IPI47N10S-33
IPP47N10S -33， IPB47N10S -33
特征
SIPMOS
=
功率晶体管
N沟道
增强型
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
100
33
47
P-TO220-3-1
V
A
绿色封装（无铅）
TYPE
IPP47N10S-33
IPB47N10S-33
IPI47N10S-33
包
订购代码
记号
N1033
N1033
N1033
PG-TO220-3-1
SP0002-25706
PG-TO263-3-2
SP0002-25702
PG-TO262-3-1
SP0002-25703
最大额定值，在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
47
33
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
第1页
188
400
17.5
6
±20
175
-55... +175
55/175/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=47A,
V
DS
=0V,
di/dt=200A/s
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D
=47 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
2006-02-14
m
IPI47N10S-33
IPP47N10S -33， IPB47N10S -33
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.85
62
62
40
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=2mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
-
-
100
2.1
值
典型值。
-
3
马克斯。
-
4
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= 2毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=150°C
A
0.1
-
10
25
1
100
100
33
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=33A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2006-02-14
漏源导通电阻
IPI47N10S-33
IPP47N10S -33， IPB47N10S -33
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
I
D
=33A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
26
2000
370
190
25
23
63
15
马克斯。
-
2500
465
240
39
36
99
22.5
单位
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=50V,
V
GS
=10V,
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=94A
V
R
=50V,
I
F =
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=80V,
I
D
=47A
V
DD
=80V,
I
D
=47A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=80V,
I
D
=47A
I
S
I
SM
T
C
=25°C
第3页
I
D
=47A,
R
G
=4.7
跨
g
fs
V
DS
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
13
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
ns
-
-
-
-
19
29
70
6.03
28.5
43.5
105
-
nC
V
-
-
-
-
-
-
-
1.1
100
400
47
188
1.5
150
600
A
V
ns
nC
2006-02-14
IPI47N10S-33
IPP47N10S -33， IPB47N10S -33
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
190
SPP47N10
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
10 V
55
SPP47N10
W
160
140
A
45
40
P
合计
I
D
120
100
80
60
35
30
25
20
15
40
20
0
0
10
5
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
3
SPP47N10
4瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
SPP47N10
K / W
A
t
P = 7.1μs
10 s
10
0
10
2
Z
thJC
I
D
10
-1
DS
/
I
D
=
V
100 s
DS
（上
)
10
-2
R
10
1
1毫秒
10
-3
单脉冲
10
-4 -7
10
10毫秒
DC
10
0 -1
10
10
0
10
1
10
2
V
10
3
10
-6
V
DS
第4页
T
C
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
2006-02-14
IPI47N10S-33
IPP47N10S -33， IPB47N10S -33
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
120
SPP47N10
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
100
l
100
90
80
i
V
GS [ V]
a
4.0
b
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.5
8.0
9.0
9.0
10.0
20.0
h
c
d
e
f
R
DS （ ON）
I
D
70
60
50
40
30
20
10
0
0
g
f
g
h
i
e
j
k
d
l
c
b
a
1
2
3
4
5
6
V
8
V
DS
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
60
A
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
35
S
50
45
25
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
g
fs
40
I
D
10
V
GS
第5页
80
70
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
A
A
P
合计
= 175W
m
VGS电压[V]的
5V
5.5V
6V
6.5V
7V
7.5V
8V
9V
10V
20V
110
A
I
D
60
I
D
2006-02-14
QQ：2881677436 复制
