IS61C1024AL

IS64C1024AL

128K ×8高速CMOS静态RAM

特点

高速存取时间： 12日， 15纳秒

低有功功率： 160毫瓦（典型值）

低待机功耗： 1000 μW （典型值） CMOS

待机

输出使能（ OE ）和两个芯片使能

(CE1 and CE2) inputs for ease in applications

全静态操作：无时钟或刷新

需要

TTL兼容的输入和输出

单5V （ ± 10 ％ ）电源

商用，工业和汽车温度

TURE适用范围

无铅可

2012年5月

描述

该

ISSI

IS61C1024AL / IS64C1024AL是一个非常高

高速，低功耗， 131,072字由8位CMOS静态

的RAM 。他们使用的是ISSI公司的高性能捏造

CMOS技术。这加上高度可靠的工艺

以创新的电路设计技术，产生高

高性能和低功耗的器件。

When CE1 is HIGH or CE2 is LOW (deselected), the device

假设待机模式，在该功率耗散

可以通过使用CMOS输入电平被减少。

易存储器扩展，通过使用两个芯片提供

Enable inputs, CE1 and CE2. The active LOW Write Enable

（WE ）控制写入和读取的存储器。

该IS61C1024AL / IS64C1024AL可在32引脚

300-mil SOJ, 32-pin 400-mil SOJ, 32-pin TSOP (Type I,

8x20), and 32-pin sTSOP (Type I, 8 x 13.4) packages.

功能框图

A0-A16

解码器

128K ×8

存储阵列

VDD

GND

I / O

数据

电路

I/O0-I/O7

列I / O

CE1

CE2

OE

WE

控制

电路

Copyright 2011 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without

通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获取最新的

之前依靠任何公开信息及订货产品之前版本的设备规范。

集成的芯片解决方案，公司不建议在生命支持应用中使用其任何产品，其中产品的故障或失效推理

巧妙地预期造成的生命支持系统的故障或显著影响其安全性或有效性。产品未被授权用于此类应用

除非集成芯片解决方案，公司收到书面保证，满意，认为：

。一）损伤或损坏的风险被最小化;

。 b）使用者承担所有风险;和

角）的潜在集成芯片解决方案的责任，公司将受到充分保护的情况下，

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1

IS61C1024AL ， IS64C1024AL

引脚配置

32引脚SOJ

NC

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O0

I/O1

I/O2

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

引脚配置

32引脚的TSOP （类型1） （T）和sTSOP （类型1） （H）的

VDD

A15

CE2

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CE1

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

A11

A9

A8

A13

WE

CE2

A15

VDD

NC

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

OE

A10

CE1

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

A0

A1

A2

A3

引脚说明

A0 - A16地址输入

CE1

Chip Enable 1 Input

CE2

Chip Enable 2 Input

OE

输出使能输入

WE

写使能输入

I/O0-I/O7 Input/Output

V

DD

动力

GND¤

地

工作范围（ IS61C1024AL ）

范围

环境温度

商业0 ° C至+ 70°C

产业

-40°C to +85°C

V

dd

5V ± 10%

5V ± 10%

工作范围（ IS64C1024AL ）

范围

汽车

环境温度

-40°C to +125°C

V

dd

5V ± 10%

真值表

模式

WE

未选择

X

（掉电）

X

输出禁用

读

H

写

L

CE1

H

X

L

L

L

CE2

X

L

H

H

H

OE

X

X

H

L

X

I / O操作

高-Z

=高阻

高-Z

D

OUT

D

In

V

dd

当前

I

sb

1

, I

sb

2

I

sb

1

, I

sb

2

I

cc

1

, I

cc

2

I

cc

1

, I

cc

2

I

cc

1

, I

cc

2

2

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IS61C1024AL ， IS64C1024AL

绝对最大额定值

(1)

符号

V

TERM

t

英镑

P

t

I

OUT

参数

相对于GND端子电压

储存温度

功耗

直流输出电流（低）

价值

–0.5 to +7.0

–65 to +150

1.5

20

单位

V

°C

W

mA

注意事项：

1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause

永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作

该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值CON-

ditions长时间会影响其可靠性。

电容

(1,2)

符号

c

In

c

OUT

参数

输入电容

输出电容

条件

V

In

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

5

7

单位

pF

pF

注意事项：

1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.

