数据表号PD60349 REVL
IR21141SSPbF/IR22141SSPbF
半桥栅极驱动器IC
特点
浮动通道高达600 V或1200 V
软过流关断
同步信号与其它相同步,关闭
集成去饱和检测电路
两级对转输出的di / dt控制
单独的上拉/下拉输出驱动引脚
匹配延迟输出
滞后欠压闭锁带
无铅
产品概述
V
OFFSET
I
O
+/- (分钟)
V
OUT
匹配死区时间(最大值)
死区时间(典型值)
去饱和消隐时间(典型值)
DSH , DSL输入电压
阈值(典型值)
软关断时间(典型值)
600 V或
1200 V最大。
1.0 A / 1.5 A
10.4 V – 20 V
75纳秒
330
ns
3
s
8.0 V
9.25 s
描述
该IR21141 / IR22141栅极驱动器系列适用于驱动一个半桥
在电源开关应用。这些驱动程序提供高栅极驱动
能力( 2源,3A片)和需要低静态电流,这
允许在中等功率使用自举电源技术
系统。这些驱动器具有通过权力手段全面的短路保护
晶体管饱和检测和管理所有半桥的故障由
顺利关闭去饱和晶体管通过专用软
因此,关断引脚,防止过电压和减少
电磁辐射。在多相体系中, IR21141 / IR22141
驱动程序通信使用专用局域网( SY_FLT和
FAULT / SD信号) ,以妥善管理相 - 相短路。该
系统控制器可以强制关机或通过读取设备故障状态
3.3 V CMOS兼容的I / O引脚( FAULT / SD) 。改进信号抗扰度
从直流总线噪声,控制和电源地使用专用的引脚
使低侧的发射极电流检测为好。在欠压条件
浮动低压电路独立管理。
包
24引脚SSOP
典型连接
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14-Aug-09
2009国际整流器
1
IR21141/IR22141SSPbF
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压
参数的绝对电压参考V
SS
中,所有的电流为流入任何铅的热阻
和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
德网络nition
分钟。
马克斯。
单位
V
S
V
B
V
HO
V
CC
COM
V
LO
V
IN
V
FLT
V
DSH
V
DSL
DVS / DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
高侧偏移电压
高侧浮动电源电压
IR21141
IR22141
高侧浮动输出电压( HOP , HON和脾胃湿热)
V
B
- 25
-0.3
-0.3
V
S
- 0.3
-0.3
V
CC
- 25
V
COM
-0.3
-0.3
-0.3
V
S
-3
V
COM
-3
—
—
—
—
-55
—
V
B
+ 0.3
625
1225
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
B
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.5
65
150
150
300
°
C
V / ns的
W
°
C / W
V
低侧和逻辑固定电源电压
电源地
低侧输出电压( LOP , LON和SSDL )
逻辑输入电压( HIN , LIN和FLT_CLR )
故障输入/输出电压( FAULT / SD和SY_FLT )
高端DS输入电压
低压侧DS输入电压
允许偏移电压摆率
包装功耗@ T
A
≤
25 °
C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
推荐工作条件
对于正确的操作设备应在推荐的条件内使用。所有电压参数是绝对的
电压参考V
SS
。在V
S
胶印的评价测试所有供应偏置15 V差分。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
LO
V
CC
COM
V
IN
V
FLT
V
DSH
V
DSL
t
PWHIN
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压
分钟。
IR21141
IR22141
V
S
+ 11.5
V
SS
V
SS
V
S
V
COM
11.5
-5
V
SS
V
SS
V
S
- 2.0
V
COM
- 2.0
1
-40
马克斯。
V
S
+ 20
600
1200
V
S
+ 20
V
CC
20
5
V
CC
V
CC
V
B
V
CC
单位
高侧浮动电源偏置电压
高侧输出电压( HOP , HON和脾胃湿热)
低侧输出电压( LOP , LON和SSDL )
低侧和逻辑固定电源电压(注1 )
电源地
逻辑输入电压( HIN , LIN和FLT_CLR )
故障输入/输出电压( FAULT / SD和SY_FLT )
高端DS端子输入电压
低端DS端子输入电压
高侧脉冲宽度HIN输入
环境温度
V
s
125
°
C
而内部电路是可操作的下方所示的电源电压,所述UV锁定禁止输出
司机如果UV阈值没有达到。 8V的最低电源电压,建议司机
安全地在切换条件VS引脚(请参阅“启动顺序”的应用程序运行
