【INA826www.ti.comSBOS562A–2011年8月–修订2011年9月精密， 200 】,IC型号INA826AIDR,INA826AIDR PDF资料,INA826AIDR经销商,ic,电子元器件-51电子网

INA826

www.ti.com

SBOS562A

–

2011年8月

–

修订2011年9月

精密， 200 μA电源电流， 2.7 V至36 V电源

仪表放大器具有轨至轨输出

检查样品：

INA826

特点

描述

该INA826是一种低成本的仪表放大器

可提供极低的功耗和

工作在一个很宽的单电源或双电源

范围内。单个外部电阻设置为1的任何收益

到1000提供出色的温度稳定性，

即使于G1

＆ GT ;

1 ，作为唯一的低增益漂移的结果

为35ppm / ℃（最大值）。

该INA826经过优化，提供卓越的

超过100分贝（ G = 10 ），共模抑制比

在频率高达5千赫。在G = 1，则

共模抑制比大于整个84分贝

在整个输入共模范围从负

提供一路攀升到正电源的1 V 。

使用轨对轨输出时， INA826非常适合

从2.7 V单电源供电的低电压操作

以及双电源到

±18

额外的电路防止输入

达的过电压

±40

V超越的动力

用品通过限制输入电流小于

8毫安。

该INA826可在SO - 8 ， MSOP -8和微小

3-mm

3毫米DFN - 8表面贴装封装。所有

版本指定

–40°C

至+ 125°C

温度范围。

相关产品

设备

INA333

PGA280

INA159

PGA112

描述

25-V V

, 0.1

μV/°C

漂移， 1.8 V至5 V ，复制权，

50 μA我

，斩波稳定INA

20 mV至

±10-V

可编程增益IA与3 - V或

5 -V的差分输出;模拟电源达

±18

G = 0.2 V差分放大器

±10-V

3 -V和

5 - V转换

精密可编程增益运算放大器，具有SPI

接口

输入共模范围：包括V-

共模抑制比：

–

104分贝，分钟（ G = 10 ）

–

百分贝，分在5千赫（G = 10 ）

电源抑制比：100 dB时，分（G = 1 ）

低失调电压： 150

最大

增益漂移： 1 PPM / ° C（ G = 1 ）， 35 PPM /°C，（G

＆ GT ;

噪声： 18纳伏/ √Hz的，G

≥

100

带宽： 1兆赫（G = 1）， 60千赫（G = 100）

受保护的投入达

±40

轨到轨输出

电源电流： 200

电源电压范围：

–

单电源： +2.7 V至+36 V

–

双电源：

±1.35

V到

±18

规定温度范围：

–40°C

至+ 125°C

封装： MSOP - 8 ， SO -8和DFN - 8

234

应用

工业过程控制

断路器

电池测试仪

ECG放大器

电力自动化

医疗器械

便携式仪表

-IN

+ IN

MSOP - 8 ， SO- 8

OUT

REF

-V

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

SPI是摩托罗拉公司的注册商标。

PhotoMOS是松下电工欧洲AG的注册商标。

所有其他商标均为其各自所有者的财产。

版权

2011年，德州仪器

除非另有说明这个文件包含

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

INA826

SBOS562A

–

2011年8月

–

修订2011年9月

www.ti.com

这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。

封装/订购信息

(1)

产品

INA826

(1)

(2)

PACKAGE -LEAD

MSOP-8

SO-8

(2)

封装标识

DGK

DRG

包装标志

IPDI

I826

IPEI

DFN-8

(2)

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问

器件产品文件夹在

www.ti.com 。

产品预览设备。

绝对最大额定值

(1)

INA826

电源电压

输入电压范围

REF输入

输出短路

(2)

单位

连续

°C

±20

±40

±20

–50

+150

–65

+150

+175

2500

1500

150

工作温度范围，T

存储温度范围，T

结温，T

人体模型（ HBM ）

ESD额定值

带电器件模型（ CDM）

机器模型（ MM ）

(1)

(2)

强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会

降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件

这些规定是不是暗示。

短路到V

/2.

