IPI70N10SL-16
IPP70N10SL -16， IPB70N10SL -16
SIPMOS
功率晶体管
特征
N沟道
增强型
逻辑电平
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
绿色包装
（无铅）
产品概述
V
DS
100
V
R
DS （ ON）
I
D
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
16
70
m
A
P-TO220-3-1
2
1
P-TO220-3-1
23
TYPE
IPP70N10SL-16
IPB70N10SL-16
IPI70N10SL-16
包
PG-TO220-3-1
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
订购代码
SP0002-25708
SP0002-25700
SP000225705
记号
N10L16
N10L16
N10L-16
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
TC=100°C
符号
I
D
价值
70
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
50
280
700
25
6
±20
250
-55... +175
55/175/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，单脉冲
I
D
=70 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=70A,
V
DS
=0V,
的di / dt
=200A/s
E
AR
dv / dt的
门源电压
功耗
T
C
=25°C
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
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工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
2006-02-14
IPI70N10SL-16
IPP70N10SL -16， IPB70N10SL -16
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
值
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.6
62.5
62
40
单位
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=2mA
符号
分钟。
值
典型值。
-
1.6
马克斯。
-
2
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
100
1.2
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= 2毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=150°C
A
-
0.1
-
10
14
10
1
100
100
25
16
nA
m
-
-
-
-
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,
I
D
=50A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=50A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
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IPI70N10SL-16
IPP70N10SL -16， IPB70N10SL -16
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
条件
分钟。
值
典型值。
65
3630
640
345
70
250
250
95
马克斯。
-
4540
800
430
105
375
375
145
ns
S
pF
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=50A
30
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
V
DD
=50V,
V
GS
=4.5V,
I
D
=70A,
R
G
=1.3
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=80V,
I
D
=70A
V
DD
=80V,
I
D
=70A,
V
GS
= 0至10V
-
-
-
-
10
34
160
3.22
15
51
240
-
nC
V
（高原）
V
DD
=80V,
I
D
=70A
I
S
T
C
=25°C
V
-
-
-
-
1.2
100
600
70
280
1.8
150
900
A
INV 。二极管直流，脉冲
I
SM
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
V
GS
=0V,
I
F
=140A
V
R
=50V,
I
F =
l
S
,
di
F
/ DT
=100A/s
-
-
-
V
ns
nC
Q
rr
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IPI70N10SL-16
IPP70N10SL -16， IPB70N10SL -16
1功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
280
SPP70N10L
2漏极电流
I
D
=
f
(
T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
SPP70N10L
75
W
240
220
200
A
60
55
50
P
合计
I
D
20
40
60
80
100
120 140
160
°C
190
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120 140
160
°C
190
T
C
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
3
SPP70N10L
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
SPP70N10L
K / W
A
t
P = 18.0μs
10
0
10
2
Z
thJC
10
-1
I
D
/
I
D
100 s
=
V
DS
10
-2
D = 0.50
0.20
1毫秒
10
1
R
DS
（上
)
10
-3
0.10
0.05
0.02
10毫秒
10
-4
单脉冲
0.01
DC
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
10
3
10
-5 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
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t
p
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IPI70N10SL-16
IPP70N10SL -16， IPB70N10SL -16
5典型。输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
170
SPP70N10L
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
80
SPP70N10L
P
合计
= 250W
ki
升汞F
V
GS [ V]
a
b
A
m
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
10.0
b
e
c
d
140
120
c
d
d
e
f
g
R
DS （ ON）
60
I
D
50
100
80
60
40
20
a
h
40
c
i
j
k
l
30
20
b
e
f
摹
金正日
d
4.0
e
4.5
f
5.0
g
5.5
h
6.0
i
6.5
j
7.0
k
l
8.0 10.0
10
V
GS
[V] =
b
3.0
c
3.5
0
0
1
2
3
4
V
5.5
0
0
20
40
60
80
100
A
130
V
DS
I
D
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
70
A
60
55
50
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
60
S
50
45
I
D
45
40
35
30
25
20
g
fs
V
40
35
30
25
20
15
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
5
10
5
0
0
10
20
30
40
A
55
V
GS
I
D
第5页
2006-02-14
QQ：2881677436 复制