本文档的部分)
逻辑运算的V
S
从V
SS
-5 V到V
SS
600 V或1200 V.逻辑状态保持V
S
从V
SS
-5 V到V
SS
-
V
BS
。关于V的负尖峰
B
(参考V
SS
)小于200ns的IC将经受持续的峰
在正常操作下-40V和高达-70V峰尖峰孤立事件的(请参阅设计
提示DT97-3有详细介绍) 。
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2
IR21141/IR22141SSPbF
静态电气特性
V
CC
= 15 V, V
SS
= COM = 0 V ,V
S
= 600 V或1200 V和T
A
= 25° ,除非另有规定。
C
引脚: V
CC
, V
SS
, V
B
, V
S
(参照图1)的
符号
V
CCUV +
V
CCUV-
V
CCUVH
V
BSUV +
V
BSUV-
V
BSUVH
I
LK
I
QBS
I
QCC
德网络nition
V
CC
电源欠压积极门槛
V
CC
电源欠压负门槛
V
CC
提供欠压闭锁滞后
(V
B
-V
S
)电源欠压积极门槛
(V
B
-V
S
)电源欠压负门槛
(V
B
-V
S
)提供欠压闭锁滞后
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
民
9.3
8.7
—
9.3
8.7
—
—
—
—
典型值
10.2
9.3
0.9
10.2
9.3
0.9
—
400
0.7
最大单位
11.4
10.3
—
11.4
10.3
—
50
800
2.5
mA
A
V
V
S
= 0 V, V
S
= 600 V
或1200 V
V
B
= V
S
= 600 V或
1200 V
V
IN
= 0 V或3.3 V
空载
测试条件
销: HIN , LIN, FLTCLR , FAULT / SD , SY_FLT (参见图2,3 )
符号
V
IH
V
IL
V
IHSS
I
IN +
I
IN-
R
ON , FLT
R
ON , SY
逻辑"1"输入电压
逻辑"0"输入电压
逻辑输入迟滞
逻辑“1”输入偏置电流( HIN , LIN , FLTCLR )
逻辑“0”输入偏置电流( FAULT / SD , SY_FLT )
逻辑“0”输入偏置电流
逻辑“1”输入偏置电流( FAULT / SD , SY_FLT )
FAULT / SD开路漏极电阻
SY_FLT漏极开路电阻
德网络nition
民
2.0
—
0.2
—
0
-1
-1
—
—
典型值
—
—
0.4
330
—
—
—
60
60
最大
—
0.8
—
—
1
0
0
—
—
PW≤ 7微秒
A
V
IN
= 0 V
V
IN
= 3.3 V
V
单位
测试条件
V
CC
= V
CCUV-
到20V
标签: DSL, DSH (参照图4 )。
有源偏置仅存的IR21141and IR22141 。 V
DESAT
, I
DS
我
DSB
参数参考COM和V
S
分别为DSL和DSH考试。
符号
德网络nition
最小典型最大单位
测试条件
V
DESAT +
V
DESAT-
V
DSTH
I
DS +
I
DS
-
I
DSB
高DESAT输入阈值电压
低去饱和输入阈值电压
去饱和输入电压滞后
高DSH或DSL输入偏置电流
低DSH或DSL输入偏置电流
DSH或DSL输入偏置电流
( IR21141和IR22141只)
7.2 8.0 8.8
6.3 7.0 7.7
—
—
1.0
21
—
—
A
mA
V
DESAT
= V
CC
或V
BS
V
DESAT
= 0 V
V
DESAT
= (V
CC
或V
BS
) – 2 V
V
参见图。 4,16
— -160 —
—
-20
—
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IR21141/IR22141SSPbF
标签: HOP , LOP (参照图5 )。
符号
V
OH
德网络nition
高电平输出电压V
B
– V
HOP
或V
CC
–V
垂耳
民
—
典型值
40
最大值单位测试条件
300
mV
I
O
= 20毫安
V
HOP / LOP
= 0 V ,H
IN
和L
IN
= 1, PW≤
200纳秒,电阻
负载,见图8
A
输出高电平第二阶段的短路电流脉冲
V
HOP / LOP
= 0 V ,H
IN
和L
IN
= 1,
400纳秒
≤PW≤
10
微秒,阻性负载,
参见图。 8
I
O1+
高输出第一阶段的短路电流脉冲
1
2
—
I
O2+
0.5
1
—
销: HON , LON ,脾胃湿热, SSDL (参见图6 )。
符号
V
OL
R
ON , SSD
I
O-
德网络nition
低电平输出电压,V
HON
或V
LON
导通电阻软关机
民
—
—
1.5
典型值
45
90
3
最大值单位测试条件
300
—
—
A
mV
I
O
= 20毫安
PW≤ 7微秒
V
HOP / LOP
= 15 V,
H
IN
和L
IN
= 0, PW≤
10 s
低输出短路脉冲电流
只有SSD操作
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