【IPB085N06L摹IPP085N06L摹的OptiMOS功率晶体管特点快速开关转换器和同步。纠正】,IC型号IPP085N06LG,IPP085N06LG PDF资料,IPP085N06LG经销商,ic,电子元器件-51电子网

IPB085N06L摹

IPP085N06L摹

的OptiMOS

功率晶体管

特点

快速开关转换器和同步。纠正

N沟道增强 - 逻辑电平

175 ° C的工作温度

额定雪崩

无铅引脚电镀，符合RoHS标准

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

SMD版

60

8.2

80

V

m

A

TYPE

IPB085N06L摹

IPP085N06L摹

TYPE

IPB085N06L摹

包

IPP085N06L摹

记号

包

P-TO263-3-2

085N06L

P-TO220-3-1

记号

P-TO220-3-1

085N06L

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

1)

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

1)

2)

价值

80

76

320

370

6

±20

单位

A

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

2)

I

D

=80 A,

R

GS

=25

I

D

=80 A,

V

DS

=48 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

mJ

KV / μs的

V

W

°C

T

C

=25 °C

188

-55 ... 175

55/175/56

电流是由键合线的限制;有

R

thJC

= 0.8 K / W ，芯片能够执行97 A.

见图3

修订版1.01

第1页

2006-06-13

IPB085N06L摹

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

3)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=125 A

V

DS

=60 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=60 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=60 V

V

GS

=10 V,

I

D

=80 A

V

GS

=4.5 V,

I

D

=53 A

V

GS

=10 V,

I

D

=80 A,

SMD版

V

GS

=4.5 V,

I

D

=53 A,

SMD版

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=80 A

-

54

60

1.2

-

1.6

0.01

-

值

典型值。

IPP085N06L摹

单位

马克斯。

0.8

62

40

K / W

-

2

1

V

A

-

1

100

-

1

7.0

8.7

6.7

100

8.5

12

8.2

nA

m

8.4

2.3

107

11.7

-

S

3)

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米

2

（ 1层， 70微米厚）的铜区

漏极连接点。 PCB是垂直的静止空气中。

修订版1.01

第2页

2006-06-13

IPB085N06L摹

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

4)

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

4)

IPP085N06L摹

单位

马克斯。

值

典型值。

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=30 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=80 A,

R

G

=2.3

V

GS

=0 V,

V

DS

=30 V,

f

= 1兆赫

-

2600

620

150

10

19

53

18

3500

820

225

15

28

80

27

pF

ns

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

OSS

V

DD

=30 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=30 V,

I

D

=80 A,

V

GS

= 0到10伏

-

10

4

26

32

78

3.8

24

13

6

39

47

104

-

32

nC

V

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=80 A,

T

j

=25 °C

V

R

=30 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

0.97

57

70

80

320

1.3

70

90

A

V

ns

nC

参见图16栅极电荷参数定义

修订版1.01

第3页

2006-06-13

IPB085N06L摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

IPP085N06L摹

200

180

160

140

120

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

50

100

150

200

0

50

100

150

200

P

合计

[W]

100

80

60

40

20

0

T

C

[°C]

I

D

[A]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

10

3

1 s

限于由导通状态

阻力

10 s

100 s

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

0

0.5

10

2

1毫秒

DC

10毫秒

0.2

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

10

1

10

-1

0.1

0.05

0.02

10

0

0.01

单脉冲

10

-1

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

修订版1.01

第4页

2006-06-13

IPB085N06L摹

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

300

10 V

5.5 V

IPP085N06L摹

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

20

3V

3.5 V

4V

4.5 V

250

5V

15

200

4.5 V

R

DS （ ON）

[m

]

I

D

[A]

150

10

5V

5.5 V

10 V

100

4V

5

50

3.5 V

3V

0

1

2

3

4

5

0

40

80

120

160

200

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

120

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

150

80

100

40

g

fs

[S]

50

175 °C

25 °C

I

D

[A]

