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INA
116
INA116
INA
1
16
超低输入偏置电流
仪表放大器器
特点
q
低输入偏置电流: 3FA (典型值)
q
缓冲保护驱动引脚
q
低失调电压:最大为2mV
q
高共模抑制比:
84分贝(G = 10 )
q
低静态电流: 1毫安
q
输入过电压保护:
±
40V
描述
该INA116是一个完整的单片式FET输入仪器
心理状态放大器具有极低的输入偏置
电流。
差动
输入和特殊的防护技术
收率3FA的输入偏置电流,在25℃ ,只有25fA
在85℃ 。其三运算放大器拓扑结构允许的收益进行设置
从1至1000通过连接一个外部电阻。
相邻的两个输入连接卫队引脚可
用于驱动电路板和输入电缆卫士
维持极低的输入偏置电流。
该INA116采用16引脚塑料DIP和SOL- 16可
表面贴装封装,工作在-40° C至+ 85 ° C温度范围
温度范围。
应用
q
实验室仪器
q
pH测量
q
离子特异性探针
q
漏电流测量
V+
2
3
4
1
25k
R
G
16
守卫
+
V
IN
守卫
5
6
7
8
过电压
保护
A
2
+1
60k
60k
9
REF
25k
A
3
V
O
过电压
保护
+1
A
1
60k
60k
G=1+
50k
R
G
13
INA116
守卫
V
IN
守卫
11
差动
;的Burr-Brown公司
V–
国际空港工业园邮寄地址:PO Box 11400 ,图森,亚利桑那州85734 街道地址: 6730 S.图森大道,图森,亚利桑那州85706 电话: ( 520 ) 746-1111 TWX : 910-952-1111
互联网: http://www.burr-brown.com/图文传真: ( 800 ) 548-6133 (美国/加拿大)电缆: BBRCORP 电传: 066-6491 传真: ( 520 ) 889-1510 立即产品信息: ( 800 ) 548-6132
1994年的Burr-Brown公司
PDS-1242B
美国印刷1995年5月
特定网络阳离子
在T
A
= + 25 ° C,V
S
=
±15V,
R
L
= 10kΩ的,除非另有说明。
INA116P ,U
参数
输入
失调电压, RTI
初始
与温度
VS电源
长期稳定性
偏置电流
与温度
失调电流
与温度
阻抗,差动
共模
共模电压范围
安全的输入电压
共模抑制
条件
典型值
最大
INA116PA , UA
典型值
最大
单位
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
V
S
=
±4.5V
to
±18V
V
CM
=
± 11V , ΔR
S
= 1k
G=1
G = 10
G = 100
V
CM
=
±5V,
G = 1000
G = 1000 ,R
S
= 0
±0.5 ±0.5/G
±2 ±2/G
见典型曲线
±10 ±15/G
±50 ±100/G
±1 ±5/G
±3
±25
见典型曲线
±1
±25
见典型曲线
>10
15
/0.2
>10
15
/7
(V+)–4
(V+)–2
(V–)+4
(V–)+2.4
±40
80
84
86
86
89
92
94
94
T
T
T
73
78
80
80
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
±5 ±5/G
±100 ±200/G
±100
±100
mV
V/V
μV /月
fA
fA
Ω / PF
Ω / PF
V
V
V
dB
dB
dB
dB
T
T
T
T
噪音
电压噪声,RTI
F = 1kHz时
f
B
= 0.1Hz至10Hz的
电流噪声
F = 1kHz时
收益
增益公式
增益范围
增益误差
28
2
0.1
1+(50k/R
G
)
1
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
G=1
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
±0.01
±0.25
±0.35
±1.25
±5
±25
±0.0005
±0.001
±0.001
±0.005
±15
650
+2/–0.05
R
L
= 10k
R
L
= 10k
(V+) –1
(V–) +0.35
(V+) –0.7
(V–) +0.2
1000
+5/–12
800
500
70
7
0.8
22
25
145
400
20
±4.5
V
IN
= 0V
–40
–40
80
±15
±1
±18
±1.4
85
125
T
1000
±0.05
±0.4
±0.5
±10
±100
±0.005
±0.005
±0.005
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
0.1
±0.5
±0.7
±20
±100
±0.01
±0.01
±0.01
纳伏/赫兹÷
μVp -P
FA / √Hz的
V/V
V/V
%
%
%
%
PPM /°C的
PPM /°C的
% FSR的
% FSR的
% FSR的
% FSR的
mV
mA
V
V
pF
mA
千赫
千赫
千赫
千赫
V / μs的
s
s
s
s
s
V
mA
°C
°C
° C / W
增益与温度
(1)
电阻为50kΩ
(1)(2)
非线性
卫队输出
失调电压
输出阻抗
电流驱动
产量
电压正
负载电容的稳定性
短路电流
频率响应
带宽-3dB
±50
T
压摆率
建立时间, 0.01 %
输出过载恢复
电源
电压范围
当前
温度范围
规范
操作
θ
JA
T
规格相同INA116P
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
G = 10200
10V步骤,G = 1
G = 10
G = 100
G = 1000
50 %过载
T
T
注: ( 1)晶圆测试保证。 ( 2 )温度在增益公式“ 50kΩ的”一词的系数。
INA116
2
引脚配置
顶视图
DIP
SOL-16
R
G
后卫 -
V
IN
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序,会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害,因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
包装信息
产品
INA116PA
INA116P
INA116UA
INA116U
16引脚塑料DIP
16引脚塑料DIP
SOL - 16表面贴装
SOL - 16表面贴装
封装图
(1)
180
180
211
211
1
2
3
4
5
6
7
8
16 R
G
15 NC
14 NC
13 V+
12 NC
11 V
O
10 NC
9
REF
后卫 -
后卫+
+
V
IN
后卫+
V–
NC :无内部连接。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..................................