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INA826

版权

2011年，德州仪器

INA826

www.ti.com

SBOS562A

–

2011年8月

–

修订2011年9月

电气特性

在T

= + 25 ° C，V

±15

V ，R

= 10 kΩ的，V

REF

= 0V ，且G = 1，除非另有说明。

INA826

参数

输入

OSI

OSO

输入级失调电压

(1)

输出级的偏置

电压

(1)

RTI

与温度，T

–40°C

至+ 125°C

RTI

与温度，T

–40°C

至+ 125°C

G = 1 ，RTI

PSRR

电源抑制

G = 10 ，RTI

G = 100 ，RTI

G = 1000 ， RTI

差分阻抗

共模阻抗

RFI滤波器，

–3-dB

频率

工作输入范围

(2)

输入过电压范围

V–

±1.35

V到

±18

V，T

–40°C

至+ 125°C

–40°C

至+ 125°C

G = 1，V

= （ V - ）到（V +）

–

1 V

G = 10 ，V

= （ V - ）到（V +）

–

1 V

DC到

60赫兹， RTI

CMRR

共模抑制

G = 100 ，V

= （ V - ）到（V +）

–

1 V

G = 1000 ，V

= （ V - ）到（V +）

–

1 V

G = 1，V

= （ V - ）到（V +）

–

1 V,

–40°C

至+ 125°C

G = 1，V

= （ V - ）到（V +）

–

1 V

在5千赫，

RTI

G = 10 ，V

= （ V - ）到（V +）

–

1 V

G = 100 ，V

= （ V - ）到（V +）

–

1 V

G = 1000 ，V

= （ V - ）到（V +）

–

1 V

偏置电流

输入偏置电流

= V

–40°C

至+ 125°C

= V

–40°C

至+ 125°C

F = 1 kHz，则G = 100 ，R

= 0

= 0.1赫兹到10赫兹，G = 100 ，R

= 0

F = 1千赫，G = 1，R

= 0

= 0.1赫兹到10赫兹，G = 1，R

= 0

F = 1千赫

= 0.1赫兹到10赫兹

0.52

110

3.3

100

115

0.7

104

120

100

105

115

130

100

115

120

0.4

200

124

130

140

20 || 1

10 || 5

(V+)

–

150

700

μV/°C

GΩ || pF的

兆赫

±40

测试条件

民

典型值

最大

单位

SEE

图41

图44

输入失调电流

噪声电压

输入级电压噪声

(3)

输出级的电压噪声

(3)

纳伏/赫兹÷

FA / √Hz的

噪声电流

(1)

(2)

(3)

总的偏移，简称到输入端（RTI ）： V

= (V

OSI

) + (V

OSO

/G).

输入电压范围的INA826输入级。输入范围取决于共模电压，差分电压，增益和

基准电压。见典型特性曲线

图9

通过

图16

和

图41

通过

图44

了解更多信息。

) +

RTI总电压噪声=

版权

2011年，德州仪器

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INA826

INA826

SBOS562A

–

2011年8月

–

修订2011年9月

www.ti.com

电气特性（续）

在T

= + 25 ° C，V

±15

V ，R

= 10 kΩ的，V

REF

= 0V ，且G = 1，除非另有说明。

INA826

参数

收益

测试条件

民

典型值

最大

单位

49.4千瓦

增益公式

增益范围

G = 1，V

±10

增益误差

G = 10 ，V

±10

G = 100 ，V

±10

G = 1000 ，V

±10

增益与温度

(4)

G = 1，T

–40°C

至+ 125°C

＆ GT ;

