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PD -91776
IRG4PH20K
绝缘栅双极晶体管
特点
用于电机控制的高短路额定值优化,
t
sc
= 10μs的,V
CC
= 720V ,T
J
= 125°C,
V
GE
= 15V
结合了低导通损耗高
开关速度
最新一代的设计提供了更严格的参数
分布和更高的效率比以往的
C
额定短路
超快IGBT
V
CES
= 1200V
G
E
V
CE ( ON) (典型值) 。
= 3.17V
@V
GE
= 15V ,我
C
= 5.0A
N沟道
好处
作为一个续流二极管,我们推荐我们
HEXFRED
TM
超快,超软恢复二极管
最小的EMI /噪声和开关损耗
二极管和IGBT
最新的第4代IGBT的报价最高权力
密度电机控制可能
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
t
sc
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒。
安装扭矩, 6-32或M3螺丝。
马克斯。
1200
11
5.0
22
22
10
±20
130
60
24
-55到+150
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
10磅在( 1.1N m)的
单位
V
A
s
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境,典型的插座安装
重量
典型值。
–––
0.24
–––
6 (0.21)
马克斯。
2.1
–––
40
–––
单位
° C / W
克(盎司)
www.irf.com
1
6/25/98
IRG4PH20K
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
MIN 。 TYP 。
V
( BR ) CES
集电极 - 发射极击穿电压
1200 —
V
( BR ), ECS
发射极 - 集电极击穿电压
18
V
( BR ) CES
/T
J
温度COEFF 。的击穿电压 -
1.13
— 3.17
V
CE (ON)的
集电极 - 发射极饱和电压
— 4.04
— 2.84
V
GE (日)
栅极阈值电压
3.5
V
GE (日)
/T
J
温度COEFF 。阈值电压
-10
g
fe
正向跨导
2.3
3.5
I
CES
零栅极电压集电极电流
I
GES
门极 - 发射极漏电流
MAX 。单位
条件
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 250A
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0A
V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 2.5毫安
4.3
I
C
= 5.0A
V
GE
= 15V
I
C
= 11A
参照图2 , 5
V
I
C
= 5.0A ,T
J
= 150°C
6.5
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安
S
V
CE
= 100 V,I
C
= 5.0A
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
A
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ,T
J
= 25°C
1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ,T
J
= 150°C
±100
nA
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
注意事项:
参数
总栅极电荷(导通)
门 - 发射极电荷(导通)
门 - 收集电荷(导通)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
10
TYP 。 MAX 。单位
条件
28
43
I
C
= 5.0A
4.4 6.6
NC V
CC
= 400V
参见图8
12
18
V
GE
= 15V
23
26
T
J
= 25°C
ns
93 140
I
C
= 5.0A ,V
CC
= 960V
270 400
V
GE
= 15V ,R
G
= 50
0.45 —
能量损失包括"tail"
0.44 —
毫焦耳参见图。 9,10,14
0.89 1.2
s
V
CC
= 720V ,T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ,R
G
= 50
23
T
J
= 150°C,
28
I
C
= 5.0A ,V
CC
= 960
ns
100 —
V
GE
= 15V ,R
G
= 50
620 —
能量损失包括"tail"
1.7
毫焦耳参见图。 10,11,14
13
nH的测量5毫米从包
435 —
V
GE
= 0V
44
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
8.3
= 1.0MHz的
重复评价; V
GE
= 20V ,脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图13b)的
(参见图13A )
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V , L = 10μH ,R
G
=50,
脉冲宽度
为80μs ;占空比
0.1%.
脉冲宽度5.0μs ,单发射击。
2
www.irf.com
IRG4PH20K
16
F或两个:
三角波:
负载电流(A )
12
占空比: 50 %
TJ = 125°C
牛逼水槽= 90
作为指定的栅极驱动
功耗= 15W
钳位电压:
80 %的额定
平uare WAV E:
8
额定的60 %
电压
4
理想二极管
0
0.1
1
10
)
100
男,频率(KHz )
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
(负载电流= I
RMS
基本)
100
100
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
10
T
J
= 150
°
C
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
10
T
J
= 150
°
C
1
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
CC
= 50V
5μs脉宽
6
8
10
12
14
0.1
1
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
10
1
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
IRG4PH20K
12
5.0
9
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
最大直流电集电极电流( A)
V
GE
= 15V
80我们脉宽
4.0
I
C
= 10 A
6
3.0
I
C
=
5A
3
I
C
= 2.5 A
0
25
50
75
100
125
150
2.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
,外壳温度(
°
C)
T
J
,结温
°
C)
(
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应(Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
P
DM
t
1
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值T = P
DM
X Z
thJC
+ T
C
J
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
2
0.1
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
4
www.irf.com
IRG4PH20K
20
800
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
V
GE
=
C
IES
=
C
水库
=
C
OES
=
0V,
F = 1MHz的
C
ge
+ C
气相色谱法,
C
ce
C
gc
C
ce
+ C
gc
V
CC
= 400V
I
C
= 11A
16
C,电容(pF )
600
资本投资者入境计划
400
12
8
200
卓越中心
CRES
4
0
1
10
100
0
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.95
总的开关损耗(兆焦耳)
总的开关损耗(兆焦耳)
V
CC
V
GE
T
J
0.90
I
C
= 960V
= 15V
= 25
°
C
= 11A
10
R
G
= 50欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 960V
I
C
=
10
A
0.85
I
C
=
1
5
A
I
C
=
2.5
A
0.80
0.75
0.70
0
10
20
30
40
50
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
R
,
G
栅极电阻
(
)
,栅极电阻
(欧姆)
T
J
,结温
°
C )
(
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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