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技术参数
IN74HCT125A
四路三态同相缓冲器
高性能硅栅CMOS
该IN74HCT125A在引出线的LS / ALS125相同。该
IN74HCT125A可以用作一个电平转换器,用于连接TTL或
NMOS输出到高速CMOS输入。
该IN74HCT125A同相缓冲器被设计为与所用
三态存储器地址驱动器,时钟驱动器,以及其它面向总线的
系统。该装置具有四个独立的输出使是低电平有效。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
订购信息
IN74HCT125AN塑料
IN74HCT125AD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
A
H
L
X
OE
L
L
H
产量
Y
H
L
Z
X =无关
Z =高阻抗
启示录00
IN74HCT125A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(图1 )
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
) 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
IN74HCT125A
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
参数
测试条件
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
±0.5
≤85
°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
±5.0
≤125
°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
±1.0
±10
A
A
V
单位
V
IH
V
IL
V
OH
最小高
电平输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高
电平输出电压
V
OUT
= V
CC
-0.1 V
I
OUT
20
A
V
OUT
=0.1 V
I
OUT
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
6.0毫安
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
V
V
V
V
OL
最大的低收入
电平输出电压
V
IN
=V
IL
I
OUT
20
A
V
IN
=V
IL
I
OUT
6.0毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大三
状态漏泄
当前
最大静态
电源电流
(每包)
其他静态
电源电流
V
IN
=V
CC
或GND
输出高阻抗
状态
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
或GND
I
OUT
=0A
V
IN
= 2.4 V ,任何一个输入
V
IN
=V
CC
或GND ,其他
输入
I
OUT
=0A
I
CC
5.5
4.0
40
160
A
I
CC
≥-55°C
25℃
125°C
2.4
mA
5.5
2.9
启示录00
IN74HCT125A
AC电气特性
(V
CC
=5.0 V
±
10%, C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
保证限额
符号
参数
25
°C
to
-55°C
18
24
18
12
10
15
≤85°C
≤125°C
单位
t
PLH
, t
PHL
t
PLZ
, t
PHZ
t
PZL
, t
PZH
t
TLH
, t
THL
C
IN
C
OUT
最大传输延迟,输入A的
输出Y(图1和3 )
最大传输延迟,输出使能玩具
(图2和4)
最大传输延迟,输出使能玩具
(图2和4)
最大输出转换时间,任何输出
(图1和3)
最大输入电容
最大三态输出电容
(输出高阻抗状态)
功率耗散电容(每缓冲器)
23
30
23
15
10
15
27
36
27
18
10
15
ns
ns
ns
ns
pF
pF
典型的25°C ,V
CC
=5.0 V
48
pF
C
PD
用于确定空载动态功率
消费:
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
图1.开关波形
图2的开关波形
启示录00
IN74HCT125A
图3.测试电路
图4.测试电路
膨胀逻辑图
(设备的1/4)
启示录00
IN74HCT125A
Q
UAD
3-S
TATE
N
ONINVERTING
B
UFFERS
高性能硅栅CMOS
该IN74HCT125A在引出线的LS / ALS125相同。
该IN74HCT125A可以用作一个电平转换器,用于
接口TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
该IN74HCT125A同相缓冲器被设计为
具有三态存储器地址驱动器,时钟驱动器,以及用于
其他面向总线的系统。该装置具有四个单独的
使输出是低电平有效。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
订购信息
IN74HCT125AN塑料
