技术参数
IN74HC74A
双D触发器具有置位和复位
高性能硅栅CMOS
该IN74HC74A在引出线的LS / ALS74相同。该
设备输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LS / ALSTTL输出兼容。
这个装置包括两个D触发器与个别设定，复位
和时钟输入。在D输入端的信息被转移到
在时钟的下一个正边沿对应的Q输出
输入。 Q和Q输出都可以从每一个触发器。设置
和复位输入是异步的。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
订购信息
IN74HC74AN塑料
IN74HC74AD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
SET
L
H
L
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
H
H
H
H
RESET
H
L
L
H
H
H
H
L
H
时钟
X
X
X
数据
X
X
X
H
L
X
X
输出
Q
H
L
H
*
H
L
Q
L
H
H
*
L
H
没有变化
没有变化
H
H
X
没有变化
*两个输出将维持高位，只要集
和复位为低，但输出状态是
不可预测的，如果设置和复位走高
同时。
X =无关
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IN74HC74A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±25
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
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技术参数
IN74HC74A
双D触发器具有置位和复位
该IN74HC74A在引出线的LS / ALS74相同。该器件的输入
与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，它们是
与LS / ALSTTL输出兼容。
这个装置包括两个D触发器与个别设定，复位和
时钟输入。在D输入端的信息被传输到对应的Q
输出在时钟输入的下一个正向边沿。两个Q和Q
输出可从各个触发器。置位和复位输入是
异步的。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
订购信息
IN74HC74AN塑料
IN74HC74AD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
SET
L
H
L
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
H
H
H
H
RESET
H
L
L
H
H
H
H
L
H
时钟
X
X
X
数据
X
X
X
H
L
X
X
输出
Q
H
L
H
*
H
L
Q
L
H
H
*
L
H
没有变化
没有变化
H
H
X
没有变化
*两个输出将维持高位，只要集
和复位为低，但输出状态是
不可预测的，如果设置和复位走高
同时。
X =无关
启示录00
IN74HC74A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗
**
SOIC封装
**
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±25
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
**
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
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