技术参数
IN74LV32
四2输入或门
该IN74LV32是低电压硅栅CMOS器件，其引脚与
功能与74HC / HCT32A兼容。
该IN74LV32提供了2输入AND功能。
优化的低电压应用： 1.2 3.6 V
接受V的TTL电平输入
CC
= 2.7 V和V
CC
= 3.6 V
低输入电流
订购信息
IN74LV32N
塑料
IN74LV32D
SOIC
IZ74LV32
芯片
T
A
= -40 ° ÷ 125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
Y1
Y2
Y3
功能表
Y4
输入
A
L
L
B
L
H
L
H
产量
Y = A * B
L
H
H
H
B4
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
H
H
- 高层
L - 低电平
积分
1
IN74LV32
最大额定值
*
符号
V
CC
I
IK
*
1
I
OK
*
2
I
O
*
3
I
CC
I
GND
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源或灌电流
- 总线驱动器输出
DC V
CC
当前的类型与
- 总线驱动器输出
直流接地电流与类型
- 总线驱动器输出
每包功耗，塑料DIP +
SOIC封装+
储存温度
铅的温度，1.5毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP ） ，0.3毫米（ SOIC封装）
价值
-0.5
÷
+5.0
±20
±50
±25
±50
±50
750
500
-65
÷
+150
260
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 12毫瓦/°C， 70° 125°C
SOIC封装： - 8毫瓦/°C， 70° 125°C
1
* : V
I
＆ LT ;
-0.5V或V
I
＆ GT ;
V
CC
+0.5V
*
2
：武
＆ LT ;
-0.5V或武
＆ GT ;
V
CC
+0.5V
*
3
: -0.5V
＆ LT ;
Vo
＆ LT ;
V
CC
+0.5V
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
V
CC
=1.2 V
V
CC
=2.0 V
V
CC
=3.0 V
V
CC
=3.6 V
民
1.2
0
-40
0
0
0
0
最大
3.6
V
CC
+125
1000
700
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压
该高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
积分
2
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