【IPI60R600CP的CoolMOSTM功率晶体管特点最低的数字品质因数的ONX Qg超低栅极电荷】,IC型号IPI60R600CP,IPI60R600CP PDF资料,IPI60R600CP经销商,ic,电子元器件-51电子网

IPI60R600CP

的CoolMOS

功率晶体管

特点

最低的数字品质因数的

X Q

超低栅极电荷

至尊的dv / dt评分

高峰值电流能力

根据JEDEC合格

为目标的应用

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

产品概述

@ T

， MAX

DS （ ON），最大

@ T

=25°C

克，典型值

650

0.6

PG-TO262

的CoolMOS CP是专为：

硬开关SMPS拓扑结构

TYPE

IPI60R600CP

包

PG-TO262

记号

6R600P

最大额定值，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

=25 °C

=100 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

AR2),3)

雪崩电流，重复性

AR2),3)

MOSFET的dv / dt坚固

门源电压

D，脉冲

的dV / dt

=0...480 V

STATIC

AC （F >1赫兹）

功耗

工作和存储温度

合计

英镑

=25 °C

=2.2 A,

=50 V

=2.2 A,

=50 V

价值

6.1

3.8

144

0.2

2.2

±20

±30

-55 ... 150

°C

V / ns的

单位

修订版2.0

第1页

2008-02-15

IPI60R600CP

最大额定值，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续二极管的正向电流

二极管脉冲电流

反向二极管的dv / dt

参数

符号条件

S，脉冲

的dV / dt

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

热阻，结 -

环境

焊接温度，

波峰焊只允许在引线

thJC

thJA

含铅

1.6毫米（ 0.063英寸）

从案例10秒

2.1

K / W

=25 °C

价值

3.3

值

典型值。

马克斯。

V / ns的

单位

出售

260

°C

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

=0 V,

=250 A

GS （ TH）

DSS

=220A

=600 V,

=0 V,

=25 °C

=600 V,

=0 V,

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

GSS

DS （ ON）

=20 V,

=0 V

=10 V,

=3.3 A,

=25 °C

=10 V,

=3.3 A,

=150 °C

栅极电阻

= 1 MHz时，漏极开路

600

2.5

3.5

0.54

100

0.6

1.5

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第2页

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IPI60R600CP

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

有效输出电容，能量

相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

值

典型值。

马克斯。

单位

国际空间站

OSS

O（ ER ）

=0 V,

=100 V,

= 1兆赫

550

=0 V,

=0 V

伏至480伏

O（ TR ）

D（上）

D（关闭）

=400 V,

=10 V,

=3.3 A,

=23.1

高原

=480 V,

=3.3 A,

= 0到10伏

4.7

RRM

=0 V,

=3.3 A,

=25 °C

0.8

220

2.3

1.2

=400 V,

/ DT = 100 A / μs的

J- STD20和JESD22

脉冲宽度

受

， MAX

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

*f.

，二/ dt≤400A / μs的，V

的dcLINK

=400V, V

PEAK

＆ LT ; V

（ BR ） DSS

, T

＆ LT ;吨

JMAX

，相同的低侧和高侧开关。

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

OSS

而

上升，从0至80％

DSS 。

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

OSS

而

上升，从0至80％

DSS 。

修订版2.0

第3页

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IPI60R600CP

1功耗

合计

= F （T

)

2安全工作区

= F（V

);

=25 °C;

参数：

限于由导通状态

阻力

1 s

10 s

合计

[W]

[A]

100 s

1毫秒

10毫秒

120

160

-1

[°C]

[V]

3最大。瞬态热阻抗

thJC

= F （T

)

参数：

D =吨

4典型。输出特性

= F（V

);

=25 °C

参数：

20 V

10 V

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

thJC

〔 K / W〕

[A]

5.5 V

-1

0.01

单脉冲

4.5 V

-2

-5

-4

-3

-2

-1

[s]

[V]

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第4页

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IPI60R600CP

5典型。输出特性

= F（V

);

=150 °C

参数：

10 V

20 V

6.5 V

5.5 V

6典型。漏源导通电阻

DS （ ON）

= F（我

);

=150 °C

参数：

2.8

2.4

[A]

DS （ ON）

[

]

5.5 V

20 V

4.5 V

1.6

1.2

[V]

[A]

7漏源导通电阻

DS （ ON）

= F （T

);

=3.3 A;

=10 V

8典型。传输特性

= F（V

); |V

|>2|I

DS （ ON）最大值

参数：

1.8

1.6

1.4

1.2

C °25

DS （ ON）

[

]

[A]

C °150

0.8

98 %

典型值

0.6

0.4

0.2

-60

-20

100

140

180

[°C]

[V]

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