花公子
MT
tr
tf
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
分钟。
—
—
—
—
—
典型值。
180
220
0
40
20
马克斯。单位测试条件
270
330
35
60
35
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
我
IN
参数
参考V
SS
/ COM ，并适用于各自的输入导线HIN和LIN 。在V
O
, I
O
和Ron参数
参考COM和适用于各个输出引线： HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入电压（ IR2181 / IR21814 ）
逻辑“0”输入电压（ IR2181 / IR21814 ）
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.7
—
—
—
—
20
50
—
—
8.0
7.4
0.3
1.4
1.8
—
—
—
—
—
60
120
25
—
8.9
8.2
0.7
1.9
2.3
—
0.8
1.2
0.1
50
150
240
60
1.0
9.8
9.0
—
—
A
—
V
O
= 0V,
PW
≤
10
s
V
O
= 15V,
PW
≤
10
s
V
A
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
www.irf.com
3
IR2181
(
4
）（S） & （的PbF ）
铅定义
符号说明
HIN
LIN
VSS
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高侧栅极驱动器输出（ HO） ，在相逻辑输入（ IR2181 / IR21814 ）
低侧栅极驱动器输出（ LO ）的逻辑输入，相位（ IR2181 / IR21814 ）
逻辑接地（ IR21814只）
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
铅作业
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
IR2181
IR2181S
1
2
3
4
5
6
7
HIN
LIN
VSS
VB
HO
VS
COM
LO
VCC
1
4
13
1
2
3
HIN
LIN
VSS
VB
HO
VS
COM
LO
VCC
1
4
13
12
11
10
9
8
12
4
11
5
10
6
9
7
8
14引脚PDIP
14引脚SOIC
IR21814
www.irf.com
IR21814S
5
初步数据表号PD60030 rev.O
IR2213 （S） & （的PbF ）
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 1200V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为12 20V
欠压锁定两个通道
兼容3.3V逻辑
独立的逻辑电源电压范围从3.3V到20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
CMOS施密特触发与下拉输入
逐周期边沿触发关断逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出
也可用无铅（的PbF ）
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
t
开/关
（典型值）。
延迟匹配
1200V最大。
1.7A / 2A
12 - 20V
280 & 225纳秒
30纳秒
套餐
描述
该IR2213 （ S）是一种高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器，带有独立的高，
低侧参考输出通道。所有权
16引脚SOIC
HVIC和锁存免疫CMOS技术使
（宽体）
坚固耐用的单片式结构。逻辑输入
14引脚PDIP
与标准CMOS或LSTTL输出兼容，
下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，最小驱动器跨导。传播延迟匹配
为了简化在高频应用中使用。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道功率
MOSFET或IGBT在其中工作频率高达1200伏的高压侧的配置。
典型连接
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
高达1200V
TO
负载
（请参阅铅作业的正确引脚配置） 。这个/这些图（ s）显示电
连接而已。请参考我们的应用笔记和DesignTips正确的电路板布局。
www.irf.com
1
IR2213(
S
） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
DVS / DT
P
D
R
thJA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
允许的偏移电源电压瞬变（图2）
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
（ 14引脚PDIP ）
（ 16引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 16引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
V
CC
- 25
V
SS
- 0.3
—
—
—
—
—
—
-55
—
马克斯。
1225
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 25
V
CC
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
50
1.6
1.25
75
100
125
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在VS和VSS抵消收视率进行了测试与所有供应偏置在15V的差分。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
分钟。
V
S
+ 12
注1
V
S
12
0
V
SS
+ 3
-5 （注2 ）
V
SS
马克斯。
V
S
+ 20
1200
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 20
5
V
DD
单位
V
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 1200V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
注2 ：当V
DD
<5V ，最小V
SS
偏移量被限制为-V
DD
2
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IR2213(
S
） & （的PbF ）
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
） = 15V ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。动态
电特性是使用图3中所示的测试电路进行测量。
符号
t
on
t
关闭
t
sd
t
r
t
f
MT
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
—
—
—
—
—
—
280
225
230
25
17
—
—
—
—
—
—
30
V
S
= 0V
V
S
= 1200V
V
S
= 1200V
ns
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
, V
DD
） = 15V ，T
A
= 25° C和V
SS
= COM ，除非另有规定。在V
IN
, V
TH
我
IN
参数
是参考V
SS
并适用于所有的三个逻辑输入导线： HIN ， LIN和SD 。在V
O
我
O
参数
参考COM和适用于各个输出引线： HO或LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
BS
电源欠压负向
门槛
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
9.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.7
7.9
8.7
7.9
1.7
2.0
—
—
—
—
—
125
180
15
20
—
10.2
9.3
10.2
9.3
2.0`
2.5
—
6.0
1.2
0.1
50
230
340
30
40
1.0
11.7
10.7
11.7
10.7
—
—
A
V
O
= 0V, V
IN
= V
DD
PW
≤
10
s
V
O
= 15V, V
IN
= 0V
PW
≤
10
s
V
A
V
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
B
= V
S
= 1200V
