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2.5V 18M - BIT HIGH -SPEED TeraSync
TM
FIFO的36位配置
524,288 x 36
IDT72T36135M
产品特点:
业界最大的FIFO存储器的组织:
IDT72T36135
524288 ×36 - 18M位
到时钟200 MHz工作
在功能和引脚兼容9Mbit IDT72T36125 TeraSync
器件
用户可选择HSTL / LVTTL输入和/或输出
用户可选的异步读取和/或写入端口时序
马克&转发,复位读指针,以用户标记的位置
写片选( WCS )输入禁止写端口
读片选( RCS )的同步,以RCLK
可编程几乎空和几乎全部的标志,每个标志可
默认为8个预选偏移1
程序可编程标志由串行或并行方式
可选的同步/异步时序模式Almost-
空的,几乎全旗
单独的输入SCLK为标志偏移串行编程
自动关机最大限度地降低待机功耗
主复位清除整个FIFO
部分复位清除数据,但保留可编程设置
空和满标志信号FIFO状态
选择IDT标准时间(使用
EF [1: 2]
FF[1:2]
标志)或第一
字告吹时间(使用
或[ 1 :2]
IR [ 1:2 ]
标志)
输出使能卖出期权数据输出为高阻抗状态
JTAG端口,提供边界扫描功能
可提供240针( 19毫米x100 19毫米)塑料球栅阵列( PBGA )
50 %以上的空间节省比领先9M位的FIFO
独立的读写时钟(允许读取和写入
同时进行)
高性能的亚微米CMOS技术
工业级温度范围( ? 40 ° C至+ 85°C ),可
°
°
绿色部分可用,请参阅订购信息
功能框图
D
0
-D
n
(x36)
WCLK / WR
WCS
LD
SEN
SCLK
输入寄存器
偏移寄存器
FF / IR [ 1:2 ]
血小板活化因子[1: 2]
EF /或[ 1 :2]
PAE [1: 2]
FWFT / SI
PFM
FSEL0
FSEL1
ASYW
写控制
逻辑
逻辑
RAM阵列
524,288 x 36
读指针
写指针
太太
PRS
TCK
TRST
TMS
TDO
TDI
VREF
WHSTL
RHSTL
SHSTL
RESET
逻辑
JTAG控制
(边界
扫描)
输出寄存器
控制
逻辑
RT
标志
ASYR
HSTL I / 0
控制
RCLK / RD
RCS
OE
6723 drw01
Q
0
-Q
n
(x36)
IDT和IDT标志是集成设备技术,Inc的商标的TeraSync FIFO是集成设备技术公司的商标。
商用和工业温度范围
1
2006年为Integrated Device Technology , Inc.保留所有权利。产品规格如有变更,恕不另行通知。
2006年5月
DSC-6723/3
IDT72T36135M 2.5V 18M位TeraSync 36位的FIFO
524,288 x 36
商业和工业
温度范围
引脚配置
A1球焊垫角
A
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
WCLK
PRS
GND
FF1
FF2
RCLK
OE
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
B
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
太太
GND
PAF1
EF1
RCS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
C
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
WCS
LD
GND
PAF2 PAE1
标志
RT
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
D
V
CC
V
CC
V
CC
FWFT / SI DNC
FSEL0 SHSTL
FSEL1 GND
GND
PAE2
EF2
RHSTL
ASYR
PFM
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
E
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
F
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
G
V
CC
SEN
SCLK
WHSTL
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
H
V
CC
V
CC
V
CC
ASYW
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
J
V
CC
V
CC
V
CC
VREF
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
K
V
CC
V
CC
V
CC
DNC
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
L
D33
D34
D35
GND
GND
GND
GND
GND
GND
V
DDQ
Q35
Q34
M
D30
D31
D32
GND
GND
Q33
Q32
Q31
N
D27
D28
D29
GND
GND
Q30
Q29
Q28
P
D24
D25
D26
GND
GND
Q27
Q26
Q25
R
D21
D22
D23
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
Q24
Q23
Q22
T
D19
D20
D13
D10
D5
D4
