快速
4K ×8双端口
静态SRAM
特点
高速存取
- 军事：三十五分之二十五/ 45/ 55 / 70ns的（最大）
??工业： 55ns （最大）
- 商业： 20/25 /35 / 55分之45 / 70ns的（最大）
低功耗工作
- IDT7134SA
主动：为700mW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT7134LA
主动：为700mW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
从任何一个端口完全异步操作
电池备份操作？ 2V数据保留
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
可提供48引脚DIP ， LCC ，扁平封装和52引脚PLCC
军工产品符合MIL -PRF- 38535 QML
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）可用于
选定速度
IDT7134SA/LA
描述
x
x
x
x
x
x
x
x
的IDT7134的是一个高速4K ×8双端口静态RAM
设计的系统中使用，其中片上硬件端口仲裁
是不需要的。这部分适合于那些系统，不能
忍受的等待状态或者被设计为能够从外部进行仲裁或
承受争用时，两侧同时访问
同样的双端口RAM的位置。
该IDT7134提供了独立控制两个独立的端口，
地址，和I / O引脚，其允许独立的，异步访问
用于读或写操作的任何位置在存储器中。它是用户？责任
以确保数据的完整性，当同时访问同一
从两个端口存储器位置。自动断电功能，
通过控制
CE，
允许执行片上的电路的每个端口的输入
极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
双端口通常对功耗仅为700mW的运行。低功耗（ LA ）
版本提供电池备份的数据保持能力，与每个端口
通常从2V的电池消耗200μW 。
该IDT7134包装上无论是sidebraze或塑料48针
DIP ，48引脚LCC ， 52引脚PLCC和48引脚扁平封装。军工级
产品制造符合MIL-的最新版本
PRF- 38535 QML ，使得它非常适合于军用温度
要求苛刻的应用程序的性能和可靠性的最高水平。
功能框图
读/写
L
CE
L
读/写
R
CE
R
OE
L
I / O
0L
- I / O
7L
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
OE
R
I / O
0R
- I / O
7R
A
0L
- A
11L
LEFT SIDE
地址
解码
逻辑
内存
ARRAY
右侧
地址
解码
逻辑
A
0R
- A
11R
2720 DRW 01
1999年6月
1
DSC-2720/9
IDT7134SA/LA
高速4K ×8双端口静态SRAM
军事，工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
读/写
L
CE
L
读/写
R
N / C
A
11R
I / O
5L
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
3R
I / O
6R
I / O
4L
I / O
6L
I / O
7L
CE
L
读/写
L
A
11L
A
10L
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
1
48
2
47
3
46
4
45
5
44
6
43
7
42
8
IDT7134P或C
41
P48-1
(4)
9
40
＆放大器;
10
39
C48-2
(4)
11
38
48-Pin
12
37
顶部
13
意见
(5)
36
14
35
15
34
16
33
17
32
18
31
19
30
20
29
21
28
22
27
23
26
24
25
V
CC
CE
R
读/写
R
A
11R
A
10R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
,
2720 DRW 02
指数
7 6 5
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
4 3
2
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
A
10R
A
10L
A
11L
A
0L
OE
L
V
CC
CE
R
N / C
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
IDT7134J
J52-1
(4)
52-Pin
PLCC
41
40
39
38
37
36
顶视图
(5)
35
34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
2720 DRW 03
A
11L
读/写
L
CE
L
读/写
R
指数
6 5
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
注意事项：
1.所有V
CC
引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. P48-1包体约为0.55英寸x 0.61英寸x 0.19英寸
C48-2包体约为0.62英寸x 2.43英寸x 0.15英寸
J52-1包体约为0.75英寸x 0.75英寸x 0.17英寸
L48-1包体约为0.57英寸x 0.57英寸x 0.68英寸
F48-1包体approxiamtely 0.75英寸x 0.75英寸x 0.11英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文不表示实际部件标记的方向。
4 3
2
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
1
48 47 46 45 44 43
42
41
40
39
A
10R
OE
R
A
11R
V
CC
CE
R
A
10L
A
0L
OE
L
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
,
IDT7134L48或F
L48-1
(4)
＆放大器;
F48-1
(4)
48引脚LCC /扁平
顶视图
(5)
38
37
36
35
34
33
32
I / O
2L
31
18
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
I / O
4R
I / O
5R
GND
I / O
0R
I / O
1R
2
I / O
2R
I / O
3R
I / O
3L
I / O
4L
I / O
6L
I / O
7L
I / O
5
L
2720 DRW 04
IDT7134SA/LA
高速4K ×8双端口静态SRAM
军事，工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
动力
耗散
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
推荐工作
温度和电源电压
(1,2)
GRADE
军事
环境
温度
-55
O
C至+ 125
O
C
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
2720 TBL 03
T
BIAS
T
英镑
P
T
(3)
I
OUT
-55到+125
-55到+125
1.5
50
-65到+135
-65到+150
1.5
50
o
C
C
广告
产业
o
W
mA
2720 TBL 01
注意事项：
1.这是参数T
A
.