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
www.irf.com
3
数据表号PD60172 Rev.G
IR2181
(
4
）（S） & （的PbF ）
高端和低端驱动器
特点
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+ 600V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20V
欠压锁定两个通道
3.3V和5V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出源出/吸入电流能力1.4A / 1.8A
也可用无铅（的PbF ）
套餐
8引脚PDIP
IR2181
14引脚PDIP
IR21814
8引脚SOIC
IR2181S
14引脚SOIC
IR21814S
IR2181 / IR2183 / IR2184功能比较
描述
部分
的IR2181 （4）（ S）的高电压，
2181
COM
高速功率MOSFET和IGBT
HIN / LIN
no
无
二百二十〇分之一百八十NS
21814
VSS / COM
具有独立的高，低驱动
2183
内部为500ns
COM
HIN / LIN
是的
二百二十〇分之一百八十NS
侧参考输出通道。亲
21834
计划0.4 5我们
VSS / COM
2184
内部为500ns
COM
专有的HVIC和锁存免疫
IN / SD
是的
二百七十○分之六百八十NS
21844
计划0.4 5我们
VSS / COM
CMOS技术使rugge-
dized单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到兼容
3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动跨
传导。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧
配置该工作频率高达600伏。
输入
逻辑
交
传导
预防
逻辑
死区时间
接地引脚
吨/吨OFF
典型连接
高达600V
V
CC
V
CC
HIN
LIN
V
B
HO
V
S
LO
TO
负载
HIN
LIN
COM
IR2181
IR21814
HO
V
CC
HIN
LIN
高达600V
V
CC
HIN
LIN
V
B
V
S
TO
负载
（请参阅铅作业的正确的PIN
配置） 。这个/这些图（ s）显示
电气连接只。请参阅
我们的应用笔记和DesignTips的
正确的电路板布局。
V
SS
V
SS
COM
LO
www.irf.com
1
IR2181
(
4
）（S） & （的PbF ）
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN - IR2181 / IR21814 ）
逻辑接地（ IR21814只）
允许的偏移电压瞬变
包装功耗@ T
A
≤
+25°C
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
- 0.3
V
CC
- 25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
SS
+ 10
V
CC
+ 0.3
50
1.0
0.625
1.6
1.0
125
200
75
120
150
150
300
单位
V
V / ns的
W
RTH
JA
热阻，结到环境
（ 8引脚PDIP ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚PDIP ）
（ 14引脚SOIC ）
° C / W
T
J
T
S
T
L
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
和V
SS
胶印的评价与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
VB
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压（ HIN & LIN - IR2181 / IR21814 ）
逻辑地（ IR21814 / IR21824只）
环境温度
分钟。
V
S
+ 10
注1
V
S
10
0
V
SS
-5
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
SS
+ 5
5
125
单位
V
°C
注1 ：逻辑操作的V
S
在-5至+ 600V 。举办了V逻辑状态
S
-5V至-V
BS
。 （请参考设计提示
DT97-3有详细介绍） 。
注2 ： HIN和LIN引脚在内部钳位用5.2V齐纳二极管。
2
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IR2181
(
4
）（S） & （的PbF ）
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM ，C
L
= 1000pF的，T
A
= 25°C.
符号
吨
花花公子
MT
tr
tf
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
开启上升时间
关断下降时间
分钟。
—
—
—
—
—
典型值。
180
220
0
40
20
马克斯。单位测试条件
270
330
35
60
35
纳秒
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V
V
S
= 0V或600V
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15V, V
SS
= COM和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IL
, V
IH
我
IN
参数
参考V
SS
/ COM ，并适用于各自的输入导线HIN和LIN 。在V
O
, I
O
和Ron参数
参考COM和适用于各个输出引线： HO和LO 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN +
I
IN-
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
I
O+
I
O-
德网络nition
逻辑“1”输入电压（ IR2181 / IR21814 ）
逻辑“0”输入电压（ IR2181 / IR21814 ）
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
CC
和V
BS
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压负向
门槛
迟滞
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
2.7
—
—
—
—
20
50
—
—
8.0
7.4
0.3
1.4
1.8
—
—
—
—
—
60
120
25
—
8.9
8.2
0.7
1.9
2.3
—
0.8
1.2
0.1
50
150
240
60
1.0
9.8
9.0
—
—
A
—
V
O
= 0V,
PW
≤
10
s
V
O
= 15V,
PW
≤
10
s
V
A
V
V
CC
= 10V至20V
V
CC
= 10V至20V
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
B
= V
S
= 600V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 0V或5V
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
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3
IR2181
(
4
）（S） & （的PbF ）
铅定义
符号说明
HIN
LIN
VSS
V
B
HO
V
S
V
CC
LO
COM
高侧栅极驱动器输出（ HO） ，在相逻辑输入（ IR2181 / IR21814 ）
低侧栅极驱动器输出（ LO ）的逻辑输入，相位（ IR2181 / IR21814 ）
逻辑接地（ IR21814只）
高压侧浮动电源
高侧栅极驱动输出
高侧浮动电源返回
低侧和逻辑固定电源
低侧栅极驱动输出
偏低的回报
铅作业
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
1
2
3
4
HIN
LIN
COM
LO
VB
HO
VS
VCC
8
7
6
5
8引脚PDIP
8引脚SOIC
IR2181
IR2181S
1
2
3
4
5
6
7
HIN
LIN
VSS
VB
HO
VS
COM
LO
VCC
1
4
13
1
2
3
HIN
LIN
VSS
VB
HO
VS
COM
LO
VCC
1
4
13
12
11
10
9
8
12
4
11
5
10
6
9
7
8
14引脚PDIP
14引脚SOIC
IR21814
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IR21814S
5
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