HIGH -SPEED 3.3V 64 / 32K ×9
同步PIPELINED
双口静态RAM
产品特点：
◆
◆
IDT70V9189/79L
◆
◆
◆
◆
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速时钟对数据的访问
- 商业： 6.5 / 7.5 / 9 /为12ns （最大值）
- 工业： 9ns （最大）
低功耗工作
- IDT70V9189 / 79L
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机：为1.5mW （典型值）。
流过或流水线输出模式任一端口通过
该
FT /管
引脚
计数器使能和复位功能
双芯片能够允许深度扩展，而不
◆
◆
◆
◆
附加逻辑
在两个端口全同步操作
- 在所有的控制设置为4ns时钟和为0ns持有，数据和
地址输入
- 数据输入，地址和控制寄存器
- 快速6.5ns的时钟到数据输出的流水线输出模式
- 自定时写允许快速循环时间
- 10ns的周期时间，在100MHz的流水线输出模式的操作
LVTTL-兼容，采用3.3V单电源（ ± 0.3V ）电源
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）是
可供选择的速度
采用100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）
功能框图
读/写
OE
L
CE
0L
CE
1L
读/写
R
OE
R
CE
0R
CE
1R
1
0
0/1
1
0
0/1
FT /管
L
0/1
1
0
0
1
0/1
FT /管
R
,
I / O
0L
- I / O
8L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
- I / O
8R
A
15L
(1)
A
0L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
计数器/
地址
注册。
内存
ARRAY
计数器/
地址
注册。
A
15R
(1)
A
0R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
4860 DRW 01
注意：
1. A
15
X
是NC的IDT70V9179 。
2004年2月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC-4860/3
IDT70V9189/79L
高速64 / 32K ×9双端口同步流水线静态RAM
工业和商业温度范围
该IDT70V9189 / 79是一个高速64 / 32K ×9位同步双
端口RAM 。存储器阵列采用双端口存储器单元，以允许
从两个端口的任何地址同时访问。对控制寄存器，
数据和地址输入端提供最小的建立和保持时间。时机
由这种方法所提供的纬度允许系统被设计成具有很
短的循环时间。
描述：
与输入数据寄存器， IDT70V9189 / 79进行了优化
具有单向或双向的数据流应用在阵阵。一
自动断电功能，通过控制
CE
0
和CE
1,
允许
芯片上的每个端口电路进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为500mW的运行。
引脚配置
(2,3,4)
指数
NC
NC
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
A
15L
(1)
NC
V
DD
NC
NC
NC
NC
CE
0L
CE
1L
CNTRST
L
读/写
L
OE
L
FT /管
L
NC
NC
10099 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
2
74
3
73
72
4
1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
71
70
69
68
67
ADS
R
CLK
R
CNTEN
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
NC
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
NC
NC
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
CNTEN
L
CLK
L
ADS
L
VSS
VSS
01/15/04
70V9189/79PF
PN100-1
(5)
100引脚TQFP
顶视图
(6)
52
24
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
A
15R
(1)
NC
VSS
NC
NC
NC
NC
CE
0R
CE
1R
CNTRST
R
读/写
R
OE
R
,
FT /管
R
VSS
NC
4860 DRW 02
注意事项：
1. A
15X
是NC的IDT70V9179 。
2.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
3.所有GND引脚必须接地。
4.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
5.这个包的代码来引用该包图。
6.本文并不表示实际的部分标记的方向。
VSS
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
VSS
I / O
1L
I / O
0L
V
DD
VSS
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
DD
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
I / O
8R
NC
NC
6.42
2
IDT70V9189/79L
高速64 / 32K ×9双端口同步流水线静态RAM
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L,
CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
15L
(1)
I / O
0L
- I / O
8L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
FT /管
L
正确的端口
CE
0R,
CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
15R
(1)
I / O
0R
- I / O
8R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
FT /管
R
V
DD
V
SS
名字
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
时钟
地址选通启用
柜台启用
计数器复位
流通/管道
电源（ 3.3V ）
地（ 0V ）
4860 TBL 01
注意：
1.地址
15X
NC是为IDT70V9179 。
2.
LB
和
UB
不管状态是单缓冲
FT / PIPE 。
3.
首席执行官
和CE
1
是单缓冲时，
FT /管
= V
IL
,
首席执行官
和CE
1
是双缓冲时，
FT /管
= V
IH
,
即信号需要两个周期，取消选择。
真值表我??读/写使能控制
(1,2,3)
OE
X
X
X
L
H
CLK
↑
↑
↑
↑
X
CE
0
H
X
L
L
L
CE
1
X
L
H
H
H
读/写
X
X
L
H
X
I / O
0-8
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消选择，关机
取消选择，关机
写
读
输出禁用
4860 TBL 02
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
ADS ， CNTEN ， CNTRST
= X.