IN74HCT125AD SOIC
T
A
= -55 °至125 ℃下进行所有
套餐
逻辑图
引脚分配
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
功能表
输入
产量
A
OE
Y
H
L
H
L
L
L
X
H
Z
X =无关
Z =高阻抗
1
IN74HCT125A
最大额定值
*
符号
参数
价值
单位
V
CC
直流电源电压(参考GND)
-0.5到+7.0
V
V
IN
DC输入电压(参考GND)
-1.5到V
CC
+1.5
V
V
OUT
DC输出电压(参考GND)
-0.5到V
CC
+0.5
V
I
IN
DC输入电流,每个引脚
mA
±20
I
OUT
直流输出电流,每个引脚
mA
±35
I
CC
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
mA
±75
P
D
在静止空气中,塑料DIP功耗+
750
mW
SOIC封装+
500
TSTG
储存温度
-65到+150
°C
260
T
L
焊接温度1毫米案例10
°C
(塑料DIP或SOIC封装)
*
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
直流电源电压(参考GND)
V
IN
, V
OUT
直流输入电压,输出电压(参照
GND )
T
A
工作温度,所有封装类型
t
r
, t
f
输入上升和下降时间(图1 )
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静
电压或电场。然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用
超过最大额定电压,这个高阻抗电路更高。为了正常工作,V
IN
V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或
V
CC
) 。未使用的输出必须悬空。
2
IN74HCT125A
DC电气特性(电压
参考GND )
保证限额
V
CC
符号
参数
测试条件
V
25
°C ≤85 ≤125
to
°C
°C
-55°C
V
IH
最低
高V
OUT
=
V
CC
-0.1
V 4.5
2.0
2.0
2.0
水平
输入
I
OUT
20
A
5.5
2.0
2.0
2.0
电压
V
IL
最大低 - V
OUT
=0.1
V 4.5
0.8
0.8
0.8
水平
输入
I
OUT
20
A
5.5
0.8
0.8
0.8
电压
V
OH
最低
高V
IN
=V
IH
4.5
4.4
4.4
4.4
水平
产量
I
OUT
20
A
5.5
5.4
5.4
5.4
电压
V
IN
=V
IH
4.5
3.98
3.84
3.7
I
OUT
6.0毫安
V
OL
最大
低V
IN
=V
IL
4.5
0.1
0.1
0.1
水平
产量
I
OUT
20
A
5.5
0.1
0.1
0.1
电压
V
IN
=V
IL
4.5
0.26
0.33
0.4
I
OUT
6.0毫安
I
IN
最大输入V
IN
=V
CC
或GND
5.5
±0.1
±1.0 ±1.0
漏电流
in
高5.5
I
OZ
最大输出三
±0.5
±5.0 ±10
状态
状态
漏阻抗
V
IN
=V
IL
当前
or
V
IH
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
I
CC
最大
or
GND 5.5
4.0
40
160
静态电源我
OUT
=0A
当前
(每包)
V
IN
= 2.4 V时,在任何一个
另外
25℃
I
CC
静态电源输入
-55°C
125°C
V
IN
=V
CC
或GND ,其他
当前
输入
5.5
2.9
2.4
I
OUT
=0A
单位
V
V
V
V
A
A
A
mA
3
IN74HCT125A
AC电气特性(V
CC
=5.0 V
±
10%, C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
保证限额
单位
符号
参数
25
°C ≤85°C ≤125
to
°C
-55°C
t
PLH
,
最大传输延迟,输入A的
18
23
27
ns
t
PHL
输出Y(图1和3 )
t
PLZ
,
最大传播延迟,输出
24
30
36
ns
t
PHZ
使玩具(图2和4)
t
PZL
,
最大传播延迟,输出
18
23
27
ns
t
PZH
使玩具(图2和4)
12
15
18
ns
t
TLH
, t
THL
最大输出转换时间,任何
产量
(图1和3)
C
IN
最大输入电容
10
10
10
pF
15
15
15
pF
C
OUT
最大
三态
产量
电容(输出高阻抗
状态)
功率耗散电容(每
缓冲区)
用于确定空载动态
动力
消费:
2
P
D
=C
PD
V
CC
F +我
CC
V
CC
典型的25°C ,V
CC
=5.0
V
48
C
PD
pF
图1.开关波形
图2的开关波形
4
IN74HCT125A
图3.测试电路
图4.测试电路
膨胀逻辑图
(设备的1/4)
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IN74HCT125AD
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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