添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第188页 > IN74HCT244AN
技术参数
IN74HCT244A
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/线接收器
高性能硅栅CMOS
该IN74HCT244A在引出线的LS / ALS244相同。 DE-的
副可被用作一个电平转换器,用于连接的TTL或NMOS输出
把高速CMOS输入。
该IN74HCT244A是一个八进制非反相缓冲器/线路驱动器/线重新
收发器,它能够与3态存储器地址驱动器一起使用,时钟driv-
ERS ,等公交为导向的系统。该装置具有非反相输出端
和两个低电平有效输出使能。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
订购信息
IN74HCT244AN
塑料
IN74HCT244ADW SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
启用A,
允许B
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
L
L
H
A,B
L
H
X
输出
YA , YB
L
H
Z
X =不关心; Z =高阻抗
启示录00
IN74HCT244A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗
**
SOIC封装
**
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
**
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(图1 )
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
) 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
IN74HCT244A
DC电气特性
(电压参考GND)
符号
参数
测试条件
V
CC
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
0.1
≤85
°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
1.0
≤125
°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
1.0
A
V
V
V
V
单位
V
IH
V
IL
V
OH
最小高
电平输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高
电平输出电压
V
OUT
= V
CC
-0.1 V
I
OUT
20
A
V
OUT
=0.1 V
I
OUT
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
6.0毫安
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
V
OL
最大的低收入
电平输出电压
V
IN
= V
IL
I
OUT
20
A
V
IN
= V
IL
I
OUT
≤6.0
mA
I
IH
最小高
电平输入漏
当前
最大的低收入
电平输入漏
当前
最小高
等级三态
漏电流
V
IN
=V
CC
I
IL
V
IN
= GND
5.5
-0.1
-1.0
-1.0
A
I
OZH
V
IN
(01) =V
IH
V
IN
(19) =V
IH
V
IN
=V
СС
(其它输出
放)
V
OUT
=V
CC
V
IN
(01) =V
IH
V
IN
(19) =V
IH
V
IN
=V
СС
(其它输出
放)
V
OUT
= GND
V
IL
= GND
V
IN
=V
CC
I
OUT
=0 A
V
IN
= 2.4 V ,任何一个输入
V
IN
=V
CC
或GND ,其他
输入
I
OUT
=0A
5.5
0.5
5.0
10.0
A
I
OZL
最大的低收入
等级三态
漏电流
5.5
-0.5
-5.0
-10.0
A
I
CC
最大静态
电源电流
每包)
其他静态
电源电流
5.5
4.0
40
160
A
I
CC
≥-55°C
25 ° C至125°C
mA
5.5
2.9
2.4
注:总电源电流= I
CC
+
ΣI
CC
.
启示录00
IN74HCT244A
AC电气特性
(V
CC
=5.0 V
±
10%, C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
符号
参数
测试条件
V
CC
В
保证限额
25
°C
to
-55°C
20
≤85°C
≤125°
C
30
ns
单位
t
PLH
, t
PHL
最大传播DE-
躺着, A到YA或B到YB
(图1和图2)
V
CC
=5 V±10%
V
IL
=0 V
V
IH
=3 V
t
LH
=t
HL
± 6纳秒
C
L
= 50 pF的
V
CC
=5 V±10%
V
IL
=0 V
V
IH
=3 V
t
LH
=t
HL
± 6纳秒
C
L
= 50 pF的
V
CC
=5 V±10%
V
IL
=0 V
V
IH
=3 V
t
LH
=t
HL
± 6纳秒
C
L
= 50 pF的
V
CC
=5 V±10%
V
IL
=0 V
V
IH
=3 V
t
LH
=t
HL
± 6纳秒
C
L
= 50 pF的
V
CC
=5 V±10%
V
CC
=5 V±10%
5.0
25
t
PLZ
, t
PHZ
最大传播DE-
躺着,输出使能到YA或
镱(图1和图2)
5.0
26
33
39
ns
t
PZL
, t
PZH
最大传播DE-
躺着,输出使能到YA或
镱(图1和图2)
5.0
22
28
33
ns
t
TLH
, t
THL
最大输出转换
时间,任何输出(图
1和2)
5.0
12
15
18
ns
C
IN
C
OUT
最大输入电容
最大三态输出
把电容(在输出
高阻抗状态)
5.0
5.0
10
15
10
15
10
15
pF
pF
功率耗散电容(每启用输出)
C
PD
用于确定无负载的动态功耗消耗
化:
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
典型的25°C ,V
CC
=5.0 V
55
pF
图1.开关波形
图2的开关波形
启示录00
IN74HCT244A
图3.测试电路
图4.测试电路
膨胀逻辑图
(该设备的1/8)
启示录00
技术参数
IN74HCT244A
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/线接收器
高性能硅栅CMOS
该IN74HCT244A在引出线的LS / ALS244相同。 DE-的
副可被用作一个电平转换器,用于连接的TTL或NMOS输出
把高速CMOS输入。
该IN74HCT244A是一个八进制非反相缓冲器/线路驱动器/线重新
