【IPB051NE8N摹IPI05CNE8N摹IPP054NE8N摹的OptiMOS2电源晶体管特点】,IC型号IPI05CNE8NG,IPI05CNE8NG PDF资料,IPI05CNE8NG经销商,ic,电子元器件-51电子网

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

的OptiMOS

2电源晶体管

特点

N沟道，正常水平

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

极低的导通电阻

R

DS （ ON）

175 ° C的工作温度

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

根据JEDEC合格

1)

针对目标应用程序

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大（ 263 ）

I

D

85

5.1

100

V

m

A

适用于高频开关和同步整流

TYPE

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

包

记号

PG-TO263-3

051NE8N

PG-TO262-3

05CNE8N

PG-TO220-3

054NE8N

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

2)

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

3)

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

4)

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=100 A,

R

GS

=25

I

D

=100 A,

V

DS

=68 V,

的di / dt = 100 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

价值

100

400

826

6

±20

300

-55 ... 175

55/175/56

mJ

KV / μs的

V

W

°C

单位

A

修订版1.04

第1页

2006-02-17

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热特性

热阻，结 - 案

热阻，

结 - 环境

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

5)

-

0.5

62

40

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=250 A

V

DS

=68 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=68 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=100 A,

TO220 ， TO262

V

GS

=10 V,

I

D

=100 A,

TO263

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=100 A

85

2

-

3

0.1

-

4

1

A

V

-

10

1

4.1

100

5.4

nA

m

-

81

3.8

1.8

162

5.1

-

S

1)

2)

J- STD20和JESD22

电流是由键合线的限制;有

R

thJC

= 0.5 K / W ，芯片能够执行161 A.

见图3

T

JMAX

= 150 ℃，占空比D = 0.01 V

gs

<-5V

3)

4)

5)

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米

2

（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

修订版1.04

第2页

2006-02-17

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

6)

门源费

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

6)

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=40 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=50 A,

R

G

=1.6

V

GS

=0 V,

V

DS

=40 V,

f

= 1兆赫

-

9090

1710

120

28

42

64

21

12100 pF的

2270

180

42

61

96

31

ns

Q

gs

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

OSS

V

DD

=40 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=40 V,

I

D

=100 A,

V

GS

= 0到10伏

-

47

31

50

135

5.1

130

62

46

72

180

-

173

nC

V

nC

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=100 A,

T

j

=25 °C

V

R

=40 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

1.0

110

345

100

400

1.2

-

A

V

ns

nC

参见图16栅极电荷参数定义

修订版1.04

第3页

2006-02-17

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

350

120

300

100

250

80

P

合计

[W]

200

I

D

[A]

0

50

100

150

200

60

150

40

100

20

50

0

50

100

150

200

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

1000

1 s

10 s

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

0

0.5

100 s

100

1毫秒

10

-1

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

I

D

[A]

10毫秒

DC

Z

thJC

〔 K / W〕

10

-2

单脉冲

1

0.1

1

10

100

10

-3

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

修订版1.04

第4页

2006-02-17

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

400

8V

10 V

7V

6.5 V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

15

320

12

4.5 V

6V

R

DS （ ON）

[m

]

240

9

5V

I

D

[A]

5.5 V

160

5.5 V

6

6V

10 V

80

5V

3

4.5 V

0

1

2

3

4

5

0

50

100

150

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

300

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

200

250

160

200

120

150

g

fs

[S]

80

175 °C

25 °C

I

D

[A]

100

50

40

0

2

4

6

8

0

50

100

150

V

GS

[V]

I

D

[A]

修订版1.04

第5页

2006-02-17

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

的OptiMOS

2电源晶体管

特点

N沟道，正常水平

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

极低的导通电阻

R

DS （ ON）

175 ° C的工作温度

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

根据JEDEC合格

1)

针对目标应用程序

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大（ 263 ）

I

D

85

5.1

100

V

mΩ

A

适用于高频开关和同步整流

无卤素根据IEC61249-2-21

TYPE

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

包

记号

PG-TO263-3

051NE8N

PG-TO262-3

05CNE8N

PG-TO220-3

054NE8N

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

2)

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

3)

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

4)

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

T

C

=25 °C

I

D

=100 A,

R

GS

=25

Ω

I

D

=100 A,

V

DS

=68 V,

的di / dt = 100 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

价值

100

400

826

6

±20

T

C

=25 °C

300

-55 ... 175

55/175/56

mJ

KV / μs的

V

W

°C

单位

A

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

修订版1.2

第1页

2010-01-14

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热特性

热阻，结 - 案

热阻，

结 - 环境

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6厘米

2

散热面积

5)

-

0.5

62

40

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=250 A

V

DS

=68 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=68 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=100 A,

TO220 ， TO262

V

GS

=10 V,

I

D

=100 A,

TO263

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=100 A

85

2

-

3

0.1

-

4

1

A

V

-

10

1

4.1

100

5.4

nA

mΩ

-

81

3.8

1.8

162

5.1

-

Ω

S

1)

J- STD20和JESD22

电流是由键合线的限制;有

R

thJC

= 0.5 K / W ，芯片能够执行161 A.

见图3

T

JMAX

= 150 ℃，占空比D = 0.01 V

gs

<-5V

2)

3)

4)

5)

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

修订版1.2

第2页

2010-01-14

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

6)

门源费

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

6)

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=40 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=50 A,

R

G

=1.6

Ω

V

GS

=0 V,

V

DS

=40 V,

f

= 1兆赫

-

9090

1710

120

28

42

64

21

12100 pF的

2270

180

42

61

96

31

ns

Q

gs

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

OSS

V

DD

=40 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=40 V,

I

D

=100 A,

V

GS

= 0到10伏

-

47

31

50

135

5.1

130

62

46

72

180

-

173

nC

V

nC

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=100 A,

T

j

=25 °C

V

R

=40 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

1.0

110

345

100

400

1.2

-

A

V

ns

nC

参见图16栅极电荷参数定义

修订版1.2

第3页

2010-01-14

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

350

120

300

100

250

80

P

合计

[W]

200

I

D

[A]

150

100

50

0

50

100

150

200

60

40

20

0

50

100

150

200

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

1000

1 s

10 s

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

0

0.5

100 s

1毫秒

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

100

10

-1

I

D

[A]

10毫秒

DC

Z

thJC

〔 K / W〕

10

-2

单脉冲

1

0.1

1

10

100

10

-3

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

修订版1.2

第4页

2010-01-14

IPB051NE8N摹

IPI05CNE8N摹

IPP054NE8N摹

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

400

8V

10 V

7V

6.5 V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

15

320

12

4.5 V

240

R

DS （ ON）

[m

Ω

]

6V

9

5V

5.5 V

I

D

[A]

160

5.5 V

6

6V

10 V

80

5V

3

4.5 V

0

1

2

3

4

5

0

50

100

150

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

300

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

200

250

160

200

120

150

g

fs

[S]

80

175 °C

25 °C

I

D

[A]

100

50

40

0

2

4

6

8

0

50

100

150

V

GS

[V]

I

D

[A]

修订版1.2

第5页

2010-01-14