INA1
11
INA111
INA1
11
高速FET输入
仪表放大器器
特点
q
FET输入：我
B
= 20PA最大
q
低失调电压： 500
V最大
q
低失调电压漂移：
5
V/
°
C（最大值）
q
高共模抑制比：
106分贝分钟
q
8引脚塑料DIP ， SOL- 16 SOIC
q
高速：吨
S
= 4
秒（ G = 100 ， 0.01％）
描述
该INA111是一款高速， FET输入instrumenta-
化放大器提供出色的性能。
该INA111采用电流反馈拓扑provid-
荷兰国际集团扩展带宽（ 2MHz的，在G = 10 ）和快速
建立时间（ 4μs的0.01％时，G = 100）。单一
外部电阻设置从1到1000的任何收益。
失调电压和漂移经过激光调整，具有出色
DC准确度。该INA111的输入FET输入减少
偏置电流为20PA下，简化了输入滤波
并且限制电路。
该INA111采用8引脚塑料DIP和
SOL - 16表面贴装封装，指定
-40 ° C至+ 85 °C温度范围。
应用
q
医疗器械
q
数据采集
V+
7 (13)
–
V
IN
INA111
2
(4)
1
(2)
R
G
8
(15)
+
V
IN
3
(5)
A
2
10k
10k
25k
5
(10)
REF
25k
A
3
6
(11)
反馈
A
1
10k
10k
(12)
DIP连接
国内
V
O
G=1+
50k
R
G
4 (7)
DIP
V–
（ SOIC ）
国际空港工业园邮寄地址：PO Box 11400 ，图森，亚利桑那州85734 街道地址： 6730 S.图森大道，图森，亚利桑那州85706 电话： （ 520 ） 746-1111 TWX ： 910-952-1111
互联网： http://www.burr-brown.com/图文传真： （ 800 ） 548-6133 （美国/加拿大）电缆： BBRCORP 电传： 066-6491 传真： （ 520 ） 889-1510 立即产品信息： （ 800 ） 548-6132
1992年的Burr-Brown公司
PDS-1143E
1
印刷于1998年U.S.A.三月
INA111
SBOS015
特定网络阳离子
电动
在T
A
= + 25 ° C，V
S
=
±15V,
R
L
= 2kΩ的，除非另有说明。
INA111BP ， BU
参数
条件
民
典型值
最大
民
INA111AP ， AU
典型值
最大
单位
输入
失调电压， RTI
初始
T
A
= +25°C
与温度
T
A
= T
民
给T
最大
VS电源
V
S
=
±6V
to
±18V
阻抗，差动
共模
输入共模范围
V
差异
= 0V
共模抑制
V
CM
=
± 10V ， ΔR
S
= 1k
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
偏置电流
失调电流
噪声电压， RTI
F = 100Hz的
F = 1kHz时
F = 10kHz的
f
B
= 0.1Hz至10Hz的
噪声电流
F = 10kHz的
收益
增益公式
增益范围
增益误差
G = 1000 ，R
S
= 0
±10
80
96
106
106
±100 ±
500/G
±2 ±
10/G
2 +10/G
10
12
|| 6
10
12
|| 3
±12
90
110
115
115
±2
±0.1
13
10
10
1
0.8
1 + （ 50kΩ的/ R
G
)
±500 ±
2000/G
±5 ±
100/G
30 + 100/G
T
75
90
100
100
±20
±10
±200 ±
500/G
±2 ±
20/G
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
±1000 ±
5000/G
±10 ±
100/G
T
V
μV/°C
V/V
|| pF的
|| pF的
V
dB
dB
dB
dB
T
T
pA
pA
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
μVp -P
FA / √Hz的
V/V
V/V
%
%
%
%
PPM /°C的
PPM /°C的
%
%
%
%
of
of
of
of
FSR
FSR
FSR
FSR
1
G = 1，R
L
= 10k
G = 10，R
L
= 10k
G = 100 ，R
L
= 10k
G = 1000 ，R
L
= 10k
G=1
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
I
O
= 5毫安，T
民
给T
最大
±11
±0.01
±0.1
±0.15
±0.25
±1
±25
±0.0005
±0.001
±0.001
±0.005
±12.7
1000
+30/–25
2
2
450
50
17
2
2
4
30
1
±6
V
IN
= 0V
–40
–40
100
±15
±3.3
增益与温度
电阻为50kΩ
(1)
非线性
10000
±0.02
±0.5
±0.5
±1
±10
±100
±0.005
±0.005
±0.005
±0.02
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
0.05
T
±0.7
±2
T
T
T
±0.01
±0.01
±0.04
产量
电压
负载电容的稳定性
短路电流
频率响应
带宽-3dB
V
pF
mA
兆赫
兆赫
千赫
千赫
V / μs的
s
s
s
s
s
T
T
T
T
V
mA
°C
°C
° C / W
压摆率
建立时间， 0.01 ％
过载恢复
电源
电压范围
当前
温度范围
规范
操作
θ
JA
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
V
O
=
±10V,
G = 2100
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
50 ％过载
±18
±4.5
85
125
T
T
T
T
T
T
T
规格相同INA111BP 。
注： （ 1 ）温度在增益公式“ 50kΩ的”一词的系数。
本文提供的信息被认为是可靠的;但是， BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息，所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
INA111
2
销刀豆网络gurations
顶视图
DIP
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与AP-处理
propriate注意事项。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
订购信息
产品
包
8引脚塑料DIP
8引脚塑料DIP
SOL - 16表面贴装
SOL - 16表面贴装
温度范围
–40°C
–40°C
–40°C
–40°C
to
to
to
to
+85°C
+85°C
+85°C
+85°C
INA111AP
INA111BP
INA111AU
INA111BU
R
G
V
In
V
+ IN
V–
1
2
3
4
8
7
6
5
R
G
V+
V
O
REF
顶视图
NC
R
G
NC
V
In
V
+ IN
NC
V–
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
SOL - 16表面贴装
16 NC
15 R
G
14 NC
13 V+
12反馈
11 V
O
10 REF
9
NC
包装信息
产品
INA111AP
INA111BP
INA111AU
INA111BU
包
8引脚塑料
8引脚塑料
16 - pin表面
16 - pin表面
DIP
DIP
MOUNT
MOUNT
封装图
数
(1)
006
006
211
211
绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ ..................................
±18V
输入电压范围.......................................... （ V-） - 0.7V至（V +） + 15V
输出短路（接地） ..........................................连续....
工作温度................................................ -40 ° C至+ 125°C
存储温度................................................ ..... -40 ° C至+ 125°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
注：以上讲这些额定值可能会造成永久性的损害。
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅数据结束
片，或的Burr-Brown IC数据手册附录C 。
3
INA111
QQ：2880707522 复制