2，工业级温度：特定速度，包和权力联系您
销售网络的CE 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间的25％以上或10纳秒
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> Vcc的+ 10％ 。
3. V
TERM
= 5.5V.
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2720 TBL 04
电容
符号
C
IN
C
OUT
(1)
V
IL
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
11
11
单位
pF
pF
2720 TBL 02
参数
输入电容
输出电容
注意事项：
1. V
IL
（分钟） > -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
切换为0V至3V和3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5V ± 10%)
7134SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
- V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 6毫安
I
OL
= 8毫安
V
OH
输出高电压
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
___
7134LA
分钟。
___
___
___
___
马克斯。
10
10
0.4
0.5
___
马克斯。
5
5
0.4
0.5
___
单位
A
A
V
V
V
2720 TBL 05
2.4
2.4
注意事项：
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
3
IDT7134SA/LA
高速4K ×8双端口静态SRAM
军事，工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,2,4)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7134X20
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
CE
= V
IL
输出打开
f = f
最大
(3)
测试条件
VERSION
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
有源输出端口打开，
f=f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
170
170
____
____
7134X25
Com'l &
军事
典型值。
160
160
160
160
25
25
25
25
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
95
95
95
95
马克斯。
280
220
310
260
80
50
100
80
180
140
210
170
15
4.0
30
10
170
120
210
150
7134X35
Com'l &
军事
典型值。
150
150
150
150
25
25
25
25
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
85
85
马克斯。
260
210
300
250
75
45
75
55
170
130
200
160
15
4.0
30
10
160
110
190
130
2720 TBL 06A
马克斯。
280
240
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
和
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(3)
25
25
____
____
100
80
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
105
105
____
____
180
150
____
____
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
一个端口
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
or
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
有源输出端口打开，
f = f
最大
(3)
1.0
0.2
____
____
15
4.5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
105
105
____
____
170
130
____
____
mA
7134X45
Com'l &
军事
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
CE
= V
IL
输出打开
f = f
最大
(3)
测试条件
VERSION
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
有源输出端口打开，
f=f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
140
140
140
140
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
马克斯。
240
200
280
240
70
40
70
50
160
130
190
150
15
4.0
30
10
150
100
180
120
7134X55
Com'l ，工业
＆放大器;军事
典型值。
140
140
140
140
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
马克斯。
240
200
270
220
70
40
70
50
160
130
180
150
15
4.0
30
10
150
100
170
120
7134X70
Com'l &
军事
典型值。
140
140
140
140
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
马克斯。
240
200
270
220
70
40
70
50
160
130
180
150
15
4.0
30
10
150
100
170
120
2720 TBL 06B
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
和
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(3)
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
一个端口
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
or
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
有源输出端口打开，
f = f
最大
(3)
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
mA
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（ SA或LA） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C的典型，而参数不生产测试。
3. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机我
SB3.
