IC41C44002A/IC41C44002AS(L)
IC41LV44002A/IC41LV44002AS(L)
文档标题
4Mx4位动态RAM与EDO页面模式
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版本号
0A
历史
最初的草案
草案日期
九月4,2001
备注
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
DR026-0A 2001年9月4日
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IC41C44002A/IC41C44002AS(L)
IC41LV44002A/IC41LV44002AS(L)
4M ×4 （ 16兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
扩展数据输出（ EDO ）页面模式
访问周期
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔：
- 2048次/ 32毫秒
刷新模式：
RAS-只，
CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
5V ± 10％或3.3V ± 10％的
自2048刷新周期为S版
低功耗的L型。
描述
该
ICSI
44002系列是4194304 ×4位高性能
CMOS动态随机存取存储器。这些设备
提供所谓EDO页面模式的加速周期访问。
EDO页面模式允许在一个单一的2048随机访问
行访问周期时间尽可能短，每4位的字20纳秒。
这些特点使得44002系列非常适合于高
带宽的图形，数字信号处理，高性能
计算系统和外围设备的应用程序。
在44002系列封装在一个24引脚300MIL SOJ和24
脚TSOP - 2
产品系列概述
产品型号
IS41C44002A
IS41C44002AS(L)
IS41LV44002A
IS41LV44002AS(L)
刷新
2K
2K
2K
2K
电压
5V ± 10%
5V ± 10%
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
关键时序参数
参数
RAS
访问时间（吨
RAC
)
CAS
访问时间（吨
CAC
)
列地址访问时间（t
AA
)
EDO页面模式周期时间（t
PC
)
读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
引脚配置
24引脚SOJ ， TSOP- 2
VCC
I/O0
I/O1
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A10
I/O0-3
WE
OE
RAS
CAS
VCC
GND
NC
地址输入（ 2K刷新）
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
地
无连接
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
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DR026-0A 2001年9月4日
IC41C44002A/IC41C44002AS(L)
IC41LV44002A/IC41LV44002AS(L)
功能框图
OE
WE
CAS
控制
逻辑
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
CAS
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O3
存储阵列
4,194,304 x 4
地址
缓冲器
A0-A10
真值表
功能
待机
读
写：字（早期写）
读 - 写
EDO页面模式读取第一个周期：
第二个周期：
EDO页面模式写第一个周期：
第二个周期：
EDO页面模式
第一个周期：
读 - 写
第二个周期：
隐藏刷新
读
写
(1)
RAS-只
刷新
CBR刷新
注意：
1.早期只写。
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
CAS
H
L
L
L
→ L
→ L
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
WE
X
H
L
→ L
H
H
L
L
→ L
→ L
H
L
X
H
OE
X
L
X
L-H
L
L
X
X
L-H
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
高-Z
D
OUT
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
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IC41C44002A/IC41C44002AS(L)
IC41LV44002A/IC41LV44002AS(L)
功能说明
该IC41C44002A和IC41LV44002A是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率
应用程序。在读或写周期，每个位
通过11位地址唯一解决。这些都是
进入11位（ A0 - A10）的时间为2K刷新设备
。的行地址由行地址选通锁存
性（RAS） 。列地址由列锁存
地址选通（ CAS） 。
RAS
用于锁存所述第一11位
和
CAS
用于锁存后11位。
刷新周期
保留数据， 2048刷新周期需要在每
32毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器：
1.计时每2048行地址（ A0
通过A10 ）与
RAS
至少每32毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或
RAS-只
循环再
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期时，内部11位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
自刷新周期
(1)
在自刷新允许用户动态刷新，数据
保留模式在64毫秒延长更新周期。我。
即，每行32微秒使用分布式CBR刷新的时候。
该功能还允许用户的一个充分的选择静态
低功耗数据保持方式。可选的自刷新
功能是通过执行一个CBR刷新周期开始和
控股
RAS
LOW指定吨
RASS
.
在自刷新模式时，通过驱动终止
RAS
高
在t的最小时间
RPS
。这个延迟使得对于
任何内部刷新周期的完成，可能是在
进程的时间
RAS
低到高的转变。如果
DRAM控制器采用分布式刷新序列
在退出自刷新不要求脉冲串刷新。
然而，如果该DRAM控制器利用
RAS-只
or
爆刷新序列，所有2048行必须刷新
平均内部刷新率内，之前作的继续向
化的正常运行。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OE
都不满意。其结果是，在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ，
以先到为准
最后。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期（含周期的任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
注意：
1.自我刷新仅供S版。
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IC41C44002A/IC41C44002AS(L)
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绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
1.0
到+7.0
0.5
到4.6
1.0
到+7.0
0.5
到4.6
50
1
0至+70
55
+125
单位
V
V
mA
W
o
C
o
C
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或高于任何其他条件本规范的业务部门所标明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
1.0
0.3
0
典型值。
5.0
3.3
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
单位
V
V
V
o
C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 - A10 （ A11 ）
输入电容：
RAS ， CAS，WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O3
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25
o
C，F = 1兆赫。
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