0

1

2

3

4

5

0

20

40

60

80

100

120

140

V

GS

[V]

I

D

[A]

修订版1.01

第5页

2006-06-13

IPB085N06L摹

IPP085N06L摹

的OptiMOS

功率晶体管

特点

快速开关转换器和同步。纠正

N沟道增强 - 逻辑电平

175 ° C的工作温度

额定雪崩

无铅引脚电镀，符合RoHS标准

无卤素根据IEC61249-2-21

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

SMD版

60

8.2

80

V

mΩ

A

TYPE

IPB085N06L摹

IPP085N06L摹

TYPE

IPB085N06L摹

包

IPP085N06L摹

记号

包

P-TO263-3-2

085N06L

P-TO220-3-1

记号

P-TO220-3-1

085N06L

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

1)

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

1)

2)

价值

80

76

320

370

6

±20

单位

A

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

T

C

=25 °C

2)

I

D

=80 A,

R

GS

=25

Ω

I

D

=80 A,

V

DS

=48 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

mJ

KV / μs的

V

W

°C

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

188

-55 ... 175

55/175/56

电流是由键合线的限制;有

R

thJC

= 0.8 K / W ，芯片能够执行97 A.

见图3

修订版1.05

第1页

2010-01-19

IPB085N06L摹

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

3)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=125 A

V

DS

=60 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=60 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=60 V

V

GS

=10 V,

I

D

=80 A

V

GS

=4.5 V,

I

D

=53 A

V

GS

=10 V,

I

D

=80 A,

SMD版

V

GS

=4.5 V,

I

D

=53 A,

SMD版

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=80 A

-

54

60

1.2

-

1.6

0.01

-

值

典型值。

IPP085N06L摹

单位

马克斯。

0.8

62

40

K / W

-

2

1

V

A

-

1

100

-

1

7.0

8.7

6.7

100

8.5

12

8.2

nA

mΩ

8.4

2.3

107

11.7

-

Ω

S

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

3)

修订版1.05

第2页

2010-01-19

IPB085N06L摹

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

4)

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

4)

IPP085N06L摹

单位

马克斯。

值

典型值。

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=30 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=80 A,

R

G

=2.3

Ω

V

GS

=0 V,

V

DS

=30 V,

f

= 1兆赫

-

2600

620

150

10

19

53

18

3500

820

225

15

28

80

27

pF

ns

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

OSS

V

DD

=30 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=30 V,

I

D

=80 A,

V

GS

= 0到10伏

-

10

4

26

32

78

3.8

24

13

6

39

47

104

-

32

nC

V

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=80 A,

T

j

=25 °C

V

R

=30 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

0.97

57

70

80

320

1.3

70

90

A

V

ns

nC

参见图16栅极电荷参数定义

修订版1.05

第3页

2010-01-19

IPB085N06L摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

IPP085N06L摹

200

180

160

140

90

80

70

60

120

P

合计

[W]

100

80

I

D

[A]

50

40

30

60

40

20

0

50

100

150

200

20

10

0

50

100

150

200

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

10

3

1 s

限于由导通状态

阻力

10 s

100 s

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

0

0.5

10

2

1毫秒

DC

10毫秒

0.2

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

10

1

10

-1

0.1

0.05

0.02

10

0

0.01

单脉冲

10

-1

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

修订版1.05

第4页

2010-01-19

IPB085N06L摹

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

300

10 V

5.5 V

IPP085N06L摹

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

20

3V

3.5 V

4V

4.5 V

250

5V

15

200

4.5 V

R

DS （ ON）

[m

Ω

]

I

D

[A]

150

10

5V

5.5 V

10 V

100

4V

5

50

3.5 V

3V

0

1

2

3

4

5

0

40

80

120

160

200

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

120

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

150

80

100

40

g

fs

[S]

50

175 °C

25 °C

I

D

[A]

0

1

2

3

4

5

0

20

40

60

80

100

120

140

V

GS

[V]

I

D

[A]

修订版1.05

第5页

2010-01-19