收发器,它能够与3态存储器地址驱动器一起使用,时钟
驱动程序,以及其它面向总线的系统。该设备已非反相
输出和两个低电平有效输出使能。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
订购信息
IN74HCT244AN塑料
IN74HCT244ADW SOIC
IN74HCT244AZ芯片
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
启用A,
允许B
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
L
L
H
A,B
L
H
X
输出
YA , YB
L
H
Z
X =不关心; Z =高阻抗
积分
1
IN74HCT244A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗
**
SOIC封装
**
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
**
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(图1 )
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静电压或电
场。然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用中高于最大额定电压
该高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
) 。未使用
输出必须保持打开状态。
积分
2
IN74HCT244A
DC电气特性
(电压参考GND)
符号
参数
测试条件
V
CC
V
V
IH
V
IL
V
OH
最小高级别
输入电压
最大的低-Level
输入电压
最小高级别
输出电压
V
OUT
= V
CC
-0.1 V
I
OUT
20
A
V
OUT
=0.1 V
I
OUT
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
6.0毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IL
I
OUT
20
A
V
IN
= V
IL
I
OUT
≤6.0
mA
I
IH
最小高级别
输入漏电流
租金
最底层
输入漏电流
租金
最小高级别
三态泄漏
当前
最底层
三态泄漏
当前
最大静态
电源电流
每包)
其他静态
电源电流
V
IN
=V
CC
4.5
5.5
0.26
0.1
0.33
1.0
0.4
1.0
A
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
保证限额
25
°C
to
-55°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
≤85
°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
≤125
°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
V
V
V
V
单位
I
IL
V
IN
= GND
5.5
-0.1
-1.0
-1.0
A
I
OZH
V
IN
(01) =V
IH
V
IN
(19) =V
IH
V
IN
=V
(其它输出)
V
OUT
=V
CC
V
IN
(01) =V
IH
V
IN
(19) =V
IH
V
IN
=V
(其它输出)
V
OUT
= GND
V
IL
= GND
V
IN
=V
CC
I
OUT
=0 A
V
IN
= 2.4 V ,任何一个输入
V
IN
=V
CC
或GND ,其他
输入
I
OUT
=0A
5.5
0.5
5.0
10.0
A
I
OZL
5.5
-0.5
-5.0
-10.0
A
I
CC
5.5
4.0
40
160
A
I
CC
≥-55°C
25 ° C至125°C
mA
5.5
2.9
2.4
注:总电源电流= I
CC
+
ΣI
CC
.
积分
3
IN74HCT244A
AC电气特性
(V
CC
=5.0 V
±
10%, C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
符号
参数
测试条件
V
CC
保证限额
25
°C
to
-55°C
20
≤85°C
≤125°
C
30
ns
单位
t
PLH
, t
PHL
最大传播延迟,
A到YA或B到YB (图
1和2)
V
CC
=5 V±10%
V
IL
=0 V
V
IH
=3 V
t
LH
=t
HL
± 6纳秒
C
L
= 50 pF的
V
CC
=5 V±10%
V
IL
=0 V
V
IH
=3 V
t
LH
=t
HL
± 6纳秒
C
L
= 50 pF的
V
CC
=5 V±10%
V
IL
=0 V
V
IH
=3 V
t
LH
=t
HL
± 6纳秒
C
L
= 50 pF的
V
CC
=5 V±10%
V
IL
=0 V
V
IH
=3 V
t
LH
=t
HL
± 6纳秒
C
L
= 50 pF的
V
CC
=5 V±10%
V
CC
=5 V±10%
5.0
25
t
PLZ
, t
PHZ
最大传播延迟
,输出使能到YA或YB
(图1和图2)
5.0
26
33
39
ns
t
PZL
, t
PZH
最大传播延迟
,输出使能到YA或YB
(图1和图2)
5.0
22
28
33
ns
t
TLH
, t
THL
最大输出转换
时间,任何输出(图1
及2)
5.0
12
15
18
ns
C
IN
C
OUT
最大输入电容
最大三态输出
把电容(在输出
高阻抗状态)
5.0
5.0
10
15
10
15
10
15
pF
pF
功率耗散电容(每启用输出)
C
PD
用于确定无负载的动态功耗消耗
化:
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
典型的25°C ,V
CC
=5.0 V
55
pF
图1.开关波形
图2的开关波形
积分
4
IN74HCT244A
图3.测试电路
图4.测试电路
膨胀逻辑图
(该设备的1/8)
积分
5
查看更多IN74HCT244ANPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IN74HCT244AN
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
IN74HCT244AN
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10267
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多IN74HCT244AN供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!