±18V
输入电压范围............................................... ...........................
±40V
输出短路(接地) ..........................................连续....
工作温度................................................ -40 ° C至+ 125°C
存储温度................................................ ..... -40 ° C至+ 125°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
注: ( 1 )有关详细的图纸和维表,请参阅数据结束
片,或的Burr-Brown IC数据手册附录C 。
本文提供的信息被认为是可靠的;但是, BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息,所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
3
INA116
典型性能曲线
在T
A
= + 25 ° C,V
S
=
±15V,
R
L
= 10kΩ的,除非另有说明。
增益与频率
60
G = 1000
100
50
40
增益(dB )
共模抑制与频率
G = 1000V / V
G = 100V / V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
G = 1V / V
G = 10V / V
G = 100
30
20
10
0
–10
–20
1k
10k
100k
频率(Hz)
1M
10M
G=1
G = 10
共模抑制比(分贝)
10
100
1k
频率(Hz)
10k
100k
正电源抑制
与频率
120
120
100
80
60
负电源抑制
与频率
电源抑制(分贝)
G = 1000V / V
80
60
G = 10V / V
40
20
0
1
10
100
1k
10k
100k
频率(Hz)
G = 1V / V
G = 100V / V
电源抑制(分贝)
100
G = 1K
G = 10 < 100
40
20
0
1
10
100
1k
10k
100k
频率(Hz)
G=1
输入偏置电流与输入电压
15
10
输入偏置电流与温度
1000
输入偏置电流( FA)
5
0
–5
–10
–15
–15
输入偏置电流( FA)
100
10
I
B
I
OS
1
–10
–5
0
输入电压( V)
5
10
15
测量范围
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
INA116
4
典型性能曲线
在T
A
= + 25 ° C,V
S
=
±15V,
R
L
= 10kΩ的,除非另有说明。
(续)
输入共模范围
与输出电压
15
G
10
输入参考噪声与频率
共模电压(V )
10
G=1
5
V
D/2
0
–5
–10
–15
–15
V
D/2
V
CM
+
+
G=1
+15V
INA116
REF
G=1
–15V
G=1
V
O
电压噪声密度(NV / √赫兹)
G
10
10k
G = 1V / V
1k
100
G = 1000V / V
G = 10V / V
10
带宽限制
1
10
100
频率(Hz)
1k
10k
–10
–5
0
5
10
15
输出电压(V)
输入过压V / I特性
4
3
输入电流(mA )
失调电压WARM- UP
15
G
10
失调电压变化( μV )
10
G=1
5
0
–5
G=1
–10
G
10
–15
2
1
0
–1
G = 1V / V
G = 1000V / V
G = 1000V / V
–2
–3
–4
–40
–30
–20
–10
0
10
G = 1V / V
20
30
40
0
5
10
15
20
25
输入电压( V)
时间后电源接通(S )
输入失调电压漂移
生产布局
40
G = 100
26
19
0.5
7
24
G = 10
9
2
38
20
5
1
1
6
静态电流和压摆率
与温度
1.6
1.4
1.4
1.2
1.0
0.8
SR
0.6
0.6
0.4
125
产量分布(% )
静态电流( μA )
0.5
1.2
1.0
0.8
G=1
0.5 2 3
9
18
15 17
14
12
4
4
0.5
0.4
–80
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
失调电压漂移( μV / ° C)
温度(℃)
摆率( V / μs的)
I
Q
5
INA116
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厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    INA116PA
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2394092314 复制 点击这里给我发消息 QQ:792179102 复制 点击这里给我发消息 QQ:841523240 复制

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地址:上海公司:上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司:海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司:城阳区正阳路205号海都国际A座805
INA116PA
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DIP
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地址:深圳市龙岗区布澜路76号东久创新科技园7栋A1306室/香港九龙观塘成业街19-21号成业工业大厦8/F14室
INA116PA
TI/德州仪器
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92000
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2500
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原装现货优势TI 可提供增值税发票
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