1, T

–40°C

至+ 125°C

G = 1至100 ，V

–10

V至+10 V

G = 1000 ，V

–10

V至+10 V

= 10 k

(V–) + 0.1

1000

SEE

图56

持续到V

G=1

带宽，

–3

G = 10

G = 100

G = 1000

压摆率

G = 1，V

±14.5

G = 100 ，V

±14.5

G = 1，V

步

= 10 V

建立时间0.01％

G = 10 ，V

步

= 10 V

G = 100 ，V

步

= 10 V

G = 1000 ，V

步

= 10 V

G = 1，V

步

= 10 V

建立时间为0.001 ％

G = 10 ，V

步

= 10 V

G = 100 ，V

步

= 10 V

G = 1000 ，V

步

= 10 V

±16

±0.003

±0.03

±0.04

±0.1

±10

1000

±0.015

±0.15

±1

±35

V/V

PPM /°C的

PPM

非线性增益

产量

电压摆幅

负载电容的稳定性

开环输出阻抗

短路电流

频率响应

(V+)

–

0.15

500

224

278

兆赫

千赫

V / μs的

(4)

对于G中指定的值

＆ GT ;

1不包括外部增益设置电阻R的影响

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版权

2011年，德州仪器

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–

2011年8月

–

修订2011年9月

电气特性（续）

在T

= + 25 ° C，V

±15

V ，R

= 10 kΩ的，V

REF

= 0V ，且G = 1，除非另有说明。

INA826

参数

参考输入

输入阻抗

电压范围

争取到输出

参考增益误差

电源

电源电压

单身

双

= 0 V

与温度，T

–40°C

至+ 125°C

–40

–50

+2.7

±1.35

200

250

+36

±18

250

300

(V–)

0.01

100

(V+)

kΩ

V/V

测试条件

民

典型值

最大

单位

静态电流

温度范围

特定网络版

操作

+125

+150

°C

热信息

INA826

热公制

JCtop

JCbot

(1)

INA826

DGK （ MSOP ）

8引脚

215.4

66.3

97.8

10.5

96.1

不适用

INA826

DRG （ DFN ）

8引脚

50.9

60.0

25.4

1.2

25.5

7.2

° C / W

单位

D（ SOIC ）

8引脚

141.4

75.4

59.6

27.4

59.1

不适用

结至环境热阻

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板的热阻

结至顶部的特征参数

结至电路板的特征参数

结至外壳（底部）热阻

有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅

IC封装热度量

申请报告，

SPRA953.

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精密， 200 μA电源电流， 2.7 V至36 V电源

仪表放大器具有轨至轨输出

检查样品：

INA826

特点

描述

该INA826是一种低成本的仪表放大器

可提供极低的功耗和

工作在一个很宽的单电源或双电源

范围内。单个外部电阻设置为1的任何收益

到1000提供出色的温度稳定性，

连于G1 > 1 ，由于只有低增益漂移的结果

为35ppm / ℃（最大值）。

该INA826经过优化，提供卓越的

超过100分贝（ G = 10 ），共模抑制比

在频率高达5千赫。中，G = 1时，共

模抑制比超过在整个84分贝

输入共模范围从负电源

一路攀升到正电源的1 V 。利用

轨到轨输出，该INA826是非常适合于低

从2.7 V单电源供电电压操作，以及

作为双电源供电高达± 18 V.

