IL66/ILD66/ILQ66
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
与内部RBE （单，双，四通道）
单通道
A 1
C 2
NC
3
6
B
5
C
4
E
特点
内部RBE高稳定性
四CTR提供每包类
TYPE
= BV
首席执行官
> 60 V
标准DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
双通道
A
1
C
2
C
3
A
4
8
7
6
5
E
C
C
E
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC 60950 IEC 60065
四通道
A
1
C
2
16
15
14
13
12
11
10
9
E
C
C
E
E
C
C
E
C
3
A
A
C
C
A
i179014
4
5
6
7
8
描述
IL66 ， ILD66和ILQ66光耦合隔离器
采用砷化镓红外发射器和硅
光电复合探测器。开关可以实现
同时保持驱动之间的隔离程度高
和负载电路，与通道间无串扰。
订购信息
部分
IL66-1
IL66-2
IL66-3
IL66-4
ILD66-1
ILD66-2
ILD66-3
ILD66-4
ILQ66-1
ILQ66-2
ILQ66-3
ILQ66-4
文档编号： 83638
修订版1.6 ， 13日-12月07
备注
CTR
≥
100％ ， DIP-6
CTR
≥
300 ％ ， DIP - 6
CTR
≥
400 ％ ， DIP - 6
CTR
≥
500 ％ ， DIP - 6
CTR
≥
100％ ， DIP-8
CTR
≥
300 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
400 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
500 ％ ， DIP- 8
CTR
≥
100％ ， DIP- 16
CTR
≥
300 ％ ， DIP- 16
CTR
≥
400 ％ ， DIP- 16
CTR
≥
500 ％ ， DIP- 16
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
IL66/ILD66/ILQ66
威世半导体
订购信息
部分
IL66-4X009
ILD66-2X007
ILD66-3X009
ILD66-4X009
ILQ66-4X007
ILQ66-4X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR
≥
500 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR
≥
300 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
400 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR
≥
500 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR
≥
500 ％ ， SMD - 16 （选项7 ）
CTR
≥
500 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
光电耦合器，光电复合输出，
与内部RBE （单，双，四
频道）
绝对最大额定值
参数
输入
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
产量
功耗
从25° C减免
耦合器
绝缘测试电压
总计封装功耗
T = 1.0秒
IL66
ILD66
ILQ66
IL66
ILD66
ILQ66
V
RM
I
F
P
DISS
6.0
60
100
1.33
150
2.0
5300
250
400
500
3.3
5.33
6.67
≥
7.0
≥
7.0
CTI
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
≥
175
≥
10
12
10
11
- 55至+ 125
- 55至+ 100
10
Ω
Ω
°C
°C
s
V
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mW
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
mm
mm
测试条件
部分
符号
价值
单位
P
DISS
V
ISO
P
合计
P
合计
P
合计
从25° C减免线性
爬电距离
间隙距离
漏电起痕指数
绝缘电阻
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
I
F
= 20毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V
V
F
I
R
C
O
1.25
0.1
25
1.5
10
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83638
修订版1.6 ， 13日-12月07
IL66/ILD66/ILQ66
光电耦合器，光电复合输出，
与内部RBE （单，双，四
频道）
电气特性
参数
产量
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压（ IL66 ）
集电极 - 发射极漏电流
电容集电极 - 发射极
耦合器
饱和电压，集电极 - 发射极
I
C
= 10 mA时，我
F
= 10毫安
V
CESAT
0.9
1.0
V
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0 A
I
C
= 10
μA
V
CE
= 50 V，I
F
= 0 A
V
CE
= 10 V
BV
首席执行官
BV
CBO
I
首席执行官
60
60
1.0
3.4
100
V
V
nA
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
威世半导体
电流传输比
参数
