技术参数
IN74HCT244A
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/线接收器
高性能硅栅CMOS
该IN74HCT244A在引出线的LS / ALS244相同。 DE-的
副可被用作一个电平转换器,用于连接的TTL或NMOS输出
把高速CMOS输入。
该IN74HCT244A是一个八进制非反相缓冲器/线路驱动器/线重新
收发器,它能够与3态存储器地址驱动器一起使用,时钟driv-
ERS ,等公交为导向的系统。该装置具有非反相输出端
和两个低电平有效输出使能。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
订购信息
IN74HCT244AN
塑料
IN74HCT244ADW SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
启用A,
允许B
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
L
L
H
A,B
L
H
X
输出
YA , YB
L
H
Z
X =不关心; Z =高阻抗
启示录00
IN74HCT244A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗
**
SOIC封装
**
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
**
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(图1 )
民
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
) 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
技术参数
IN74HCT244A
八路三态同相
缓冲器/线路驱动器/线接收器
高性能硅栅CMOS
该IN74HCT244A在引出线的LS / ALS244相同。 DE-的
副可被用作一个电平转换器,用于连接的TTL或NMOS输出
把高速CMOS输入。
该IN74HCT244A是一个八进制非反相缓冲器/线路驱动器/线重新
收发器,它能够与3态存储器地址驱动器一起使用,时钟
驱动程序,以及其它面向总线的系统。该设备已非反相
输出和两个低电平有效输出使能。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
订购信息
IN74HCT244AN塑料
IN74HCT244ADW SOIC
IN74HCT244AZ芯片
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
启用A,
允许B
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
L
L
H
A,B
L
H
X
输出
YA , YB
L
H
Z
X =不关心; Z =高阻抗
积分
1
IN74HCT244A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗
**
SOIC封装
**
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
**
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(图1 )
民
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静电压或电
场。然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用中高于最大额定电压
该高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
) 。未使用
输出必须保持打开状态。
积分
2