2.测试条件：T已

a

= 25°c,

f = 1 MHz, V

DD

= 5.0V.

DC电气特性

（以上经营范围）

符号

V

oh

V

ol

V

Ih

V

Il

I

lI

I

lo

参数

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

(1)

输入漏

输出泄漏

测试条件

V

DD

=

分钟，我

oh

=

–4.0 mA

V

DD

=

分钟，我

ol

=

8.0 mA

GND ≤ V

In

≤

V

DD

GND ≤ V

OUT

≤

V

DD

输出禁用

COM 。

IND 。

自动。

COM 。

IND 。

自动。

分钟。

2.4

—

2.2

–0.3

–1

–2

–5

–1

–2

–5

马克斯。

—

0.4

V

DD

+ 0.5

0.8

1

2

5

1

2

5

单位

V

V

V

V

A

A

注意：

1. V

Il

= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。

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IS61C1024AL / IS64C1024AL电源特性

(1)

（以上经营范围）

符号参数

I

cc

1

I

cc

2

V

DD

操作

电源电流

V

DD

工作动态

电源电流

TTL待机电流

（ TTL输入）

CMOS待机

电流（ CMOS输入）

测试条件

V

DD

= V

DD MAX

., CE1 = V

Il

I

OUT

= 0

mA, f = 0

V

DD

= V

DD MAX

., CE1 = V

Il

I

OUT

= 0

毫安，女= F

最大

V

DD

= V

DD MAX

.,

V

In

= V

Ih

or≥V

Il

CE1 ≥ V

Ih

, f = 0 or

CE2 ≤ V

Il

, f = 0

V

DD

= V

DD MAX

.,

CE1 ≥ V

DD

– 0.2V,

ce2

≤

0.2V

V

In

≥

V

DD

– 0.2V,

or

V

In

≤

0.2V,

f = 0

COM 。

IND 。

自动。

COM 。

IND 。

自动。

典型值。

(2)

COM 。

IND 。

自动。

COM 。

IND 。

自动。

典型值。

(2)

-12 NS

分钟。

马克斯。

—

—

—

—

—

—

—

35

40

45

50

32

1

1.5

-15 NS

分钟。马克斯。

—

—

—

—

—

—

400

450

200

—

45

55

2

500

A

单位

mA

mA

mA

I

sb

1

I

sb

2

注意：

1. At f = f

最大

, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.

2. Typical Values are measured at V

DD

= 5V, T

a

= 25

o

C and not 100% tested.

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读周期开关特性

(1)

（以上经营范围）

符号

t

rc

t

aa

t

OHA

t

ACE

1

t

ACE

2

t

美国能源部

t

LZOE

(2)

t

HZOE

(2)

t

LZCE

1

(2)

t

LZCE

2

(2)

t

HZCE

(2)

t

Pu

(3)

t

PD

(3)

参数

读周期时间

-12

分钟。马克斯。

12

—

—

3

—

—

—

0

0

2

2

0

0

—

12

—

12

12

6

—

6

—

—

7

—

12

-15

分钟。马克斯。

15

—

—

3

—

—

—

0

0

2

2

0

0

—

15

—

15

15

7

—

6

—

—

8

—

12

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

地址访问时间

输出保持时间

CE1 Access Time

CE2 Access Time

OE访问时间

OE为低阻抗输出

OE为输出高阻态

CE1 to Low-Z Output

CE2 to Low-Z Output

CE1 or CE2 to High-Z Output

CE1 or CE2 to Power-Up

CE1 or CE2 to Power-Down

注意事项：

1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平

of 0 to 3.0V and output loading specified in Figure 1.

2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。

3.未经100％测试。

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序

和参考电平

输出负载

单位

0V to 3.0V

3 ns

1.5V

See Figures 1 and 2

AC测试负载

480

5V

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

255

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

255

480

图1

Rev. D的

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图2

5

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