【PD - 91841CIRLBA3803HEXFET功率MOSFET●●●●●●逻辑电平栅极驱动先进】,IC型号IRLBA3803,IRLBA3803 PDF资料,IRLBA3803经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 91841C

IRLBA3803

HEXFET

功率MOSFET

●

逻辑电平栅极驱动

先进的工艺技术

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

购买IRLBA3803 / P焊料电镀选项。

D

V

DSS

= 30V

R

DS （ ON）

= 0.005

G

I

D

= 179A

V

描述

国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常

高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

超级-220是已经被设计成具有相同的机械包

外形和引脚作为行业标准的TO- 220 ，但可以容纳相当

更大的硅芯片。它拥有两个TO- 220增加了电流处理能力

和更大的TO- 247封装。这使得它非常适合以减少组件

算在multiparalled的TO-220的应用，降低系统功率消耗，

升级现有设计或者在一个TO- 220外形TO- 247的性能。

这个包也被设计以满足汽车质量标准

Q101.

S

超级

-

220

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

Q

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩EnergyRU

雪崩CurrentQU

重复性雪崩EnergyQ

峰值二极管恢复的dv / dt

SU

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

推荐夹力

马克斯。

179

V

126V

720

270

1.8

±16

610

71

27

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

20

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

N

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.5

–––

马克斯。

0.55

–––

58

单位

° C / W

www.irf.com

1

05/20/02

IRLBA3803

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

30

–––

1.0

55

–––

典型值。

–––

0.052

–––

14

230

29

35

2.0

5.0

5000

1800

880

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1mAU

0.005

V

GS

= 10V ，我

D

= 71A ？吨

0.009

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 59A

T

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 71AU

25

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 16V

nA

-100

V

GS

= -16V

140

I

D

= 71A

41

NC V

DS

= 24V

78

V

GS

= 4.5V ，参照图6和13 ？恩

–––

V

DD

= 15V

–––

I

D

= 71A

–––

R

G

= 1.3

–––

R

D

= 0.20Ω ，见图。 10 ？

TU

D

铅之间，

–––

nH

6毫米（0.25英寸）。

G

从包

–––

S

而中心的模具接触

–––

V

GS

= 0V

–––

pF的V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。 5U

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管） Q

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 179

V

展示

A

G

整体反转

––– ––– 720

p-n结二极管。

S

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 71A ，V

GS

= 0V ？吨

––– 120 180

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 71A

––– 450 680

NC的di / dt = 100A / μs的

TU

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

Q

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

R

V

DD

= 15V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 180μH

R

G

= 25, I

AS

= 71A 。（参见图12）

T

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

U

使用IRL3803数据和试验条件。

V

基于最大允许计算出的连续电流

结温;对于推荐的电流处理的

包参考设计提示＃ 93-4

S

I

SD

≤

71A ， di / dt的

≤

130A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

2

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IRLBA3803

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 2.7V

顶部

1000

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 2.7V

顶部

100

2.7V

20μs的脉冲宽度

T = 175℃

J

°

1

10

100

2.7V

10

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T = 25℃

J

°

10

100

10

0.1

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

R

S（上）

，D雨来-S环境允许 n个R esistance

（N ORM alized ）

I

D

= 1 20 A

1.5

100

1.0

0.5

10

2.0

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

8.0

4.0

6.0

10.0

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

的s

= 10 V

100 120 140 160 180

A

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结牛逼EM perature （ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRLBA3803

10000

8000

V

的s

，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）

V

GS

C

国际空间站

C

ISS

RS s

SS

=

0V ,

F = 1MHz的

C

的s

+ C

克

, C

S

中文 TE

C

gd

C

ds

+ C

克

15

I

D

= 71 A

V

S

= 24 V

V

S

= 15 V

12

C，电容（pF ）

6000

C

OSS

9

4000

6

C

RSS

2000

3

0

1

10

100

A

0

40

80

FO 释T C IRC UIT

性S E ê图ú 1 3

120

160

A

200

V

S

，D雨来-S ourc é V oltage （ V）

Q

G

，T otal摹吃哈耶（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

100

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 175

°

C

1000

10us

T

J

= 25

°

C

10

100us

1ms

100

1

0.4

V

GS

= 0 V

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

10

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 ° C

单脉冲

1

10

10ms

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRLBA3803

200

不限按包

160

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

V

DD

-

120

4.5V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

80

图10A 。

开关时间测试电路

40

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.01

0.001

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.1

0.0001

0.001

0.01

P

DM

t

1

t

2

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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