4，工业级温度：其他的速度，封装和权力联系您的销售办事处。
4
快速
4K ×8双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT7134SA/LA
产品特点：
高速访问
- 军事：三十五分之二十五/ 45/ 55 / 70ns的（最大）
- 商业： 20/25 /35 / 55分之45 / 70ns的（最大）
低功耗运行
- IDT7134SA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT7134LA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
从任何一个端口完全异步操作
电池备份操作-2V的数据保留
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
有几个流行的密封塑料包
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用的，
测试军用电气规范
描述：
的IDT7134的是一个高速4K ×8双端口静态RAM
设计的系统中使用，其中片上硬件端口
不需要仲裁。这部分适合于那些
不能忍受等待状态或设计的系统
能够从外部进行仲裁或承受争用时
双方同时访问相同的双端口RAM的
位置。
该IDT7134提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。这是用户的责任，以确保数据的完整性
当同时访问相同的存储器位置
从两个端口。自动断电功能，控制
by
CE
时，可允许芯片上的电路的每个端口的一个非常进入
低待机功耗模式。
采用IDT的CMOS高性能的制作
技术，这些双端口通常在只有500mW的
力。低功耗（ LA ）的版本提供电池备份数据
保持能力，每个端口的典型功耗为200μW
从2V电池。
该IDT7134包装上无论是sidebraze或塑料
48引脚DIP ，48引脚LCC ， 52引脚PLCC和48引脚陶瓷
扁平。军工级产品符合生产
符合MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之
非常适合军用温度要求苛刻的应用
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
R/
W
L
R/
W
R
CE
L
CE
R
OE
L
I / O
0L
- I / O
7L
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
OE
R
I / O
0R
- I / O
7R
A
0L
- A
11L
LEFT SIDE
地址
解码
逻辑
内存
ARRAY
右侧
地址
解码
逻辑
A
0R
- A
11R
2720 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-2720/4
6.04
1
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2)
N / C
R/
L
N / C
A
11R
R/
L
A
11L
A
10L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
W
OE
L
I / O
4L
I / O
5L
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
4R
I / O
5R
2720 DRW 02
I / O
3R
I / O
6R
I / O
6L
I / O
7L
1
48
2
47
3
46
4
45
5
44
6
43
7
42
8
41
9 IDT7134 40
10 P48–1 39
＆放大器;
11
38
C48–2 37
12
DIP
13
36
14
35
顶部
15查看
(3)
34
16
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32
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20
29
21
28
22
27
23
26
24
25
CE
R
A
0L
CE
L
R/
R
A
11R
A
10R
W
指数
7 6 5
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
4 3
2
OE
R
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
R/
V
CC
A
10R
A
10L
A
11L
CE
R
OE
L
V
CC
CE
L
W
R
W
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
IDT7134
J52-1
PLCC
俯视图（ 3 ）
41
40
39
38
37
36
19
35
34
20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
2720 DRW 03
A
10L
A
11L
R/
L
W
R
A
11R
A
10R
V
CC
A
0L
OE
R
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
V
TERM
(2)
端电压
对于
对地
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
(3)
I
OUT
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
直流输出电流
OE
L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
1
7
42
8
41
9
40
10
39
IDT7134
11
38
L48-1
＆放大器;
12
37
F48-1
LCC /扁平
13
36
14
35
顶视图
(3)
15
34
16
33
17
32
18
31
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
3L
I / O
4L
I / O
6L
I / O
7L
I / O
5
L
6 5 4 3 2
48 47 46 45 44 43
R/
指数
CE
R
CE
L
W
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.5
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.5
50
°C
°C
°C
W
mA
2720 TBL 01
2720 DRW 04
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文不表示实际部件标记的方向。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上或
最大10纳秒，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; VCC
+0.5V.
