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指数
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数据表号PD- 6.018D
IR2121
电流限制低侧驱动器
特点
n
栅极驱动电压范围为12 18V
n
欠压锁定
n
电流检测和限制回路,以限制从动
功率晶体管的电流
n
铅错误表示故障条件和程序
关机时间
n
输出同相输入
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/-
V
OUT
V
CSTH
t
开/关
(典型值)。
5V最大。
1A / 2A
12 - 18V
230毫伏
150 & 150纳秒
描述
该IR2121是一种高速功率MOSFET和
IGBT驱动器具有过电流限制保护税务局局长
cuitry 。锁存免疫CMOS技术使rug-
gedized单片式结构。逻辑输入
与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
输出驱动器具有高脉冲电流缓冲
舞台设计为最小交叉传导。该
保护电路检测到过电流,在从动
功率晶体管,并限制栅极驱动电压。
周期接一个周期的关断是由EX-编程
ternal电容器直接控制时间IN-
检测过电流之间terval限制性
条件和锁存关断。输出可以是
用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT
在低侧配置。
典型连接
TO
负载
V
CC
IN
V
CC
IN
ERR
COM
V
CC
OUT
CS
V
S
TO ORDER
C
ONTROL
I
NTEGRATED
C
IRCUIT
D
ESIGNERS “
M
ANUAL
B-91
以前的数据表
指数
下一页数据表
IR2121
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压参
ETERS都是参考COM绝对的电压。热敏电阻和功率耗散的评分被测量
在船上安装和静止空气条件。
符号
V
CC
V
S
V
O
V
IN
V
ERR
V
CS
P
D
R
θJA
T
J
T
S
T
L
参数
德网络nition
固定电源电压
栅极驱动电压回报
输出电压
逻辑输入电压
误差信号电压
电流检测电压
包装功耗@ T
A
+25°C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
价值
分钟。
-0.3
V
CC
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
S
- 0.3
-55
马克斯。
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
1.0
125
150
150
300
单位
V
W
° C / W
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
V
CC
V
S
V
O
V
IN
V
ERR
V
CS
T
A
参数
德网络nition
固定电源电压
栅极驱动电压回报
输出电压
逻辑输入电压
误差信号电压
电流检测信号电压
环境温度
价值
分钟。
V
S
+ 10
-5
V
S
0
0
V
S
-40
马克斯。
V
S
+ 20
5
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
125
单位
V
°C
B-92
C
ONTROL
I
NTEGRATED
C
IRCUIT
D
ESIGNERS “
M
ANUAL
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IR2121
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
) = 15V ,C
L
= 3300 pF的和T
A
= 25°C除非另有规定。动态电特性
通过5在图2中定义。
符号
t
on
t
关闭
t
sd
t
r
t
f
t
cs
t
ERR
参数
德网络nition
导通传播延迟
关断传播延迟
ERR关闭传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
CS关闭传播延迟
CS犯错拉传播延迟
价值
图敏。典型值。马克斯。单位测试条件
7
8
9
10
11
12
13
150
150
1.7
43
26
0.7
9.0
200
190
2.2
60
35
1.2
12
ns
s
ns
s
C
ERR
= 270 pF的
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
) = 15V和T
A
= 25°C除非另有规定。在V
IN
, V
TH
IN
参数参考COM 。
在V
O
O
参数是参考V
S
.
符号
V
IH
V
IL
V
CSTH +
V
CSTH-
V
OH
V
OL
I
QCC
I
IN +
I
IN-
I
CS +
I
CS-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
ERR
I
ERR +
I
ERR-
I
O+
I
O-
参数
德网络nition
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
CS输入正向阈值
CS输入负门槛
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压,V
O
静态V
CC
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
“高”CS偏置电流
“低”CS偏置电流
V
CC
电源欠压积极正在进行
门槛
V
CC
电源欠压负向
门槛
ERR定时充电电流
ERR上拉电流
ERR下拉电流
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
价值
图敏。典型值。马克斯。单位测试条件
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
2.2
150
130
8.3
7.3
65
8.0
16
1.0
2.0
230
200
1.1
4.5
4.5
8.9
8.0
100
15
30
1.6
3.3
0.8
320
260
100
100
2.2
10
1.0
10
1.0
9.6
8.7
130
mA
A
V
V
V
CC
= 12V至18V
V
CC
= 12V至18V
V
CC
= 12V至18V
V
CC
= 12V至18V
I
O
= 0A
I
O
= 0A
V
IN
= V
CS
= 0V或5V
V
IN
= 5V
V
IN
= 0V
V
CS
= 3V或5V
V
CS
= 0V
mV
mA
A
A
V
IN
= 5V, V
CS
= 3V
ERR < V
ERR +
V
IN
= 5V, V
CS
= 3V
ERR > V
ERR +
V
IN
= 0V
V
O
= 0V, V
IN
= 5V
PW
10 s
V
O
= 15V, V
IN
= 0V
PW
10 s
TO ORDER
C
ONTROL
I
NTEGRATED
C
IRCUIT
D
ESIGNERS “
M
ANUAL
B-93
以前的数据表
指数
下一页数据表
IR2121
功能框图
V
CC
UV
检测
卜FF器
V
CC
OUT
IN
PRE
司机
1.8V
0.23V
错误
定时
-
+
放大器
500纳秒
空白
比较
CS
V
S
ERR
1.8V
COM
铅定义
领导
符号说明
V
CC
IN
ERR
COM
OUT
V
S
CS
逻辑和栅极驱动电源
为栅极驱动器输出(OUT) ,同相输出的逻辑输入
提供多种功能;状态报告,线性模式时间和逐周期的逻辑
关闭
逻辑地
栅极驱动输出
栅极驱动电源回路
电流检测输入电流检测比较器
铅作业
8引脚DIP
IR2121
产品型号
B-94
C
ONTROL
I
NTEGRATED
C
IRCUIT
D
ESIGNERS “
M
ANUAL
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IR2121
设备信息
处理&设计规则
晶体管数量
模具尺寸
模具大纲
HVDCMOS 4.0微米
410
104 X 111 X 26 (万)
栅氧化层厚度
连接
第一次
第二
接触孔尺寸
保温层
钝化
(1)
钝化
(2)
锯的方法
固晶法
引线键合
引线框架
材料
宽度
间距
厚度
材料
宽度
间距
厚度
材料
厚度
材料
厚度
材料
厚度
备注:
*专利申请中
材料
材料
死区
铅电镀
类型
物料
800
多晶硅
4 m
6 m
5000
铝 - 硅(SI : 1.0 % ± 0.1 % )
6 m
9 m
20,000
8微米×8微米
PSG (SIO
2
)
1.5 m
PSG (SIO
2
)
1.5 m
专有*
专有*
全切
ABLEBOND 84 - 1
温索尼克
金( 1.0密耳/ 1.3密耳)
Cu
Ag
铅:锡( 37 : 63 )
8引脚PDIP
EME6300 / MP150 / MP190
C
ONTROL
I
NTEGRATED
C
IRCUIT
D
ESIGNERS “
M
ANUAL
B-95
TO ORDER
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