IN74HCT241A
O
CTAL
3-S
TATE
N
ONINVERTING
B
UFFER
/L
INE
D
河
/L
INE
R
ECEIVER
高性能硅栅CMOS
该IN74HCT241A在引出线的LS / ALS241相同。
该IN74HCT241可以用作一个电平转换器，用于
接口TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
这八进制非反相缓冲器/线路驱动器/接收器行是
设计成与3态存储器地址驱动器一起使用，时钟
驱动程序，以及其它面向总线的系统。该装置具有
同相输出和双输出使能。使A为主动 -
低，允许B是高电平有效。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A
订购信息
IN74HCT241AN塑料
IN74HCT241ADW SOIC
T
A
= -55 °至125 ℃下进行所有
套餐
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
启用
A
L
L
H
A
L
H
X
产量
YA
L
H
Z
输入
启用
B
H
H
L
B
L
H
X
OUTPU
t
YB
L
H
Z
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
X =无关
Z =高阻抗
1
IN74HCT241A
最大额定值
*
符号
参数
价值
单位
V
CC
直流电源电压（参考GND）
-0.5到+7.0
V
V
IN
DC输入电压（参考GND）
-1.5到V
CC
+1.5
V
V
OUT
DC输出电压（参考GND）
-0.5到V
CC
+0.5
V
I
IN
DC输入电流，每个引脚
mA
±20
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
mA
±35
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
mA
±75
P
D
在静止空气中，塑料DIP功耗+
750
mW
SOIC封装+
500
TSTG
储存温度
-65到+150
°C
260
T
L
焊接温度1毫米案例10
°C
秒
（塑料DIP或SOIC封装）
*
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
直流电源电压（参考GND）
V
IN
, V
OUT
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
T
A
工作温度，所有封装类型
t
r
, t
f
输入上升和下降时间（图1 ）
民
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静
电压或电场。然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用
超过最大额定电压，这个高阻抗电路更高。为了正常工作，V
IN
和
V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或
V
CC
） 。未使用的输出必须悬空。
2
技术参数
IN74HCT241A
八路三态同相缓冲器/线路
驱动器/线接收器
高性能硅栅CMOS
该IN74HCT241A在引出线的LS / ALS241相同。该
IN74HCT241A可以用作一个电平转换器，用于连接TTL或
NMOS输出到高速CMOS输入。
这八进制非反相缓冲器/线路驱动器/接收器线的设计
与三态内存地址驱动器，时钟驱动器，和其他使用
面向总线的系统。该装置具有同相输出和两个
输出使能。使A为低电平有效，允许B是高电平有效。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A
订购信息
IN74HCT241AN塑料
IN74HCT241ADW SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
启用
A
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
L
L
H
A
L
H
X
产量
YA
L
H
Z
输入
启用
B
H
H
L
B
L
H
X
产量
YB
L
H
Z
X =无关
Z =高阻抗
启示录00
IN74HCT241A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
民
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
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