IPB80N03S4L-02
IPI80N03S4L -03 ， IPP80N03S4L -03
的OptiMOS
-T2
功率晶体管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
（ SMD版）
I
D
30
2.4
80
PG-TO262-3-1
V
m
A
特点
N沟道 - 增强型
汽车AEC Q101标准
MSL1高达260 ℃的峰值回流焊
175 ° C工作温度
绿色产品（符合RoHS）
极低的RDS（ON）
100 ％雪崩测试
PG-TO263-3-2
PG-TO220-3-1
TYPE
IPB80N03S4L-02
IPI80N03S4L-03
IPP80N03S4L-03
包
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
记号
4N03L02
4N03L03
4N03L03
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
1)
符号
I
D
条件
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩电流，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
I
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=80 A
T
C
=25 °C
价值
80
80
320
260
80
±16
136
-55 ... +175
55/175/56
mJ
A
V
W
°C
单位
A
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IPB80N03S4L-02
IPI80N03S4L -03 ， IPP80N03S4L -03
参数
符号
条件
分钟。
热特性
2)
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
3)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=90 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
2)
V
DS
=18 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=85 °C
2)
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=16 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=40 A
V
GS
=4.5 V,
I
D
=40 A,
SMD版
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
SMD版
30
1.0
-
-
1.5
0.01
-
2.2
1
A
V
-
-
-
-
-
-
-
-
1.1
62
62
40
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
-
10
1000
-
-
-
-
-
-
5
1
2.8
2.5
2.3
2.0
60
100
3.2
2.9
2.7
2.4
nA
m
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IPI80N03S4L -03 ， IPP80N03S4L -03
参数
符号
条件
分钟。
动态特性
2)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
2)
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=80 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
0.6
-
-
0.9
80
320
1.3
V
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=24 V,
I
D
=80 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
22
14
110
3.1
30
28
140
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
R
G
=3.5
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
7500
1900
100
14
9
62
13
9750
2500
200
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复时间
2)
t
rr
-
120
-
ns
反向恢复电荷
2)
1)
Q
rr
-
100
-
nC
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 1.1K / W ，芯片能够承载192A在25℃ 。有关详细
信息，请参阅应用笔记ANPS071E在
www.infineon.com/optimos
2)
3)
由设计确定。不受生产测试。
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
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IPI80N03S4L -03 ， IPP80N03S4L -03
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
V
GS
≥
6 V
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥
6 V ; SMD
160
140
100
80
120
100
60
P
合计
[W]
80
60
40
I
D
[A]
40
20
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
20
0
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
= 25 °C;
D
= 0; SMD
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
1 s
10 s
100 s
10
0
100
1毫秒
0.5
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.1
10
-1
0.05
10
10
-2
0.01
单脉冲
1
0.1
1
10
100
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
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IPB80N03S4L-02
IPI80N03S4L -03 ， IPP80N03S4L -03
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25°C ; SMD
参数：
V
GS
360
10 V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
= 25°C ; SMD
参数：
V
GS
10
3V
3.5 V
320
280
240
200
160
120
80
40
5V
4.5 V
4V
9
8
7
3.5 V
R
DS （ ON）
[m]
I
D
[A]
6
5
4
3V
3
2
1
4V
4.5 V
5V
10 V
2.5 V
0
0
1
2
3
4
0
50
100
150
200
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
= 6V
参数：
T
j
350
-55 °C
25 °C
175 °C
8典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
= 80 A;
V
GS
= 10 V ; SMD
3.5
300
3
250
R
DS （ ON）
[m
]
1
2
3
4
5
200
2.5
I
D
[A]
150
2
100
1.5
50
0
1
-60
-20
20
60
100
140
180
V
GS
[V]
T
j
[°C]
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