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
11
11
单位
pF
pF
2720 TBL 02
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV引用当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V和3V至0V 。
6.04
2
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
2720 TBL 03
建议的直流工作条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2720 TBL 04
注意事项：
1. V
IL
（分钟） > -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
DC电气特性在
工作温度和电源电压
(V
CC
= 5V
±
10%)
IDT7134SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
0.5
—
IDT7134LA
分钟。
—
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
0.5
—
单位
A
A
V
V
V
2720 TBL 05
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 6毫安
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc
≤
2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
7134X20
(4)
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
I
SB1
待机电流
（这两个端口， TTL
电平输入）
I
SB2
待机电流
（一个端口， TTL
电平输入）
I
SB3
测试条件
7134X25
7134X35
7134X45
7134X55
7134X70
版的典型。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
米尔。
S
L
—
—
170
170
—
—
25
25
—
—
105
105
—
—
1.0
0.2
—
—
105
105
—
—
280
240
—
—
110
80
—
—
180
150
—
—
15
4.5
—
—
170
130
160
160
160
160
25
25
25
25
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
95
95
95
95
310 150
260 150
280 150
220 150
100
80
80
50
210
170
180
140
30
10
15
4.0
210
150
170
120
25
25
25
25
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
85
85
300 140
250 140
260 140
210 140
75
55
75
45
200
160
170
130
30
10
15
4.0
190
130
160
110
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
280
240
240
200
70
50
70
40
190
150
160
130
30
10
15
4.0
180
120
150
100
140
140
140
140
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
270
220
240
200
70
50
70
40
180
150
160
130
30
10
15
4.0
170
120
150
100
140 270
140 220
140 240
140 200
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
70
50
70
40
180
150
160
130
30
10
15
4.0
170
120
150
100
mA
mA
mA
mA
mA
CE
= V
IL
输出打开
f = f
MAX(3)
COM'L 。 S
L
S
L
CE
L
和
CE
R
= V
IH
米尔。
f = f
MAX(3)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
COM'L 。 S
L
米尔。
S
L
有源端口输出COM'L 。 S
开放式中，f = F
MAX(3)
L
S
L
全待机电流两个端口
CE
L
和MIL 。
（这两个端口 - 所有
CE
R
≥
V
CC
- 0.2V
CMOS电平输入）V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
(3)
COM'L 。 S
L
米尔。
S
L
I
SB4
全待机电流的一个端口
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
or
（一个端口，所有
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
≥
V
CC
- 0.2V
CMOS电平输入）V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或COM'L 。 S
L
V
IN
≤
0.2V
有源端口输出
开放式中，f = F
MAX(3)
注意事项：
2720 TBL 06
在部件编号1 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C的典型，而参数不生产测试。
3. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平
待我
SB3.
4. （商业专用） 0 ° C至+ 70 °C温度范围。
6.04
3
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
数据保持特性在所有温度范围
（ LA版本） V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR(3)
t
R(3)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
测试条件
V
CC
= 2V
分钟。
2.0
米尔。
Com'l 。
—
—
0
t
RC(2)
典型值。
(1)
—
100
100
—
—
马克斯。
—
4000
1500
—
—
ns
ns
2720 TBL 07
单位
V
A
CE
≥
V
HC
V
IN
≥
V
HC
或< V
LC
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数由器件特性保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
V
DR
≥
2V
V
DR
4.5V
t
R
V
IH
2720 DRW 05
CE
V
IH
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1和图2
2720 TBL 08
+5V
1250
数据
OUT
775
30pF的*
2720 DRW 06
+5V
1250
数据
OUT
775
5pF的*
2720 DRW 07
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具
6.04
4
IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(4)
7134X20
(3)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
20
—
—
—
0
0
—
0
—
—
20
20
15
—
—
15
—
20
25
—
—
—
0
0
—
0
—
—
25
25
15
—
—
15
—
25
35
—
—
—
0
0
—
0
—
—
35
35
20
—
—
20
—
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
分钟。
马克斯。
7134X25
分钟。
马克斯。
7134X35
分钟。
马克斯。
单位
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(4)
（续）
7134X45
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
45
—
—
—
0
5
—
0
—
—
45
45
25
—
—
20
—
45
55
—
—
—
0
5
—
0
—
—
55
55
30
—
—
25
—
50
70
—
—
—
0
5
—
0
—
—
70
70
40
—
—
30
—
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2720 TBL 09
7134X55
分钟。
马克斯。
7134X70
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
注意事项：
1.转换测量
±500mV
从低或高阻抗电压与输出测试负载（图2）。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
3. （商业专用） 0 ° C至+ 70 ° C的温度范围内只。
在部件编号4 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
读周期第1 ，任何一方的时序波形
(1, 2, 3)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
t
OH
数据有效
2720 DRW 08
注意事项：
1.时间取决于该信号被断言最后，
OE
or
CE
.
2.时间取决于该信号拉高第一，
OE
or
CE
.
3. R/
W
= V
IH
.
6.04
5
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