D1
TMS
TDO
GND
Q0
Q2
Q3
Q8
Q11
Q14
Q21
Q20
U
D18
D17
D14
D11
D7
D8
D2
TRST
TDI
GND
Q1
Q6
Q5
Q9
Q12
Q15
Q18
Q19
V
V
CC
D16
D15
D12
D9
D6
D3
D0
TCK
GND
DNC
Q4
Q7
Q10
Q13
Q16
Q17
V
DDQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
6723 drw02
注意:
1. DNC - 不连接。
PBGA : 1mm节距, 19毫米x100 19毫米( BB240-1 ,订货代码: BB )
顶视图
2
2006年5月29日
IDT72T36135M 2.5V 18M位TeraSync 36位的FIFO
524,288 x 36
商业和工业
温度范围
描述:
该IDT72T36135M是一个非常深, extrememly高速,
CMOS先入先出( FIFO ) memoriy与主频读写控制
并广泛延伸X36总线预留充足的数据流。这些FIFO提供
几个关键用户的好处:
18兆的高密度发行
200MHz的R / W时钟支持的数据吞吐量的7.2Gbps
对于重传用户可选择MARK位置
用户可选的I / O结构, HSTL或LVTTL
在读异步/同步翻译或写端口
第一个字的数据的等待时间周期,从时间的第一个字被写入
到空的FIFO ,以可以读取的时间,是固定的,短。
TeraSync的FIFO特别适合于网络视频,与电信
munications ,数据通信,并且需要缓冲的其他应用程序
大量的数据,在非常高的性能。
输入端口可以被选择为一个同步(定时)接口
或异步接口。在同步操作的输入端口
通过写时钟( WCLK )输入和写使能( WEN)输入控制。数据
本在DN上的数据输入被写入FIFO上的每个上升沿
当WCLK
为有效。在异步模式下只有WR
输入用于写入数据到FIFO。数据被写入在WR的上升沿
输入要依赖于它的活动状态, ( LOW ) 。
输入端口可以被选择用于为2.5V的LVTTL或HSTL操作
主复位过程中选择了WHSTL输入的状态此操作。
一个写片选输入( WCS )提供了用于当写端口处于
无论LVTTL和HSTL模式。在操作过程中的
WCS
输入可用于
禁用写入端口输入(仅数据) 。
输出端口可以被选择为一个同步(定时)接口
或异步接口。在同步操作的输出端口是
通过读时钟( RCLK )输入和读使能( REN)输入控制。数据
从FIFO中读取RCLK时的每个上升沿
为有效。
在异步操作仅RD输入用于读取从数据
FIFO。数据被读出在RD,所述的上升沿
输入应该连接到其
活动状态,LOW 。当选择了输出端口的异步操作
FIFO中必须为IDT标准模式下配置,也
RCS
绑低的
OE
使用的输入来提供输出,尺寸Qn三态控制。
输出端口可以被选择用于为2.5V的LVTTL或HSTL操作
主复位过程中选择了RHSTL输入的状态此操作。
输出使能( OE )输入为输出三态控制。
A读片选( RCS )的输入也提供了
RCS
输入同步
到读出时钟,并且还提供了对尺寸Qn数据输出端的三态控制。
RCS
处于关闭状态时,数据输出将是高阻抗。中
输出端口的异步操作,
RCS
应启用,举行低。
两个RCLK和WCLK信号的频率可以从0变
到f
最大
完全独立。有在频率没有限制
的一个时钟输入相对于另一个。
有操作这些设备的两种可能的时序模式: IDT
标准模式和第一个字告吹( FWFT )模式。
In
IDT标准模式,
写入到一个空的FIFO的第一个字也不会出现
上的数据输出线,除非执行一个特定的读操作。读
运算,它由激活的
并实现上升RCLK边缘,
会从内部存储器中的字转移到数据输出线。
In
FWFT模式,
写入到一个空的FIFO中的第一个字是直接主频
到RCLK信号的3转换后的数据输出线。一
是否
没有被断言为访问的第一个字。然而,随后的
写入FIFO的话做要求低
进行访问。状态
在主复位的FWFT / SI输入确定使用的定时模式。
3
对于需要更多的数据存储容量比单个FIFO中的应用
可提供的FWFT定时模式允许深度扩张的FIFO链接
在一系列( 1 FIFO中即数据输出端被连接到相应的
的下一个数据输入)。无需外部逻辑是必要的。
在18M位TeraSync FIFO有8个标志引脚,
EF /或[ 1 :2]
(空标志或
输出就绪) ,
FF / IR [ 1:2 ]
(满标志或输入就绪) ,
PAE [1: 2]
(编程
梅布尔几乎空标志)和
血小板活化因子[1: 2]
(可编程几乎满标志) 。该
EF [1: 2]
FF[1:2]
功能是在IDT标准模式中选择。该
IR [ 1:2 ]
或[ 1 :2]
功能在FWFT模式选择。
PAE [1: 2]
血小板活化因子[1: 2]
始终可用,不论定时模式。每个标志有一个双
因为18M的FIFO被设计成一个多芯片模块,所以每个组的
国旗支持其各自的内部9M FIFO。一些额外的外部逻辑门
将要被用来精确地读出每个标志输出。这将包括
在数据表的萎靡不振部分。
PAE [1: 2]
血小板活化因子[1: 2]
可独立编程的任意切换
点在存储器中。可编程偏移确定标志开关阈值
并且可以通过两种方式来加载:并行或串行。八默认偏移设置
也被提供,以使
PAE [1: 2]
可以被设置在一个预定义的数目来切换
从空边界和位置
血小板活化因子[1: 2]
阈值也可以是
设定在从完整边界相似的预定义值。默认的偏移值
大师的FSEL0 , FSEL1的状态复位时被置位,并
LD
销。
对于串口编程,
SEN
再加上
LD
上的每个上升沿
SCLK,用于通过串行输入(SI )来加载偏移寄存器。对于并行
编程,
再加上
LD
在WCLK的每个上升沿,被用于
加载经由D中的偏移量寄存器
n
.