测试条件
I
F
= 2.0毫安， V
CE
= 10 V
电流传输比
I
F
= 0.7毫安， V
CE
= 10 V
I
F
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V
部分
IL(D,Q)66-1
IL(D,Q)66-2
IL(D,Q)66-3
IL(D,Q)66-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
100
300
400
500
典型值。
400
500
500
750
马克斯。
单位
%
%
%
%
开关特性
参数
非饱和
上升时间-1，-2 ，-4所
下降时间-1，-2 ，-4
上升时间-3
下降时间-3
V
CC
= 10 V
I
F
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω
I
F
- 0.7毫安
V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
Ω
t
r
t
f
t
r
t
f
200
200
200
200
s
s
s
s
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
2.0
NCTRce
-
归
CTRce
V
F
- 前进
电压
(V)
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
T
A
= - 55 °C
T
A
= 25 °C
1.5
归
要：
V
CE
= 5
V
I
F
= 2毫安
V
CE
= 5
V
1.0
T
A
= 100 °C
0.8
0.7
0.1
1
10
100
0.5
V
CE
= 1
V
0.0
0.1
1
10
100
iil66_01
I
F
- 正向电流（mA ）
iil66_02
I
F
- LED电流（mA ）
图。 1 - 正向电压与正向电流
图。 2 - 归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
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修订版1.6 ， 13日-12月07
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3
IL66/ILD66/ILQ66
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
与内部RBE （单，双，四
频道）
10000
1.2
NCTRce
-
归
CTRce
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
CE
- 集电极 - 发射极
电流（mA ）
归
要：
V
CE
= 5
V
I
F
= 10毫安
1000
V
CE
= 1
V
100
10
1
0.1
0.01
V
CE
= 5
V
0.001
0.1
iil66_06
V
CE
= 5
V
V
CE
= 1
V
0.0
0.1
iil66_03
1
10
100
1000
0
10
100
1000
I
F
- LED电流（mA ）
I
B
- 基本电流（微秒）
图。 3 - 归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
图。 6 - 集电极发射极电流与LED电流
10000
1000
V
CE
= 1
V
25000
20000
V
CE
= 5
V
15000
10000
5000
0
0.1
1
10
100
iil66_07
0.1
1
10
100
1000
I
CE
- 集电极发射极
电流（mA ）
100
V
CE
= 5
V
10
1
0.1
0.01
h
FE
- 前馈增益
V
CE
= 1
V
0.001
iil66_04
I
F
- LED电流（mA ）
I
B
- 基本电流（ μA ）
图。 4 - 非饱和与饱和集电极发射极电流与
LED电流
图。 7 - 非饱和与饱和
FE
与LED电流
1000
50
t
PHL
- 高/低传播
DELAY （微秒）
I
cb
- 光电流（ μA ）
100
40
30
20
10
0
10 kΩ
V
CC
= 5
V
V
th
= 1.5
V
10
220
Ω
1
0.1
0.1
iil66_05
1
10
100
iil66_08
0
5
I
F
- LED电流（mA ）
10
15
I
F
- LED电流（mA ）
20
图。 5 - 集电极基地光电流与LED电流
图。 8 - 高到低传输延迟与集电极负载
电阻和LED电流
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4
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文档编号： 83638
修订版1.6 ， 13日-12月07
IL66/ILD66/ILQ66
光电耦合器，光电复合输出，
与内部RBE （单，双，四
频道）
威世半导体
150
t
PLH
- 低/高传播
延迟 -
s
125
100
75
50
25
0
0
iil66_09
10 kΩ
2 kΩ
V
CC
= 5
V
V
th
= 1.5
V
220 kΩ
5
10
15
20
I
F
- LED电流（mA ）
图。 9 - 从低到高传输延迟与集电极负载
电阻和LED电流
I
F
V
O
t
D
t
R
t
PLH
V
th
= 1.5
V
t
PHL
t
S
t
F
iil66_10
图。 10 - 开关波形
V
CC
= 10
V
F = 10 kHz时，
DF = 50
%
R
L
V
O
I
F
iil66_11
图。 11 - 开关电路图
文档编号： 83638
修订版1.6 ， 13日-12月07
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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5
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