额外的电路防止输入

最高过电压为± 40 V超越的动力

用品通过限制输入电流小于

8毫安。

该INA826可在SO - 8 ， MSOP -8和微小

3毫米× 3毫米DFN - 8表面贴装封装。所有

版本工作在-40° C至+ 125 ° C温度范围

温度范围。

相关产品

设备

INA333

PGA280

INA159

PGA112

描述

25-V V

， 0.1 μV/°C V

漂移， 1.8 V至5 V ，复制权，

50 μA我

，斩波稳定INA

20 mV至± 10V的可编程增益IA与3 - V或

5 -V的差分输出;模拟电源高达± 18 V

G = 0.2 V差分放大器± 10 V至3 V和

5 - V转换

精密可编程增益运算放大器，具有SPI

接口

输入共模范围：包括V-

共模抑制比：

- 104分贝，分钟（ G = 10 ）

- 百分贝，分在5千赫（G = 10 ）

电源抑制：100 dB时，分（G = 1 ）

- 低失调电压： 150 μV ，最大

增益漂移： 1 PPM / ° C（ G = 1 ）， 35 PPM /°C，（G > 1 ）

噪声： 18纳伏/ √Hz的，G

≥

100

带宽： 1兆赫（G = 1）， 60千赫（G = 100）

受保护的投入高达± 40 V

轨到轨输出

电源电流： 200 μA

电源电压范围：

- 单电源： +2.7 V至+36 V

- 双电源： ± 1.35 V至± 18 V

规定温度范围：

-40 ° C至+ 125°C

封装： MSOP - 8 ， SO -8和DFN - 8

234

应用

工业过程控制

断路器

电池测试仪

ECG放大器

电力自动化

医疗器械

便携式仪表

-IN

+ IN

MSOP - 8 ， SO- 8

OUT

REF

-V

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

SPI是摩托罗拉公司的注册商标。

PhotoMOS是松下电工欧洲AG的注册商标。

所有其他商标均为其各自所有者的财产。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

INA826

SBOS562C - 2011年8月 - 修订2012年3月

www.ti.com

这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。

封装/订购信息

(1)

产品

INA826

PACKAGE -LEAD

MSOP-8

SO-8

DFN-8

(1)

封装标识

DGK

DRG

包装标志

IPDI

I826

IPEI

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问

器件产品文件夹在

www.ti.com 。

绝对最大额定值

(1)

INA826

电源电压

输入电压范围

REF输入

输出短路

(2)

工作温度范围，T

存储温度范围，T

结温，T

人体模型（ HBM ）

ESD额定值

带电器件模型（ CDM）

机器模型（ MM ）

(1)

(2)

±20

±40

±20

连续

-50至+150

-65到+150

+175

2500

1500

150

°C

单位

强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会

降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件

这些规定是不是暗示。

短路到V

/2.

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INA826

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SBOS562C - 2011年8月 - 修订2012年3月

电气特性

在T

= + 25 ° C，V

= ± 15 V ，R

= 10 kΩ的，V

REF

= 0V ，且G = 1，除非另有说明。

INA826

参数

输入

OSI

OSO

输入级失调电压

(1)

输出级的偏置

电压

(1)

RTI

与温度，T

= -40 ° C至+ 125°C

RTI

与温度，T

= -40 ° C至+ 125°C

G = 1 ，RTI

PSRR

电源抑制

G = 10 ，RTI

G = 100 ，RTI

G = 1000 ， RTI

差分阻抗

共模阻抗

RFI滤波器， -3 dB的频率

工作输入范围

(2)

输入过电压范围

V–

= ± 1.35 V至± 18 V ，T

= -40 ° C至+ 125°C

G = 1，V

= （ V - ）到（V +） - 1伏

G = 10 ，V

= （ V - ）到（V +） - 1伏

DC到

60赫兹， RTI

CMRR

共模抑制

G = 100 ，V

= （ V - ）到（V +） - 1伏

G = 1000 ，V

= （ V - ）到（V +） - 1伏

G = 1，V

= （ V - ）到（V +） - 1 V，

= -40 ° C至+ 125°C

G = 1，V

= （ V - ）到（V +） - 1伏

在5千赫，

RTI

G = 10 ，V

= （ V - ）到（V +） - 1伏

G = 100 ，V

= （ V - ）到（V +） - 1伏

G = 1000 ，V

= （ V - ）到（V +） - 1伏

偏置电流

输入偏置电流

= V

= -40 ° C至+ 125°C

= V

= -40 ° C至+ 125°C

F = 1 kHz，则G = 100 ，R

= 0

= 0.1赫兹到10赫兹，G = 100 ，R

= 0

F = 1千赫，G = 1，R

= 0

= 0.1赫兹到10赫兹，G = 1，R

= 0

F = 1千赫

= 0.1赫兹到10赫兹

0.52

110

3.3

100

115

0.7

104

120

100

105

115

130

100

115

120

0.4

200

124

130

140

20 || 1

10 || 5

(V+) – 1

150

700

μV/°C

GΩ || pF的

兆赫

±40

测试条件

民

典型值

最大

单位

SEE

图41

图44

输入失调电流

噪声电压

输入级电压噪声

(3)

输出级的电压噪声

(3)

纳伏/赫兹÷

FA / √Hz的

噪声电流

(1)

(2)

(3)

总的偏移，简称到输入端（RTI ）： V

= (V

OSI

) + (V

OSO

/G).