再加上
LD
每个上升沿
RCLK的可用于读取的偏移量在从Q平行
n
无论
串行或并行的偏移加载已被选择。
在主复位( MRS)发生以下事件:读取和写入
指针设置为FIFO的第一个位置。在FWFT引脚选择IDT
标准模式或FWFT模式。
该部分复位( PRS )还设置了读写指针到第
所述存储器的位置。然而,定时模式,可编程标志
编程方法和默认的或现有的程序之前设置的偏移
部分复位保持不变。该标志根据所述定时更新
模式和有效偏移。
PRS
对于中期操作重置设备有用,
重新编程的可编程标志时,将是不可取的。
另外,也可以以选择的定时模式
PAE [1: 2]
(可编程
几乎空标志)和
血小板活化因子[1: 2]
(可编程几乎满标志)输出。该
定时模式可以被设置为异步或同步的
PAE [1: 2]
血小板活化因子[1: 2]
FL AGS 。
如果异步
PAE / PAF [1: 2]
被选择的配置,所述
PAE [1: 2]
is
置为低电平RCLK的低到高的转变。
PAE [1: 2]
被复位到
高高WCLK的低到高的跳变。类似地,
血小板活化因子[1: 2]
is
置为低电平在WCLK的低到高的过渡,
血小板活化因子[1: 2]
复位
以高RCLK的低到高的跳变。
如果同步
PAE / PAF [1: 2]
被选择的配置,所述
PAE [1: 2]
is
断言和更新的RCLK ,而不是只WCLK的上升沿。同样,
血小板活化因子[1: 2]
被确认和更新在WCLK的上升沿,而不是只
RCLK 。所需的模式MasterReset过程中配置了的状态
可编程旗模式( PFM )引脚。
该器件包括从马克的功能,利用两个控制重传
输入,马克和,
RT
(重发) 。如果标记的输入使能尊重
到RCLK ,存储器位置被读取该点处将被标记。任何
随后的重传操作,
RT
变为低电平,复位读指针
这个“标”的位置。
如果,在任何时间,在FIFO没有积极地执行一个操作,该芯片将
自动关机。一旦在断电状态下,待机电源
电流消耗最小化。启动任何操作(通过激活控制
2006年5月29日
IDT72T36135M 2.5V 18M位TeraSync 36位的FIFO
524,288 x 36
商业和工业
温度范围
描述(续)
输入)将立即停止设备的的掉电状态。
这两个异步输出使能引脚( OE )和同步阅读
设置在所述FIFO中的芯片选择引脚(RCS) 。同步读片
选择同步到RCLK 。同时输出使能和读芯片选择
控制FIFO的输出缓冲器,使缓冲器为任一高
阻抗和低阻抗。
提供一个JTAG测试端口,这里的FIFO有功能齐全的边界
扫描功能,符合IEEE 1449.1标准测试访问端口和
边界扫描结构。应特别注意考虑
帐户由于设备的JTAG测试是在MCM 。请参阅JTAG节
对于进一步的细节。
该TeraSync FIFO有工作在它的端口的能力(写入和/或
读)在任一LVTTL或HSTL模式下,每个端口选择独立的
等。写端口选择通过WHSTL和读取端口选择做
通过RHSTL 。还提供了一个附加的输入HSTL,这使用户能够
其它引脚的器件选择HSTL操作(不写相关的
或读端口)。
该IDT72T36135M采用IDT的高速亚微米CMOS制
技术。
4
2006年5月29日
IDT72T36135M 2.5V 18M位TeraSync 36位的FIFO
524,288 x 36
商业和工业
温度范围
部分复位( PRS )
MASTER RESET ( MRS)
写时钟( WCLK / WR )
写使能( WEN )
写片选( WCS )
LOAD ( LD )
( X36 ) DATA IN (D
0
- D
n
)
串行时钟( SCLK)
串行ENABLE ( SEN )
第一个字告吹/
串行输入( FWFT / SI )
满标志/ INPUT READY ( FF / IR [ 1 : 2 ] )
可编程几乎全( PAF [1 : 2 ] )
IDT
72T36135M
读时钟( RCLK / RD )
读使能( REN)
输出使能( OE )
读片选( RCS )
( X36 )数据输出( Q
0
- Q
n
)
RCLK
标志
转发( RT )
空标志/ OUTPUT READY ( EF /或[1 : 2 ] )
可编程概-EMPTY (PAE [ 1:2 ] )
6723 drw03
图1.单设备配置信号流图
5
2006年5月29日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IDT72T36135ML5BBGI
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    IDT72T36135ML5BBGI
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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