3.
OE
是一个异步输入信号。
事实表二??地址计数器控制
(1,2,3)
外
地址
An
X
X
X
前
国内
地址
X
An
一个+ 1
X
国内
地址
二手
An
一个+ 1
一个+ 1
A
0
CLK
↑
↑
↑
↑
ADS
L
(4)
H
H
X
CNTEN
X
L
(5)
H
X
CNTRST
H
H
H
L
(4)
I / O
(3)
D
I / O
(n)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(0)
外部地址使用
柜台启用，内部地址产生
外部地址阻塞的反禁用（ AN + 1复用）
计数器复位到地址0
4860 TBL 03
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
CE
0
和
OE
= V
IL
; CE
1
和R / W = V
IH
.
3.输出配置在流通型输出方式：如果输出在流水线模式的数据输出将被延迟了一个周期。
4.
ADS
和
CNTRST
是独立于所有其他信号，包括
CE
0
和CE
1
.
5.如果地址计数器进展
CNTEN
= V
IL
在CLK的上升沿，而不管所有其他信号，包括
CE
0
和CE
1
.
6.42
3
IDT70V9189/79L
高速64 / 32K ×9双端口同步流水线静态RAM
工业和商业温度范围
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
环境
温度
(2)
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
V
DD
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
4860 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0V
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3V
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
4860 TBL 05
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10纳秒。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+0.3V.
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
电容
(1)
单位
V
等级
端电压
关于
GND
温度
在偏置
存储
温度
连接点
温度
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MH
Z
)
符号
C
IN
C
OUT
(3)
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
4860 TBL 07
T
BIAS
T
英镑
T
JN
I
OUT
-55到+125
-65到+150
+150
50
o
C
C
C
o
o
mA
4860 TBL 06
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但不
生产测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出开关
从0V到3V或3V至0V 。
3. C
OUT
还引用
I / O
.
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
DD
+ 0.3V.
3.环境温度下的直流偏置。没有交流的条件。芯片取消。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
70V9189/79L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
V
DD
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
DD
CE
= V
IH
或CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V至V
DD
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
测试条件
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
4860 TBL 08
2.4
注意：
1. V
DD
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
6.42
4
IDT70V9189/79L
高速64 / 32K ×9双端口同步流水线静态RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度电源电压范围
(3)
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
70V9189/79L6
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
电流（两个
端口激活）
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
待机
电流（一
端口 - TTL
电平输入）
全备
电流（两个
端口 - CMOS
电平输入）
全备
电流（一
端口 - CMOS
电平输入）
测试条件
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
输出禁用，
f = f
最大
(1)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(1)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
有源端口输出
残疾人，女= F
最大
(1)
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
DD
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
典型值。
(4)
220
____
70V9189/79L7
Com'l只有
典型值。
(4)
200
____
70V9189/79L9
Com'l &工业
典型值。
(4)
180
180
50
50
110
110
0.4
0.4
100
100
马克斯。
260
280
100
120
190
205
3
6
180
195
70V9189/79L12
Com'l只有
典型值。
(4)
150
____
马克斯。
350
____
马克斯。
310
____
马克斯。
230
____
单位
mA
I
SB1
70
____
130
____
65
____
130
____
40
____
80
____
mA
I
SB2
150
____
250
____
140
____
245
____
100
____
175
____
mA
I
SB3
0.4
____
3
____
0.4
____
3
____
0.4
____
3
____
mA
I
SB4
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
Com'l
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动端口，
IND
输出禁用，女= F
最大
(1)
140
____
240
____
130
____
235
____
90
____
165
____
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的时钟周期
CYC
使用＆ QUOT ; AC测试条件和QUOT ;在输入
GND水平为3V 。
2， F = 0表示无地址，时钟，控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
3.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
4. V
DD
= 3.3V ，T
A
= 25℃典型值，而不是生产测试。我
CC DC
（ F = 0 ）= 90毫安（典型值） 。
5.
CE
X
= V
IL
手段
CE
0X
= V
IL
和CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
手段
CE
0X
= V
IH
或CE
1X
= V
IL
CE
X
＆ LT ; 0.2V手段
CE
0X
＆ LT ; 0.2V和CE
1X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V手段
CE
0X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或CE
1X
＆ LT ; 0.2V
英寸× ＆ QUOT ;表示\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;左端口或＆ QUOT ; R QUOT ;为正确的端口。
4860 TBL 09
6.42
5
QQ：2881677436 复制
