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IPD85P04P4L-06
的OptiMOS
-P2功率三极管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
-40
6.4
-85
V
mW
A
特点
P沟道 - 逻辑电平 - 增强型
AEC合格
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色封装（符合RoHS）
100 ％雪崩测试
PG-TO252-3-313
TYPE
IPD85P04P4L-06
包
PG-TO252-3-313
记号
4P04L06
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
条件
T
C
=25°C,
V
GS
=-10V
T
C
=100°C,
V
GS
=-10V
2)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
2)
雪崩电流，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
I
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
-
T
C
=25°C
I
D
=-42.5A
-
-
T
C
=25 °C
-
-
价值
单位
连续漏电流
1)
I
D
-85
A
-66
-340
30
-85
±16
3)
88
-55 ... +175
55/175/56
mJ
A
V
W
°C
1.0版
第1页
2011-04-18
IPD85P04P4L-06
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
2)
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
-
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
4)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,
I
D
= -1mA
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-150A
V
DS
=-32V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=-32V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=-16V,
V
DS
=0V
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-50A
V
GS
=-10V,
I
D
=-85A
-40
-1.2
-
-
-1.7
-0.05
-
-2.2
-1
A
V
-
-
-
-
-
-
1.7
62
40
K / W
-
-
-
-
-20
-
7.7
5.3
-200
-100
10.3
6.4
nA
mW
1.0版
第2页
2011-04-18
IPD85P04P4L-06
参数
符号
条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
2)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
反向恢复时间
2)
反向恢复电荷
2)
1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-20V,
V
GS
=-10V,
I
D
=-85A,
R
G
=3.5W
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
5060
1520
60
17
10
62
39
6580
2280
120
-
-
-
-
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=-32V,
I
D
=-85A,
V
GS
= 0至-10V
-
-
-
-
19
13
80
-3.5
25
26
104
-
nC
V
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
-
T
C
=25°C
-
V
GS
=0V,
I
F
=-85A,
T
j
=25°C
V
R
=-20V,
I
F
=-50A,
di
F
/ DT = -100A / μs的
-
-
-
-
-
-1
56
64
-85
-340
-1.3
-
-
A
V
ns
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 1.7K / W ，芯片能够执行-94A在25℃ 。
由设计确定。不受生产测试。
V
GS
= + 5V / -16V根据AEC ; V
GS
= + 16V最大为168小时在T
J
=175°C
2)
3)
4)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1.0版
第3页
2011-04-18
IPD85P04P4L-06
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≤ -6V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
= -10V
100
100
80
80
60
60
P
合计
[W]
40
-I
D
[A]
40
20
20
0
0
50
100
150
200
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
1 s
10
0
10 s
0.5
100
100 s
Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
-I
D
[A]
1毫秒
10
-1
0.05
10
10
-2
0.01
单脉冲
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
-V
DS
[V]
t
p
[s]
1.0版
第4页
2011-04-18
IPD85P04P4L-06
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25 °C
参数： -V
GS
360
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= (I
D
);
T
j
= 25 °C
参数： -V
GS
40
2.8V 3V
3.5V
5V
35
300
30
240
4.5V
R
DS （ ON）
[m
W
]
25
-I
D
[A]
10V
180
20
4V
120
15
60
3.5V
10
4V
4.5V
3V
0
0
1
2
3
4
5
6
5V
10V
5
0
20
40
60
80
-V
DS
[V]
-I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= -6V
参数：
T
j
8典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= -85 A;
V
GS
= -10 V
8
280
7
R
DS （ ON）
[m
W
]
175 °C
210
-I
D
[A]
6
140
5
70
-55 °C
25 °C
0
1.6
2.6
3.6
4.6
4
-60
-20
20
60
100
140
180
-V
GS
[V]
T
j
[°C]
1.0版
第5页
2011-04-18
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