输入电压范围的INA826输入级。输入范围取决于共模电压，差分电压，增益和

基准电压。见典型特性曲线

图9

通过

图16

和

图41

通过

图44

了解更多信息。

) +

RTI总电压噪声=

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INA826

INA826

SBOS562C - 2011年8月 - 修订2012年3月

www.ti.com

电气特性（续）

在T

= + 25 ° C，V

= ± 15 V ，R

= 10 kΩ的，V

REF

= 0V ，且G = 1，除非另有说明。

INA826

参数

收益

测试条件

民

典型值

最大

单位

49.4千瓦

增益公式

增益范围

G = 1，V

= ±10 V

增益误差

G = 10 ，V

= ±10 V

G = 100 ，V

= ±10 V

G = 1000 ，V

= ±10 V

增益与温度

(4)

G = 1，T

= -40 ° C至+ 125°C

> 1 ，T

= -40 ° C至+ 125°C

G = 1至100 ，V

= -10 V至+10 V

G = 1000 ，V

= -10 V至+10 V

= 10 k

(V–) + 0.1

1000

SEE

图56

持续到V

G=1

带宽的-3 dB

G = 10

G = 100

G = 1000

压摆率

G = 1，V

= ±14.5 V

G = 100 ，V

= ±14.5 V

G = 1，V

步

= 10 V

建立时间0.01％

G = 10 ，V

步

= 10 V

G = 100 ，V

步

= 10 V

G = 1000 ，V

步

= 10 V

G = 1，V

步

= 10 V

建立时间为0.001 ％

G = 10 ，V

步

= 10 V

G = 100 ，V

步

= 10 V

G = 1000 ，V

步

= 10 V

±16

±0.003

±0.03

±0.04

±0.1

±10

1000

±0.015

±0.15

±1

±35

V/V

PPM /°C的

PPM

非线性增益

产量

电压摆幅

负载电容的稳定性

开环输出阻抗

短路电流

频率响应

(V+) – 0.15

500

224

278

兆赫

千赫

V / μs的

(4)

对于G > 1指定的值不包括在外部增益设置电阻R的影响

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SBOS562C - 2011年8月 - 修订2012年3月

电气特性（续）

在T

= + 25 ° C，V

= ± 15 V ，R

= 10 kΩ的，V

REF

= 0V ，且G = 1，除非另有说明。

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参数

参考输入

输入阻抗

电压范围

争取到输出

参考增益误差

电源

电源电压

单身

双

= 0 V

与温度，T

= -40 ° C至+ 125°C

–40

–50

+2.7

±1.35

200

250

+36

±18

250

300

(V–)

0.01

100

(V+)

kΩ

V/V

测试条件

民

典型值

最大

单位

静态电流

温度范围

特定网络版

操作

+125

+150

°C

热信息

INA826

热公制

JCtop

JCbot

(1)

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DGK （ MSOP ）

8引脚

215.4

66.3

97.8

10.5

96.1

不适用

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DRG （ DFN ）

8引脚

50.9

60.0

25.4

1.2

25.5

7.2

° C / W

单位

D（ SOIC ）

8引脚

141.4

75.4

59.6

27.4

59.1

不适用

结至环境热阻

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板的热阻

结至顶部的特征参数

结至电路板的特征参数

结至外壳（底部）热阻

(1)

有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅

IC封装热度量

申请报告，

SPRA953.

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